Discurs llegit en l’acte d’ingrés de l’Acadèmic Numerari Molt Il·lustre Sr. Dr. Cèsar Blanché i Vergés. Celebrat el dia 8 d’abril de 2013. Discurs de contestació a cà rrec de l’Acadèmic Numerari Molt Il·lustre Sr. Dr. Miquel Salgot de Marçay

Discurs llegit en l’acte d’ingrés de l’Acadèmic Numerari Molt Il·lustre Sr. Dr. Cèsar Blanché i Vergés Celebrat el dia 8 d’abril de 2013. Discurs de contestació a càrrec de l’Acadèmic Numerari Molt Il·lustre Sr. Dr. Miquel Salgot de Marçay

Discurs llegit en l’acte d’ingrés de l’Acadèmic Numerari Molt Il·lustre Sr. Dr. Cèsar Blanché i Vergés. Celebrat el dia 8 d’abril de 2013. Discurs de contestació a cà rrec de l’Acadèmic Numerari Molt Il·lustre Sr. Dr. Miquel Salgot de Marçay

Discurs llegit en l’acte d’ingrés de l’Acadèmic Numerari Molt Il·lustre Sr. Dr. Cèsar Blanché i Vergés Celebrat el dia 8 d’abril de 2013. Discurs de contestació a càrrec de l’Acadèmic Numerari Molt Il·lustre Sr. Dr. Miquel Salgot de Marçay

Réplica a las objeciones presentadas por el Sr. Juan Ullastre a la parte gráfica que ilustra un artículo de geofísica del Berguedá y Solsonés (Pre-Pirineo Catalán)

El comentario que con el título de 'Objeciones a la parte gráfica .que ilustra un artículo de geofísica del Berguedá y Solsonés' realiza J.Ullastre a nuestro artículo 'Aportaciones de la prospección geofísica al estudio del subsuelo del Berguedá y Solsonés' publicado en el volumen 27 de esta revista dedicado en homenaje al Dr Oriol Riba, presenta algunos aspectos formales y otros de fondo que merece la pena puntualizar.

The use of the SeDeM diagram expert system for the formulation of Captopril SR matrix tablets by direct compression

The SeDeM Diagram Expert System has been used to study excipients, Captopril and designed formulations for their galenic characterization and to ascertain the critical points of the formula affecting product quality to obtain suitable formulations of Captopril Direct Compression SR Matrix Tablets. The application of the Sedem Diagram Expert System enables selecting excipients with in order to optimize the formula in the preformulation and formulation studies. The methodology is based on the implementation of ICH Q8, establishing the design space of the formula with the use of experiment design, using the parameters of the SeDeM Diagram Expert System as system responses.

Highly textured Sr, Nb, co-doped BiFeO3 thin films grown on SrRuO3/Si substrates by rf-sputtering

In this study, (011)-highly oriented Sr, Nb co-doped BiFeO3 (BFO) thin films were successfully grown on SrRuO3/Si substrates by rf-magnetron sputtering. The presence of parasite magnetic phases was ruled out based on the high resolution x-ray diffraction data. BFO films exhibited a columnar-like grain growth with rms surface roughness values of 5.3 nm and average grain sizes of 65-70 nm for samples with different thicknesses. Remanent polarization values (2Pr) of 54 lC cm 2 at room temperature were found for the BFO films with a ferroelectric behavior characteristic of an asymmetric device structure. Analysis of the leakage mechanisms for this structure in negative bias suggests Schottky injection and a dominant Poole-Frenkel trap-limited conduction at room temperature. Oxygen vacancies and Fe3þ/Fe2þ trap centers are consistent with the surface chemical bonding states analysis from x-ray photoelectron spectroscopy data. The (011)-BFO/ SrRuO3/Si film structure exhibits a strong magnetic interaction at the interface between the multiferroic film and the substrate layer where an enhanced ferromagnetic response at 5 K was observed. Zero-field cooled (ZFC) and field cooled (FC) magnetization curves of this film system revealed a possible spin glass behavior at spin freezing temperatures below 30 K depending on the BFO film thickness.

Sintesi i caracteritzacio dels materials multiferroics BiFeO3, La: BiFeO3 i Sr: BiFeO3

Recentment, ha crescut un notable interès pels materials multiferroics (o materials que presenten simultàniament propietats elèctriques i magnètiques), a causa de les seves múltiples aplicacions, sobretot en el camp de l"electrònica. Aquest article pretén donar a conèixer els materials multiferroics, tant des del punt de vista de la física fonamental com de la química de l"estat sòlid. Tanmateix, es presentarà un dels materials multiferroics actualment més estudiats i s"exposaran els detalls de la seva síntesi i caracterització habituals en la química de l"estat sòlid.