Increased anandamide induced relaxation in mesenteric arteries of cirrhotic rats. Role of cannabinoid and vanilloid receptors

Background and aims: Anandamide is an endocannabinoid that evokes hypotension by interaction with peripheral cannabinoid CB1 receptors and with the perivascular transient receptor potential vanilloid type 1 protein (TRPV1). As anandamide has been implicated in the vasodilated state in advanced cirrhosis, the study investigated whether the mesenteric bed from cirrhotic rats has an altered and selective vasodilator response to anandamide. Methods: We assessed vascular sensitivity to anandamide, mRNA and protein expression of cannabinoid CB1 receptor and TRPV1 receptor, and the topographical distribution of cannabinoid CB1 receptors in resistance mesenteric arteries of cirrhotic and control rats. Results: Mesenteric vessels of cirrhotic animals displayed greater sensitivity to anandamide than control vessels. This vasodilator response was reverted by CB1 or TRPV1 receptor blockade, but not after endothelium denudation or nitric oxide inhibition. Anandamide had no effect on distal femoral arteries. CB1 and TRPV1 receptor protein was higher in cirrhotic than in control vessels. Neither CB1 mRNA nor protein was detected in femoral arteries. Immunochemistry showed that CB1 receptors were mainly in the adventitia and in the endothelial monolayer, with higher expression observed in vessels of cirrhotic rats than in controls. Conclusions: These results indicate that anandamide is a selective splanchnic vasodilator in cirrhosis which predominantly acts via interaction with two different types of receptors, CB1 and TRPV1 receptors, which are mainly located in perivascular sensory nerve terminals of the mesenteric resistance arteries of these animals.

Computer-simulation study of magnetic relaxation in anisotropic magnetic systems

We present a computer-simulation study of the effect of the distribution of energy barriers in an anisotropic magnetic system on the relaxation behavior of the magnetization. While the relaxation law for the magnetization can be approximated in all cases by a time logarithmic decay, the law for the dependence of the magnetic viscosity with temperature is found to be quite sensitive to the shape of the distribution of barriers. The low-temperature region for the magnetic viscosity never extrapolates to a positive no-null value. Moreover our computer simulation results agree reasonably well with some recent relaxation experiments on highly anisotropic single-domain particles.

Relaxation and derelaxation of pure and hydrogenated amorphous silicon during thermal annealing experiments

The structural relaxation of pure amorphous silicon a-Si and hydrogenated amorphous silicon a-Si:H materials, that occurs during thermal annealing experiments, has been analyzed by Raman spectroscopy and differential scanning calorimetry. Unlike a-Si, the heat evolved from a-Si:H cannot be explained by relaxation of the Si-Si network strain but it reveals a derelaxation of the bond angle strain. Since the state of relaxation after annealing is very similar for pure and hydrogenated materials, our results give strong experimental support to the predicted configurational gap between a-Si and crystalline silicon.

Atomic diffusion induced by stress relaxation in InGaAs/GaAs epitaxial layers

The origin of the microscopic inhomogeneities in InxGa1-xAs layers grown on GaAs by molecular beam epitaxy is analyzed through the optical absorption spectra near the band gap. It is seen that, for relaxed thick layers of about 2.8μm, composition inhomogeneities are responsible for the band edge smoothing into the whole compositional range (0.05relaxation. In consequence, the strain variations present in the layer are converted into composition variations during growth. This process is energetically favorable as it diminishes elastic energy. An additional support to this hypothesis is given by a clear proportionality between the magnitude of the composition variations and the mean strain

Relaxation and derelaxation of pure and hydrogenated amorphous silicon during thermal annealing experiments

The structural relaxation of pure amorphous silicon (a-Si) and hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) materials, that occurs during thermal annealing experiments, has been analyzed by Raman spectroscopy and differential scanning calorimetry. Unlike a-Si, the heat evolved from a-Si:H cannot be explained by relaxation of the Si-Si network strain but it reveals a derelaxation of the bond angle strain. Since the state of relaxation after annealing is very similar for pure and hydrogenated materials, our results give strong experimental support to the predicted configurational gap between a-Si and crystalline silicon

Determinació de la ubicació estructural dels ions Yb3+ i Nb3+ en Yb:RTP, Nb:RTP i (Nb,Yb):RTP

Estudi elaborat a partir d’una estada al Stony Brook University al juliol del 2006. El RbTiOPO4 (RTP) monocristal•lí és un material d' òptica no lineal molt rellevant i utilitzat en la tecnologia làser actual, químicament molt estable i amb unes propietats físiques molt destacades, entre elles destaquen els alts coeficients electro-òptics i l'alt llindar de dany òptic que presenta. En els últims anys s’està utilitzant tecnològicament en aplicacions d'òptica no lineal en general i electro-òptiques en particular. En alguns casos ja ha substituït, millorant prestacions, a materials tals com el KTP o el LNB(1). Dopant RTP amb ions lantànids (Ln3+) (2-4), el material es converteix en un material làser auto-doblador de freqüència, combinant les seves propietats no lineals amb les de matriu làser. El RTP genera radiació de segon harmònic (SHG) a partir d’un feix fonamental amb longituds d’ona inferiors a 990 nm, que és el límit que presenta el KTP.La determinació de la ubicació estructural i l’estudi de l'entorn local del ions actius làser és de fonamental importància per a la correcta interpretació de les propietats espectroscòpiques d’aquest material. Mesures de difracció de neutrons sobre mostra de pols cristal•lí mostren que els ions Nb5+ i Ln3+ només substitueixin posicions de Ti4+ (8-9). Estudis molt recents d'EPR (electron paramagnetic resonance) semblen indicar que quan la concentració d'ió Ln3+ es baixa, aquest ió presenta la tendència a substituir l'ió alcalí present a l'estructura (10).Després dels resultats obtinguts en el present treball a partir de la tècnica EXAFS a la instal•lació sincrotò del Brookhaven National Laboratory/State University of New York (Stony Brook) es pot concloure definitivament que els ions Nb s’ubiquen en la posició Ti (1) i que els ions Yb3+ es distribueixen paritariament en les dues posicions del Ti (1 i 2). Aquests resultats aporten una valuosa informació per a la correcta interpretació dels espectres, tant d’absorció com d’emissió, del material i per la avaluació dels paràmetres del seu comportament durant l'acció làser.

Biofeedback : retroalimentación electroencefalográfica : estudio de la efectividad de la adopción de patrones neuronales por entrenamiento para paliar el dolor

S’ha demostrat que la pràctica d'estats de relaxació profunda redueix el dolor i incrementa el benestar i la qualitat de vida. Els estats de relaxació profunda i meditació estan al seu torn associats a patrons electroencefalogràfics (EEG) característics. En el present projecte proposem un procediment pal·liatiu del dolor basat en l 'entrenament autodidàctic per aconseguir aquests estats de relaxació. Per a això es proposa retro-alimentar al subjecte un senyal auditiu reflex de la seva activitat EEG que l'ajudi a modificar voluntàriament la seva activitat cerebral, la qual cosa li permet aproximar-la progressivament al patró EEG corresponent al de relaxació profunda desitjat. S’ha dissenyat un protocol d'entrenament d'estats mentals de relaxació i meditació (entre altres) i implementat un programa que processa el senyal EEG i genera un senyal auditiu reflex de l'activitat cerebral de l'individu. També registra les lectures EEG del progrés de l'individu, genera les gràfiques corresponents i genera dades estadístiques per a futur anàlisi.

Características clínicas y tratamiento de la ansiedad académica y ante los exámenes como fobia específica de tipo situacional

L'ansietat acadèmica i davant els exàmens com a fòbia específica de tipus situacional és un trastorn infantil i juvenil d'efectes pertorbadors i negatius que repercuteixen sobre la salut mental i emocional, el rendiment acadèmic i la integració social de l'estudiant que la pateix. En aquest treball s'especifiquen les seves característiques clíniques. Així mateix, s'inclou un cas clínic d'un adolescent de 14 anys que patia d'aquest trastorn fòbic escolar, acompanyat de baixa autoestima personal i dificultats d'adaptació amb el seu grup-classe. Se li va aplicar una avaluació i tractament de tall cognitiu-conductual que ha tingut com a finalitat la superació de la fòbia, i la millora del seu rendiment acadèmic i social. D'entre totes les eines terapèutiques utilitzades destaquen: l'exposició en viu, i l'aprenentatge i utilització de mecanismes de control de l'ansietat (la relaxació Jacobson i la reestructuració cognitiva). Finalment, assenyalar que aquesta intervenció terapèutica ha estat possible gràcies a la participació coordinada i cooperant de l'equip interdisciplinari.

Ensenyament i facilitació de l'aprenentatge d'estratègies de relaxació, a través d'internet, en nens i adolescents amb dolor abdominal

L'objectiu d'aquest treball és el disseny d'un tractament de relaxació progressiva online, basat en l'evidència de la seva efectivitat en teràpies presencials, per poder abordar la simptomatologia en els primers estadis del dolor crònic abdominal en nens i adolescents.

TFC .NET- HotelSpa

El projecte se centra en desenvolupar una aplicació per un hotel amb instal·lacions d'esbarjo i relaxació.

TFC .NET Hotel SPA

El projecte desenvolupat és un sistema per a un hotel amb diferents instal·lacions d'esbarjo i relaxació, que permeti als seus clients obtenir informació d'aquestes activitats i recursos, i reservar places si escau, i als encarregats del establiment realitzar el control i gestió de les possibles peticions.

Estudi del comportament de materials nanoestructurats en el tractament d'aigües contaminades amb arsènic

El SPION (Super Paramagnetic Iron Oxide Nanoparticles) ha estat estudiat com un nou adsorbent per eliminar l’arsènic d’aigües contaminades. Les condicions òptimes de treball es van assolir per un pH de 3,6 i per concentracions inferiors als 100ppm. No es van trobar interferències significatives produïdes pels cations Cu, Ni i Zn en l’adsorció de l’As, sent el fosfat l’anió que més interfereix. Una esponja de cel·lulosa s’ha utilitzat com a suport del SPION, per disminuir les agregacions de les nanopartícules en suspensió i per proporcionar una material adequat per l’adsorció en continu, experiment amb columnes. Així, es va obtenir un augment de la capacitat d’adsorció del SPION per l’As(V), mentre que per l’As(III) continua sent baixa, per tant s’augmenta la selectivitat per l’As(V). Les interferències aniòniques afecten d’igual manera a l’adsorció de l’As(III) i l’As(V) quan l’adsorció és en continu o en discontinu. Els cations metàl·lics no interfereixen en l’adsorció de l’arsènic, a excepció del coure que és adsorbit i porta a la disminució de l’adsorció d’arsènic.

Ab initio absorption spectrum of NiO combining molecular dynamics with the embedded cluster approach in a discrete reaction field

We developed a procedure that combines three complementary computational methodologies to improve the theoretical description of the electronic structure of nickel oxide. The starting point is a Car-Parrinello molecular dynamics simulation to incorporate vibrorotational degrees of freedom into the material model. By means ofcomplete active space self-consistent field second-order perturbation theory (CASPT2) calculations on embedded clusters extracted from the resulting trajectory, we describe localized spectroscopic phenomena on NiO with an efficient treatment of electron correlation. The inclusion of thermal motion into the theoretical description allowsus to study electronic transitions that, otherwise, would be dipole forbidden in the ideal structure and results in a natural reproduction of the band broadening. Moreover, we improved the embedded cluster model by incorporating self-consistently at the complete active space self-consistent field (CASSCF) level a discrete (or direct) reaction field (DRF) in the cluster surroundings. The DRF approach offers an efficient treatment ofelectric response effects of the crystalline embedding to the electronic transitions localized in the cluster. We offer accurate theoretical estimates of the absorption spectrum and the density of states around the Fermi level of NiO, and a comprehensive explanation of the source of the broadening and the relaxation of the charge transferstates due to the adaptation of the environment

Critical ruptures in a bundle of slowly relaxing fibers

We study the damage enhanced creep rupture of disordered materials by means of a fiber bundle model. Broken fibers undergo a slow stress relaxation modeled by a Maxwell element whose stress exponent m can vary in a broad range. Under global load sharing we show that due to the strength disorder of fibers, the lifetime ʧ of the bundle has sample-to-sample fluctuations characterized by a log-normal distribution independent of the type of disorder. We determine the Monkman-Grant relation of the model and establish a relation between the rupture life tʄ and the characteristic time tm of the intermediate creep regime of the bundle where the minimum strain rate is reached, making possible reliable estimates of ʧ from short term measurements. Approaching macroscopic failure, the deformation rate has a finite time power law singularity whose exponent is a decreasing function of m. On the microlevel the distribution of waiting times is found to have a power law behavior with m-dependent exponents different below and above the critical load of the bundle. Approaching the critical load from above, the cutoff value of the distributions has a power law divergence whose exponent coincides with the stress exponent of Maxwell elements

Calorimetry of dehydrogenation and dangling-bond recombination in several hydrogenated amorphous silicon materials

Differential scanning calorimetry (DSC) was used to study the dehydrogenation processes that take place in three hydrogenated amorphous silicon materials: nanoparticles, polymorphous silicon, and conventional device-quality amorphous silicon. Comparison of DSC thermograms with evolved gas analysis (EGA) has led to the identification of four dehydrogenation processes arising from polymeric chains (A), SiH groups at the surfaces of internal voids (A'), SiH groups at interfaces (B), and in the bulk (C). All of them are slightly exothermic with enthalpies below 50 meV/H atoms , indicating that, after dissociation of any SiH group, most dangling bonds recombine. The kinetics of the three low-temperature processes [with DSC peak temperatures at around 320 (A),360 (A'), and 430°C (B)] exhibit a kinetic-compensation effect characterized by a linea relationship between the activation entropy and enthalpy, which constitutes their signature. Their Si-H bond-dissociation energies have been determined to be E (Si-H)0=3.14 (A), 3.19 (A'), and 3.28 eV (B). In these cases it was possible to extract the formation energy E(DB) of the dangling bonds that recombine after Si-H bond breaking [0.97 (A), 1.05 (A'), and 1.12 (B)]. It is concluded that E(DB) increases with the degree of confinement and that E(DB)>1.10 eV for the isolated dangling bond in the bulk. After Si-H dissociation and for the low-temperature processes, hydrogen is transported in molecular form and a low relaxation of the silicon network is promoted. This is in contrast to the high-temperature process for which the diffusion of H in atomic form induces a substantial lattice relaxation that, for the conventional amorphous sample, releases energy of around 600 meV per H atom. It is argued that the density of sites in the Si network for H trapping diminishes during atomic diffusion