Estudi sociomorfològica a Manresa : el segment velar en algunes formes del PI i el PS dels verbs anar, fer, veure i haver

Des d’una perspectiva sociomorfològica, aquest estudi analitza la correlació que hi ha entre les variables socials de l’edat, el gènere i la classe social i un dels trets morfofonològics més característics del parlar dels joves de Manresa: la presència del segment velar /g/ en la primera persona del singular del present d’indicatiu, i en les persones primera, segona i tercera del singular i en la tercera del plural del present de subjuntiu dels verbs irregulars anar, fer, veure i haver (ex. vaic i vaigui).

"Aquí es redacten i s'esculpeixen inscripcions" : aproximació al corpus epigràfic de la ciutat de Girona

La idea primera d'aquest projecte d’investigació, sobre les escripturesexposades del Claustre de la Catedral de Santa Maria de Girona, va sorgir d'unsenzill treball de classe de doctorat. Es tractava de fer un estudi que tractés sobre elmón de la mort: el ritual, la cerimònia, l'enterrament, el dol, etc. Tot el que envolta elsprimers dies de la mort d'un individu i com el seu record pretén ser etern. Si bél'època històrica que tractaven era l'antiguitat, el treball que jo pretenia dur a termeera d'una època diferent la qual cosa ja presentava una sèrie de reptes com el fet detractar-se d'un estudi inèdit degut al plantejament que pretenia portar a la pràctica.Es tractava, doncs, de l'anàlisi de l'actitud socio-cultural de la dona i l'home davant lamort a partir dels testimonis escrits en les seves tombes. Amb la qual cosa es podiaveure l'evolució del pensament humà en vers un dels temes que més va preocupar ipreocupa i interessa al llarg de tots els temps històrics

Quantification of the bond-angle dispersion by Raman spectroscopy and the strain energy of amorphous silicon

A thorough critical analysis of the theoretical relationships between the bond-angle dispersion in a-Si, Δθ, and the width of the transverse optical Raman peak, Γ, is presented. It is shown that the discrepancies between them are drastically reduced when unified definitions for Δθ and Γ are used. This reduced dispersion in the predicted values of Δθ together with the broad agreement with the scarce direct determinations of Δθ is then used to analyze the strain energy in partially relaxed pure a-Si. It is concluded that defect annihilation does not contribute appreciably to the reduction of the a-Si energy during structural relaxation. In contrast, it can account for half of the crystallization energy, which can be as low as 7 kJ/mol in defect-free a-Si