Enhancement of oxidation rate of a-Si nanoparticles during dehydrogenation

Oxidation of amorphous silicon (a-Si) nanoparticles grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition were investigated. Their hydrogen content has a great influence on the oxidation rate at low temperature. When the mass gain is recorded during a heating ramp in dry air, an oxidation process at low temperature is identified with an onset around 250°C. This temperature onset is similar to that of hydrogen desorption. It is shown that the oxygen uptake during this process almost equals the number of hydrogen atoms present in the nanoparticles. To explain this correlation, we propose that oxidation at low temperature is triggered by the process of hydrogen desorption

Taxes de reincidència 2011 de justícia juvenil: actualització de la taxa de reincidència dels joves sotmesos a mesures de llibertat vigilada i internament en centre

L’estudi actualitza les taxes de reincidència dels menors sotmesos a una mesura d’internament o de llibertat vigilada que van ser publicades a la recerca “La reincidència en el delicte en la justícia de menors” finalitzada l’any 2005 i que van iniciar la sèrie. Aquest estudi ja és el sisè del mateix tipus i, en aquest cas, segueix els joves que van finalitzar una mesura de llibertat vigilada o d’internament l’any 2008, i els segueix fins el 31 de desembre de 2011 amb l’objectiu de saber si han comès un nou delicte que hagi estat detectat per la Xarxa d’execució penal, tant de joves com d’adults. S’ha estudiat tota la població de joves desinternats de centres, que per l’any 2008 foren 258 subjectes. En el cas de llibertat vigilada la població que ha finalitzat l’any 2008 ha estat de 967 subjectes. En total la població estudiada ha estat de 1.225 joves. Els resultats en la taxa de reincidència de llibertat vigilada han baixat lleugerament (28,7%) respecte l’any anterior (que era del 29,6%). En internament la taxa de reincidència també ha baixat lleugerament (57,8%) respecte l’any passat (58,7%). L’estudi permet comparar de forma seriada sis anys d’evolució de la taxa de reincidència juvenil després de la posada en marxa de la Llei Orgànica 5/2000, de 12 de gener, reguladora de la responsabilitat penal dels menors (LORPM).

Tasas de reincidencia 2011 de justicia juvenil: actualización de la tasa de reincidencia de los jóvenes sometidos a medidas de libertad vigilada e internamiento en centro

El estudio actualiza por quinto año las tasas de reincidencia juvenil en las medidas de libertad vigilada e internamiento en Catalunya. En este caso se ha estudiado a la población que finalizó una medida el año 2008 y se les ha seguido hasta el 31 de diciembre de 2011. Los resultados nos dicen que la tasa de reincidencia de libertad vigilada es del 28,7% y la tasa de internamiento es del 57,8%.

Selective ablation of photovoltaic materials with UV laser sources for monolithic interconnection of devices based on a-Si:H

Lasers are essential tools for cell isolation and monolithic interconnection in thin-film-silicon photovoltaic technologies. Laser ablation of transparent conductive oxides (TCOs), amorphous silicon structures and back contact removal are standard processes in industry for monolithic device interconnection. However, material ablation with minimum debris and small heat affected zone is one of the main difficulty is to achieve, to reduce costs and to improve device efficiency. In this paper we present recent results in laser ablation of photovoltaic materials using excimer and UV wavelengths of diode-pumped solid-state (DPSS) laser sources. We discuss results concerning UV ablation of different TCO and thin-film silicon (a-Si:H and nc-Si:H), focussing our study on ablation threshold measurements and process-quality assessment using advanced optical microscopy techniques. In that way we show the advantages of using UV wavelengths for minimizing the characteristic material thermal affection of laser irradiation in the ns regime at higher wavelengths. Additionally we include preliminary results of selective ablation of film on film structures irradiating from the film side (direct writing configuration) including the problem of selective ablation of ZnO films on a-Si:H layers. In that way we demonstrate the potential use of UV wavelengths of fully commercial laser sources as an alternative to standard backscribing process in device fabrication.

Mujeres maltratadas y calidad de la relación de pareja

Investigaciones recientes sobre la violencia doméstica demuestran una relación significativa entre el sufrimiento de malos tratos en la relación de pareja y la insatisfacción marital. A pesar de ello, algunas mujeres siguen viendo aspectos positivos en la relación, aspecto que dificulta poner fin a la relación. El objetivo del presente estudio es evaluar la percepción del ajuste diádico en la relación de pareja con un grupo de mujeres maltratadas y detectar si existen diferencias según la duración y el tipo de maltrato sufrido. Las participantes son 115 mujeres maltratadas que acuden a un servicio de la salud pública y completaron la Dyadic Adjustment Scale (DAS) de Spanier (1976), y una adaptación de la Entrevista Semiestructurada sobre Maltrato Doméstico (Echeburúa, Corral, Sarasua, Zubizarreta y Sauca, 1994). El 51% de las mujeres había sufrido una historia de maltrato superior a 5 años y un 29% había sufrido malos tratos de tipo sexual. La satisfacción conyugal fue menor en las mujeres que sufrieron abusos sexuales, mientras que la duración del maltrato se relacionaba únicamente con la expresión de afecto y la cohesión. Se discute la implicación de los resultados y se señala la importancia de analizar en qué situaciones, a pesar de que exista maltrato en la relación, ésta puede resultar suficientemente satisfactoria como para no romperla.

Recuperación tras un primer brote psicótico (PEP)

La temática central de este trabajo versa sobre el primer brote psicótico (PEP), contextualizándolo dentro del proceso de desarrollo de una psicosis. Aunque, precisamente, al interés que suscita este tema subyace el propósito de poder contestar fundamentalmente a la pregunta de si es posible la recuperación total de un primer brote psicótico, si una persona que haya experimentado un primer episodio psicótico puede volver a llevar una vida "normal" como la que pudiera haber tenido antes de tal suceso.

Disseny de la instal·lació de climatització amb energia geotèrmica i terra radiant d'una vivenda unifamiliar al terme municipal de la Sentiu de Sió

El treball es centra principalment en el disseny de la instal·lació geotèrmica exterior i del terra radiant de l'interior. El disseny es basa en aconseguir el confort de calefacció i s'aprofita el fet de que s'utilitza un sistema reversible per aportar el màxim confort durant l'èpocade refrigeració. Es realitza un estudi de les possibles alternatives per a la instal·lació, també s'observaran els aparells i accessoris escollits per a la implantació de la instal·lació.

Progress in a-Si:H/c-Si heterojunction emitters obtained by Hot-Wire CVD at 200°C

In this work, we investigate heterojunction emitters deposited by Hot-Wire CVD on p-type crystalline silicon. The emitter structure consists of an n-doped film (20 nm) combined with a thin intrinsic hydrogenated amorphous silicon buffer layer (5 nm). The microstructure of these films has been studied by spectroscopic ellipsometry in the UV-visible range. These measurements reveal that the microstructure of the n-doped film is strongly influenced by the amorphous silicon buffer. The Quasy-Steady-State Photoconductance (QSS-PC) technique allows us to estimate implicit open-circuit voltages near 700 mV for heterojunction emitters on p-type (0.8 Ω·cm) FZ silicon wafers. Finally, 1 cm 2 heterojunction solar cells with 15.4% conversion efficiencies (total area) have been fabricated on flat p-type (14 Ω·cm) CZ silicon wafers with aluminum back-surface-field contact.

Current transport and electroluminescence mechanisms in thin SiO2 films containing Si nanocluster-sensitized erbium ions.

We have studied the current transport and electroluminescence properties of metal oxide semiconductor MOS devices in which the oxide layer, which is codoped with silicon nanoclusters and erbium ions, is made by magnetron sputtering. Electrical measurements have allowed us to identify a Poole-Frenkel conduction mechanism. We observe an important contribution of the Si nanoclusters to the conduction in silicon oxide films, and no evidence of Fowler-Nordheim tunneling. The results suggest that the electroluminescence of the erbium ions in these layers is generated by energy transfer from the Si nanoparticles. Finally, we report an electroluminescence power efficiency above 10−3%. © 2009 American Institute of Physics. doi:10.1063/1.3213386

Electrical pump & probe and injected carrier losses quantification in Er doped Si slot waveguides

Electrically driven Er3+ doped Si slot waveguides emitting at 1530 nm are demonstrated. Two different Er3+ doped active layers were fabricated in the slot region: a pure SiO2 and a Si-rich oxide. Pulsed polarization driving of the waveguides was used to characterize the time response of the electroluminescence (EL) and of the signal probe transmission in 1 mm long waveguides. Injected carrier absorption losses modulate the EL signal and, since the carrier lifetime is much smaller than that of Er3+ ions, a sharp EL peak was observed when the polarization was switched off. A time-resolved electrical pump & probe measurement in combination with lock-in amplifier techniques allowed to quantify the injected carrier absorption losses. We found an extinction ratio of 6 dB, passive propagation losses of about 4 dB/mm, and a spectral bandwidth > 25 nm at an effective d.c. power consumption of 120 μW. All these performances suggest the usage of these devices as electro-optical modulators.

Highly textured Sr, Nb, co-doped BiFeO3 thin films grown on SrRuO3/Si substrates by rf-sputtering

In this study, (011)-highly oriented Sr, Nb co-doped BiFeO3 (BFO) thin films were successfully grown on SrRuO3/Si substrates by rf-magnetron sputtering. The presence of parasite magnetic phases was ruled out based on the high resolution x-ray diffraction data. BFO films exhibited a columnar-like grain growth with rms surface roughness values of 5.3 nm and average grain sizes of 65-70 nm for samples with different thicknesses. Remanent polarization values (2Pr) of 54 lC cm 2 at room temperature were found for the BFO films with a ferroelectric behavior characteristic of an asymmetric device structure. Analysis of the leakage mechanisms for this structure in negative bias suggests Schottky injection and a dominant Poole-Frenkel trap-limited conduction at room temperature. Oxygen vacancies and Fe3þ/Fe2þ trap centers are consistent with the surface chemical bonding states analysis from x-ray photoelectron spectroscopy data. The (011)-BFO/ SrRuO3/Si film structure exhibits a strong magnetic interaction at the interface between the multiferroic film and the substrate layer where an enhanced ferromagnetic response at 5 K was observed. Zero-field cooled (ZFC) and field cooled (FC) magnetization curves of this film system revealed a possible spin glass behavior at spin freezing temperatures below 30 K depending on the BFO film thickness.

The valence band alignment at ultrathin SiO2/Si interfaces

High resolution x-ray photoelectron spectroscopy has been used to determine the valence band alignment at ultrathin SiO2/Si interfaces. In the oxide thickness range 1.6-4.4 nm the constant band-offset values of 4.49 and 4.43 eV have been obtained for the dry SiO2/Si(100) and the wet SiO2/Si(100) interfaces, respectively. The valence band alignment of dry SiO2/Si(111) (4.36 eV) is slightly smaller than the case of the dry SiO2/Si(100) interface.

Unconventional Determinants of Greenhouse Gas Emissions: The Role of Trust

[cat] Les normes socials han estat incloses en la teoria de l’acció col.lectiva per a superar les dificultats per explicar perquè la gestió del béns comuns podria ser més efectiva quan s’autoregula per les mateixes comunitats. El paper rellevant de la confiança en els altres s’ha identificat en diversos contextos d’acció social a nivell local, però només recentment s’ha considerat la idea que també podria ser rellevant en el cas de béns comuns de caire global, seguint l’evidència bàsicament descriptiva recollida per Elinor Ostrom. Però fins ara no hi havia proves quantitatives disponibles d’aquesta idea. Utilitzant un conjunt de dades de 29 països europeus durant el període 1990-2007, donem evidència empírica a favor del paper del nivell de confiança en els altres en el context dels béns públics globals. Concloem que el nivell de confiança en els altres té un impacte reductor de les emissions de gasos d’efecte hivernacle; per exemple, l’extrapolació dels resultats implicaria una reducció d’emissions d’Espanya del 12,5% si el nivell mitjà de confiança en els altres dels espanyols fos tan elevat com els dels suecs.

Unconventional Determinants of Greenhouse Gas Emissions: The Role of Trust

[cat] Les normes socials han estat incloses en la teoria de l’acció col.lectiva per a superar les dificultats per explicar perquè la gestió del béns comuns podria ser més efectiva quan s’autoregula per les mateixes comunitats. El paper rellevant de la confiança en els altres s’ha identificat en diversos contextos d’acció social a nivell local, però només recentment s’ha considerat la idea que també podria ser rellevant en el cas de béns comuns de caire global, seguint l’evidència bàsicament descriptiva recollida per Elinor Ostrom. Però fins ara no hi havia proves quantitatives disponibles d’aquesta idea. Utilitzant un conjunt de dades de 29 països europeus durant el període 1990-2007, donem evidència empírica a favor del paper del nivell de confiança en els altres en el context dels béns públics globals. Concloem que el nivell de confiança en els altres té un impacte reductor de les emissions de gasos d’efecte hivernacle; per exemple, l’extrapolació dels resultats implicaria una reducció d’emissions d’Espanya del 12,5% si el nivell mitjà de confiança en els altres dels espanyols fos tan elevat com els dels suecs.