Hormigones preparados con distintos agregados reciclados: Estudio experimental y modelación computacional para los estados fresco y endurecido

El planteo general de este Proyecto de Investigación Trianual incluye el estudio sistemático y actualizado de los procedimientos técnicos y de los métodos experimentales adecuados para la garantía de calidad de los Agregados Reciclados obtenidos de hormigones demolidos, a utilizar en estructuras de cualquier tipo, en general y en pavimentos de autopistas, aeropuertos, carreteras y calles, en particular; por medio de la aplicación de las Especificaciones respectivas a redactar y proponer para su inclusión en las Normas IRAM y en los Reglamentos CIRSOC. (...) El Plan de Trabajo Trianual que se detalla en las páginas siguientes que forman parte de esta Solicitud de Subsidio incluye sintéticamente los siguientes temas: 1995: Caracterización de Hormigones Frescos con Agregados Reciclados. Estudio de la consistencia; Reología del hormigón fresco; Estudio de la trabajabilidad; Análisis de tipo: estático y dinámico; Estudio de la segregación; Estudio de la exudación; Influencia de los aditivos; Redacción de normas y especificaciones. 1996: Caracterización de Hormigones Endurecidos con Agregados Reciclados. Estudio de la microfisuración; Rotura y nivel de solicitación de los hormigones endurecidos; Adherencia entre los agregados reciclados y el mortero de cemento; Determinación experimental de las fisuras por el método ultrasónico y otros; Teoría del daño aplicada a hormigones con agregados reciclados; Análisis de los estados de fisuramiento en compresión y en flexión; Redacción de normas y especificaciones. 1997: Mecánica de la Fractura en Hormigones con Agregados Reciclados. Análisis de los parámetros de fractura en los hormigones; Estudio de la mecánica de la fractura y de la microfisuración; modelación de las fracturas en los hormigones por el método de elementos finitos; Análisis experimental para caracterizar la propagación de fisuras; Fisuramientos por efectos térmicos; Análisis de la fractura en la unión de hormigón nuevo con viejo; Redacción de normas y especificaciones.

Errores en sistemas de procesamiento de datos debido a eventos transitorios en interfaces analógicas: aportes a la mitigación de los mismos. Errors in data processing systems due to single transient events affecting analog interfaces: contributions to their mitigation.

Los eventos transitorios únicos analógicos (ASET, Analog Single Event Transient) se producen debido a la interacción de un ión pesado o un protón de alta energía con un dispositivo sensible de un circuito analógico. La interacción del ión con un transistor bipolar o de efecto de campo MOS induce pares electrón-hueco que provocan picos que pueden propagarse a la salida del componente analógico provocando transitorios que pueden inducir fallas en el nivel sistema. Los problemas más graves debido a este tipo de fenómeno se dan en el medioambiente espacial, muy rico en iones pesados. Casos típicos los constituyen las computadoras de a bordo de satélites y otros artefactos espaciales. Sin embargo, y debido a la continua contracción de dimensiones de los transistores (que trae aparejado un aumento de sensibilidad), este fenómeno ha comenzado a observarse a nivel del mar, provocado fundamentalmente por el impacto de neutrones atmosféricos. Estos efectos pueden provocar severos problemas a los sistemas informáticos con interfaces analógicas desde las que obtienen datos para el procesamiento y se han convertido en uno de los problemas más graves a los que tienen que hacer frente los diseñadores de sistemas de alta escala de integración. Casos típicos son los Sistemas en Chip que incluyen módulos de procesamiento de altas prestaciones como las interfaces analógicas.El proyecto persigue como objetivo general estudiar la susceptibilidad de sistemas informáticos a ASETs en sus secciones analógicas, proponiendo estrategias para la mitigación de los errores.Como objetivos específicos se pretende: -Proponer nuevos modelos de ASETs basados en simulaciones en el nivel dispositivo y resueltas por el método de elementos finitos.-Utilizar los modelos para identificar las secciones más propensas a producir errores y consecuentemente para ser candidatos a la aplicación de técnicas de endurecimiento a radiaciones.-Utilizar estos modelos para estudiar la naturaleza de los errores producidos en sistemas de procesamiento de datos.-Proponer soluciones novedosas para la mitigación de estos efectos en los mismos circuitos analógicos evitando su propagación a las secciones digitales.-Proponer soluciones para la mitigación de los efectos en el nivel sistema.Para llevar a cabo el proyecto se plantea un procedimiento ascendente para las investigaciones a realizar, comenzando por descripciones en el nivel físico para posteriormente aumentar el nivel de abstracción en el que se encuentra modelado el circuito. Se propone el modelado físico de los dispositivos MOS y su resolución mediante el Método de Elementos Finitos. La inyección de cargas en las zonas sensibles de los modelos permitirá determinar los perfiles de los pulsos de corriente que deben inyectarse en el nivel circuito para emular estos efectos. Estos procedimientos se realizarán para los distintos bloques constructivos de las interfaces analógicas, proponiendo estrategias de mitigación de errores en diferentes niveles.Los resultados esperados del presente proyecto incluyen hardware para detección de errores y tolerancia a este tipo de eventos que permitan aumentar la confiabilidad de sistemas de tratamiento de la información, así como también nuevos datos referentes a efectos de la radiación en semiconductores, nuevos modelos de fallas transitorias que permitan una simulación de estos eventos en el nivel circuito y la determinación de zonas sensibles de interfaces analógicas típicas que deben ser endurecidas para radiación.