Estudio sobre la resistencia quimica de baldosas ceramicas no-esmaltadas para pavimentos industriales

The chemical resistance of ceramic tiles is the subject of the European Standard UNE-EN ISO 10545-13. In order to evaluate the effect of aqueous solutions of several chemicals agents on the aspect of the tile surface, this standard establishes a series of tests at room temperature followed by visual inspection. According to this standard the tiles of this study are classified as being of maximum resistance (UHA). However operating conditions can be more aggressive than those detailed in the standard. So, a systematic study has been undertaken. In the present work, the effect of aqueous solutions of several organic and inorganic acids on the tile surface is evaluated. Samples immersed in different solutions are subjected to the following conditions: T= 60º C; pH=2 and to agitation processes. Visual analysis, as well as optical microscopy and scanning electron microscopy (SEM) were performed in order to determine the possible variation of the superficial aspect of tiles. Moreover, atomic absorption spectrophotometry has been used in order to obtain quantitative information concerning the solubility of system M (III)-L (M= Fe; L= H2O or L= ligand). The results obtained show, in all cases, a progressive dissolution of iron oxide precipitates presents in the ceramic body

Efecto de la hidratación endovenosa con Hidroxietil almidón 6% (Voluven®) versus Ringer Lactato previa a la analgesia epidural en la incidencia de hipotensión durante el trabajo de parto

En pacientes gestantes durante trabajo de parto, la fluidoterapia endovenosa es fundamental en la prevención de la hipotensión tras la analgesia epidural y mantener el bienestar materno-fetal. El tipo de fluidoterapia administrada (coloides o cristaloides) puede influir en la incidencia y grado de dicha hipotensión. El objetivo de nuestro estudio fue evaluar la incidencia de hipotensión tras la administración de un coloide (Hidroxietil almidón 6%, 250 ml) o un cristaloide (Ringer Lactato 750 ml), evaluando también la posible repercusión fetal. Hasta la fecha hemos incluido 60 gestantes, mostrando una tendencia a una mejor hemodinámica en el grupo coloides

Efecto de la suplementación con ácidos grasos de cadena media sobre la evolución de peso en lechones con poco peso al nacimiento

La evolución de peso en los períodos de lactación y transición de 583 lechones fue estudiada mediante un análisis estadístico, evaluando el efecto de la suplementación con ácidos grasos de cadena media (AGCM) en lechones con poco peso al nacimiento. 188 de los 375 lechones que nacieron con un peso al nacimiento (PN) &1250 g recibieron 3mL de AGCM cada 24 h durante los primeros 3 días de vida; su peso medio al destete (día 28) fue inferior respecto al grupo control (lechones no suplementados) (-114,17 g). No obstante, 106 de los 180 lechones nacidos con un PN &1000 g fueron suplementados, y su peso medio al destete y a finales de transición (día 63) fue superior respecto al grupo control (destete: +315,16 g; día 63: +775,47 g). Finalmente, los lechones suplementados con PN&800 g tuvieron los peores resultados: su diferencia de peso medio al destete fue de -177,58 g respecto al grupo control. Por lo tanto, en esta prueba fueron estudiados los lechones con un PN entre 800 y 999 g porque el grupo suplementado al destete tuvo una diferencia de peso medio considerable respecto al grupo control:+511,58 g. Asimismo, considerando una probabilidad de error inferior a 0,05, no hubieron diferencias significativas en las diferentes categorías de PN analizadas. De todas maneras, es importante destacar el alto grado de significación en la suplementación con AGCM en lechones con PN entre 800 y 999g (P=0,059). Por otra parte, el PN del grupo suplementado con PN&1000 g fue inferior que el del grupo no suplementado con PN&1000 g; esta diferencia de PN fue significativa (P=0,004) y como consecuencia el grado de significación en la suplementación con AGCM en lechones con PN entre 800 y 999 g fue inferior al esperado. Además, en esta prueba se incluyeron algunos resultados generales y también un análisis simple de supervivencia, aunque no era el objetivo principal

Efecto de los usos del suelo en la emisión de dióxido de carbono del suelo a la atmósfera en un agroecosistema semiárido del Valle del Ebro

Los cambios en los usos del suelo han contribuido de manera importante al incremento de gases de efecto invernadero en la atmósfera, especialmente de dióxido de carbono, aumentando sus emisiones desde 1970 en un 80%. Estos cambios causan la alteración de los suelos provocando un impacto sobre el ciclo del carbono, aumentando las tasas de descomposición de la fracción orgánica creando así un flujo de CO2 a la atmosfera. Entre las recomendaciones del Panel Intergubernamental de expertos sobre el Cambio Climático (IPCC, en inglés), y contemplado en el Protocolo de Kyoto, se encuentra el proceso de secuestro de carbono en suelos, que implica la eliminación del CO2 atmosférico por parte de las plantas y su almacenamiento como materia orgánica del suelo. Para poder favorecer dicho proceso, en un determinado tipo de ecosistema, es fundamental conocer cuáles son los factores que gobiernan la respiración del suelo y el impacto que tienen los diferentes usos en la emisión de CO2. En el presente trabajo se han estudiado 4 usos del suelo representativos del secano aragonés: un monocultivo de cebada en siembra directa (NT), un suelo abandonado labrado (AC), un suelo abandonado no alterado (AU) y un suelo forestal (FR) con el objetivo de conocer sus tasas de respiración, la influencia de diferentes parámetros edáficos en ellas, y proponer cambios en el uso del suelo que ayuden a mitigar estas emisiones. Además, se ha dedicado un apartado para conocer cómo influyen diferentes técnicas de fertilización nitrogenada (mineral y orgánica) en la respiración de un monocultivo de cebada en siembra directa. En cuanto a los usos, los resultados obtenidos tanto in situ como en laboratorio muestran una mayor respiración en AC, siendo los valores más bajos los de NT y FR. Una de las principales conclusiones es que la supresión del laboreo y del periodo de barbecho largo, así como la conversión de tierras abandonadas y marginales a cultivos y zonas forestales se presentan en este tipo de ecosistemas como prácticas de secuestro de carbono. En el estudio de aplicación de fertilizantes, no se observó ningún cambio en la respiración del suelo después de la aplicación de nitrógeno mineral. En cambio, el suelo fertilizado con purín sí que mostró picos de emisión durante las siguientes horas a la incorporación de éste, debido fundamentalmente a su alto contenido de carbono lábil.

X-ray diffraction, thermal analysis, and Raman scattering study of K2BeF4 and comparation to other member of the (beta)-K2SO4 family with ferroelectric -paraelectric transition

Thermal analysis, powder diffraction, and Raman scattering as a function of the temperature were carried out on K2BeF4. Moreover, the crystal structure was determined at 293 K from powder diffraction. The compound shows a transition from Pna21 to Pnam space group at 921 K with a transition enthalpy of 5 kJ/mol. The transition is assumed to be first order because the compound shows metastability. Structurally and spectroscopically the transition is similar to those observed in (NH4)2SO4, which suggests that the low-temperature phase is ferroelectric. In order to confirm it, the spontaneous polarization has been computed using an ionic model.

Raman microprobe characterization of electrodeposited S-rich CuIn(S,Se)2 for photovoltaic applications: Microstructural analysis

This article reports a detailed Raman scattering and microstructural characterization of S-rich CuIn(S,Se)2 absorbers produced by electrodeposition of nanocrystalline CuInSe2 precursors and subsequent reactive annealing under sulfurizing conditions. Surface and in-depth resolved Raman microprobe measurements have been correlated with the analysis of the layers by optical and scanning electron microscopy, x-ray diffraction, and in-depth Auger electron spectroscopy. This has allowed corroboration of the high crystalline quality of the sulfurized layers. The sulfurizing conditions used also lead to the formation of a relatively thick MoS2 intermediate layer between the absorber and the Mo back contact. The analysis of the absorbers has also allowed identification of the presence of In-rich secondary phases, which are likely related to the coexistence in the electrodeposited precursors of ordered vacancy compound domains with the main chalcopyrite phase, in spite of the Cu-rich conditions used in the growth. This points out the higher complexity of the electrodeposition and sulfurization processes in relation to those based in vacuum deposition techniques.

Estudio de la reaccion de sulfurizacion de precursores Cu/In para la formacion de capas delgadas policristalinas de CuInS2 para celulas solares

En este trabajo se presenta un estudio detallado de los procesos implicados en la sulfurización de capas metálicas de Cu-In para la fabricación de células solares de CuInS2. Con este objeto, se ha desarrollado un experimento de sulfurización parcial de las capas, que han sido sometidas posteriormente a un tratamiento de selenización. El estudio de estas estructuras mediante Espectroscopía Raman y Espectroscopía de Electrones Auger (AES) ha permitido conocer algunos de los detalles de la reacción química, en concreto la identificación del frente de crecimiento de la reacción de sulfurización. Paralelamente, se ha desarrollado un sistema experimental que ha hecho posible investigar in-situ la reacción de sulfurización por Espectroscopía Raman, lo cual ha permitido un seguimiento preciso de la evolución estructural del material durante el proceso. Los resultados experimentales demuestran que la reacción de sulfurización se inicia en la superficie de la capa, dando lugar a la formación de CuInS2, coexistiendo dos estructuras cristalinas polimórficas (calcopirita y orden catiónico CuAu). Posteriormente la reacción química continúa asistida por la difusión de los metales hacia la superficie, que reaccionan con la atmósfera de azufre, de forma simultánea se produce una transformación de la fase CuAu del compuesto en la estructura calcopirita.

Micro-Raman study of stress distribution in local isolation structures and correlation with transmission electron microscopy

Stress in local isolation structures is studied by micro‐Raman spectroscopy. The results are correlated with predictions of an analytical model for the stress distribution and with cross‐sectional transmission electron microscopy observations. The measurements are performed on structures on which the Si3N4 oxidation mask is still present. The influence of the pitch of the periodic local isolation pattern, consisting of parallel lines, the thickness of the mask, and the length of the bird"s beak on the stress distribution are studied. It is found that compressive stress is present in the Si substrate under the center of the oxidation mask lines, with a magnitude dependent on the width of the lines. Large tensile stress is concentrated under the bird"s beak and is found to increase with decreasing length of the bird"s beak and with increasing thickness of the Si3N4 film.

Raman scattering and photoluminescence analysis of silicon on insulator structures obtained by single and multiple oxygen implants

An analysis of silicon on insulator structures obtained by single and multiple implants by means of Raman scattering and photoluminescence spectroscopy is reported. The Raman spectra obtained with different excitation powers and wavelengths indicate the presence of a tensile strain in the top silicon layer of the structures. The comparison between the spectra measured in both kinds of samples points out the existence in the multiple implant material of a lower strain for a penetration depth about 300 nm and a higher strain for higher penetration depths. These results have been correlated with transmission electron microscopy observations, which have allowed to associate the higher strain to the presence of SiO2 precipitates in the top silicon layer, close to the buried oxide. The found lower strain is in agreement with the better quality expected for this material, which is corroborated by the photoluminescence data.

Measurement and simulation of anisotropy in the Infrared and Raman spectra of beta-FeSi2 single crystals

In this paper we show that the orthorhombic phase of FeSi2 (stable at room temperature) displays a sizable anisotropy in the infrared spectra, with minor effects in the Raman data too. This fact is not trivial at all, since the crystal structure corresponds to a moderate distortion of the fluorite symmetry. Our analysis is carried out on small single crystals grown by flux transport, through polarization-resolved far-infrared reflectivity and Raman measurements. Their interpretation has been obtained by means of the simulated spectra with tight-binding molecular dynamics.

Raman scattering of InSb quantum dots grown on InP substrates

In this paper we present the Raman scattering of self-assembled InSb dots grown on (001) oriented InP substrates. The samples were grown by pulsed molecular beam epitaxy mode. Two types of samples have been investigated. In one type the InSb dots were capped with 200 monolayers of InP; in the other type no capping was deposited after the InSb dot formation. We observe two peaks in the Raman spectra of the uncapped dot, while only one peak is observed in the Raman spectra of the capped dots. In the case of the uncapped dots the peaks are attributed to LO-like and TO-like vibration of completely relaxed InSb dots, in agreement with high resolution transmission electron microscopy photographs. The Raman spectra of the capped dot suggest a different strain state in the dot due to the capping layer.

Raman microstructural analysis of silicon-on-insulator formed by high dose oxygen ion implantation: As-implanted structures

A microstructural analysis of silicon-on-insulator samples obtained by high dose oxygen ion implantation was performed by Raman scattering. The samples analyzed were obtained under different conditions thus leading to different concentrations of defects in the top Si layer. The samples were implanted with the surface covered with SiO2 capping layers of different thicknesses. The spectra measured from the as-implanted samples were fitted to a correlation length model taking into account the possible presence of stress effects in the spectra. This allowed quantification of both disorder effects, which are determined by structural defects, and residual stress in the top Si layer before annealing. These data were correlated to the density of dislocations remaining in the layer after annealing. The analysis performed corroborates the existence of two mechanisms that generate defects in the top Si layer that are related to surface conditions during implantation and the proximity of the top Si/buried oxide layer interface to the surface before annealing.