3 resultados para Eventos extremos de precipitação

em Cor-Ciencia - Acuerdo de Bibliotecas Universitarias de Córdoba (ABUC), Argentina


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El mayor suministro de agua potable de la Ciudad de Córdoba y el Gran Córdoba proviene del Embalse San Roque. Su cuenca es la segunda región turística más importante de la Argentina y la principal de la provincia. El lago es utilizado como fuente de agua para consumo y recreación y como componente básico para la sustentabilidad económica de toda la región, por lo que resulta fundamental la adecuada administración de la cuenca por parte de la Gestión de Gobierno. En la última década, la presencia permanente de algas y la ocurrencia de eventos extremos de crecimiento han siendo percibidos de manera preocupante por los pobladores de las ciudades aledañas y los visitantes de la región. Recientemente han afectado el tratamiento de potabilidad destinada a la ciudad de Córdoba resultando una distribución de agua de mala calidad con olores y sabores desagradables. Asimismo el problema de algas y macrófitas ocurrido en la fuente natural a pocos días de iniciarse la Semana Santa en marzo de 2010, debió ser contrarrestado mediante la implementación de actividades de saneamiento consistente en la limpieza y extracción mecánica de la biomasa en sitios del río San Antonio y su desembocadura, el área del perilago más poblado. Ante los inminentes síntomas de eutrofización avanzada, se conformó el Grupo de investigación Interdisciplinario e Interinstitucional donde participan el Instituto Nacional del Agua, el grupo de investigación Biodiscos y el Laboratorio Central, División Agua y Efluentes de la Facultad de Ciencias Químicas - UCC; la Compañía de Ingenieros Paracaidistas IV y Batallón de Inteligencia de la Segunda División de Ejército - Ejército Argentino; la Facultad de Biología y el Instituto de Virología Vanella - UNC y la Secretaría de Ambiente de la Provincia de Córdoba, entre otras. El objetivo general es la realización de los estudios integrales del lago San Roque para diagnosticar su estado, con el fin de proponer a la Gestión de Gobierno las medidas de mitigación de los problemas y las correspondientes acciones de prevención y control.

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Con el devenir de los siglos, la mención de inundación adquirió una connotación negativa; ya no se la asocia con el efecto benéfico que le atribuían los antiguos egipcios, o sea, con el concepto de recurso, sino con los eventuales perjuicios que produciría en márgenes densamente pobladas, es decir, con el concepto de riesgo. En si una predicción no especifica cuándo se producirá un suceso hipotético crítico, sino, cual será la magnitud de este dada su duración y probabilidad. Por lo tanto, se asume que sucederá en algún momento de un período plurianual, vinculado con la planificación del área potencialmente afectable, lo cual torna improcedente asignarle fecha y hora. Esto la diferencia de un pronóstico, que anticipa el monto y el tiempo de ocurrencia, con el objeto de informar acerca del acontecimiento o inminencia de un fenómeno peligroso real durante una emergencia hídrica. La presente propuesta tiene como objetivo principal abordar el génesis de los eventos hidrológicos extremos, mediante la formación de recursos humanos propios, quienes se verán fortalecidos gracias a la colaboración de equipos técnicos especializados ajenos a nuestra institución académica, siendo estos equipos pioneros en abordar la problemática planteada. A su vez, se pretende generar una importante base de datos hidrológicos, la cual será empleada para validar y generalizar técnicas predictivas, brindando herramientas técnicas de validez y robustez comprobada, a todos aquellos entes responsables Vulnerabilidad del sistemade la planificación del uso del suelo, la gestión integrada del recurso hídrico, la defensa civil y la salud pública entre otros.

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Los eventos transitorios únicos analógicos (ASET, Analog Single Event Transient) se producen debido a la interacción de un ión pesado o un protón de alta energía con un dispositivo sensible de un circuito analógico. La interacción del ión con un transistor bipolar o de efecto de campo MOS induce pares electrón-hueco que provocan picos que pueden propagarse a la salida del componente analógico provocando transitorios que pueden inducir fallas en el nivel sistema. Los problemas más graves debido a este tipo de fenómeno se dan en el medioambiente espacial, muy rico en iones pesados. Casos típicos los constituyen las computadoras de a bordo de satélites y otros artefactos espaciales. Sin embargo, y debido a la continua contracción de dimensiones de los transistores (que trae aparejado un aumento de sensibilidad), este fenómeno ha comenzado a observarse a nivel del mar, provocado fundamentalmente por el impacto de neutrones atmosféricos. Estos efectos pueden provocar severos problemas a los sistemas informáticos con interfaces analógicas desde las que obtienen datos para el procesamiento y se han convertido en uno de los problemas más graves a los que tienen que hacer frente los diseñadores de sistemas de alta escala de integración. Casos típicos son los Sistemas en Chip que incluyen módulos de procesamiento de altas prestaciones como las interfaces analógicas.El proyecto persigue como objetivo general estudiar la susceptibilidad de sistemas informáticos a ASETs en sus secciones analógicas, proponiendo estrategias para la mitigación de los errores.Como objetivos específicos se pretende: -Proponer nuevos modelos de ASETs basados en simulaciones en el nivel dispositivo y resueltas por el método de elementos finitos.-Utilizar los modelos para identificar las secciones más propensas a producir errores y consecuentemente para ser candidatos a la aplicación de técnicas de endurecimiento a radiaciones.-Utilizar estos modelos para estudiar la naturaleza de los errores producidos en sistemas de procesamiento de datos.-Proponer soluciones novedosas para la mitigación de estos efectos en los mismos circuitos analógicos evitando su propagación a las secciones digitales.-Proponer soluciones para la mitigación de los efectos en el nivel sistema.Para llevar a cabo el proyecto se plantea un procedimiento ascendente para las investigaciones a realizar, comenzando por descripciones en el nivel físico para posteriormente aumentar el nivel de abstracción en el que se encuentra modelado el circuito. Se propone el modelado físico de los dispositivos MOS y su resolución mediante el Método de Elementos Finitos. La inyección de cargas en las zonas sensibles de los modelos permitirá determinar los perfiles de los pulsos de corriente que deben inyectarse en el nivel circuito para emular estos efectos. Estos procedimientos se realizarán para los distintos bloques constructivos de las interfaces analógicas, proponiendo estrategias de mitigación de errores en diferentes niveles.Los resultados esperados del presente proyecto incluyen hardware para detección de errores y tolerancia a este tipo de eventos que permitan aumentar la confiabilidad de sistemas de tratamiento de la información, así como también nuevos datos referentes a efectos de la radiación en semiconductores, nuevos modelos de fallas transitorias que permitan una simulación de estos eventos en el nivel circuito y la determinación de zonas sensibles de interfaces analógicas típicas que deben ser endurecidas para radiación.