Effects of the epitaxial layer thickness on the noise properties of Schottky barrier diodes

An analytical theory to describe the combined effects of the epitaxial layer thickness and the ohmic contact on the noise properties of Schottky barrier diodes is presented. The theory, which provides information on both the local and the global noise properties, takes into account the finite size of the epitaxial layer and the effects of the back ohmic contact, and applies to the whole range of applied bias. It is shown that by scaling down the epitaxial layer thickness, the current regime in which the noise temperature displays a shot-noise-like behavior increases at the cost of reducing the current range in which the thermal-noise-like behavior dominates. This improvement in noise temperature is limited by the effects of the ohmic contact, which appear for large currents. The theory is formulated on general trends, allowing its application to the noise analysis of other semiconductor devices operating under strongly inhomogeneous distributions of the electric field and charge concentrations.

Effects of the epitaxial layer thickness on the noise properties of Schottky barrier diodes

An analytical theory to describe the combined effects of the epitaxial layer thickness and the ohmic contact on the noise properties of Schottky barrier diodes is presented. The theory, which provides information on both the local and the global noise properties, takes into account the finite size of the epitaxial layer and the effects of the back ohmic contact, and applies to the whole range of applied bias. It is shown that by scaling down the epitaxial layer thickness, the current regime in which the noise temperature displays a shot-noise-like behavior increases at the cost of reducing the current range in which the thermal-noise-like behavior dominates. This improvement in noise temperature is limited by the effects of the ohmic contact, which appear for large currents. The theory is formulated on general trends, allowing its application to the noise analysis of other semiconductor devices operating under strongly inhomogeneous distributions of the electric field and charge concentrations.

Factors affecting foster care breakdown in Spain

La ruptura del acogimiento familiar se ha definido como aquella situación en la que alguna de las partes implicadas causa una terminación de la intervención antes de haber alcanzado los objetivos establecidos en el plan de caso. Este trabajo presenta un estudio llevado a cabo en una muestra española de 318 casos cerrados de niños que fueron acogidos en familia ajena y extensa. Los datos se obtuvieron a través de la revisión exhaustiva de los expedientes de protección y acogimiento, complementada conentrevistas a los técnicos encargados de cada caso. La tasa de ruptura del conjunto de la muestra fue de 26,1%, si bien fuesignificativamente diferente en familia extensa (19,7%) que en familia ajena (31,2%). Los resultados de este estudio indican que las variables relacionadas con la ruptura dependen de la modalidad del acogimiento, en familia ajena o extensa. En el primer caso destacamos las variables relacionadas con las características del niño, especialmente los problemas de conducta y escolares, con especial relevancia en el grupo de 9-12 años, y el haber estado en acogimiento residencial previamente. En cambio, en extensaresulta más importante la problemática en los padres (prisión, salud mental) y el tener una medida de tutela. También el hecho de que se realice el acogimiento tras pasar por hogares de acogida resulta trascendental. Finalmente, la disponibilidad de recursos económicos e incluso los estudios de los acogedores parecen ser variables relacionadas con la ruptura de la acogida