Traduzir Teatro no Estado Novo: Gata em Telhado de Zinco Quente (1959), tradução de Sérgio Guimarães, do original Cat on a Hot Tin Roof (1955), de Tennessee Williams

À luz da viragem cultural dos Estudos de Tradução ocorrida nos anos 80 e tendo em conta a interdisciplinaridade abordada nos campos literário, cultural e histórico pela Manipulation School (Lefevere, Bassnett, Lambert, Hermans e Toury), na esteira de Itamar Even-Zohar com a Teoria dos Polissistemas (1979), a presente dissertação pretende analisar a tradução portuguesa da peça Cat on a Hot Tin Roof (1955), da autoria de Tennessee Williams, intitulada Gata em Telhado de Zinco Quente (1959), de Sérgio Guimarães. Este pode ser um caso representativo de como a tradução para teatro actua na cultura receptora numa perspectiva diatópica, antevendo a dimensão intercultural da tradução para o palco. É ao tradutor que cabe a tarefa de transferir a peça de um sistema linguístico e cultural para outro, conhecendo, se possível, o grau de representabilidade da mesma e o contexto cultural de chegada. Deste modo, é evidenciada a competência artístico-criativa do tradutor teatral que trabalha com o intuito de manter, fidus interpres, as intenções do autor da obra original. No período em que Cat on a Hot Tin Roof foi escrita, ensombrado pelo controlo sociopolítico do Macartismo nos E.U.A. e o contexto em que a tradução foi concretizada, sob a vigência da Ditadura de Salazar, a (auto)censura desempenha um papel fundamental ao moldar a produção literária nos dois sistemas culturais. Numa época em que, mais do que nos dias de hoje, traduzir consistia numa actividade subserviente e secundária, Vasco Morgado, detentor do monopólio de teatros em Lisboa encomendou a Sérgio Guimarães a tradução de uma peça de Tennessee Williams. Com base na teoria desenvolvida por Lawrence Venuti em The Translator’s Invisibility (1995), não é despiciente problematizar, neste estudo de caso, a invisibilidade do tradutor/mediador entre o texto e a representação, abordando simultaneamente as estratégias então necessárias para a peça ser aprovada e posta em cena.

Al-doped ZnO ceramic sputtering targets based on nanocrystalline powders produced by emulsion detonation synthesis – deposition and application as a transparent conductive oxide material

Transparent conducting oxides (TCOs) have been largely used in the optoelectronic industry due to their singular combination of low electrical resistivity and high optical transmittance. They are usually deposited by magnetron sputtering systems being applied in several devices, specifically thin film solar cells (TFSCs). Sputtering targets are crucial components of the sputtering process, with many of the sputtered films properties dependent on the targets characteristics. The present thesis focuses on the development of high quality conductive Al-doped ZnO (AZO) ceramic sputtering targets based on nanostructured powders produced by emulsion detonation synthesis method (EDSM), and their application as a TCO. In this sense, the influence of several processing parameters was investigated from the targets raw-materials synthesis to the application of sputtered films in optoelectronic devices. The optimized manufactured AZO targets present a final density above 99 % with controlled grain size, an homogeneous microstructure with a well dispersed ZnAl2O4 spinel phase, and electrical resistivities of ~4 × 10-4 Ωcm independently on the Al-doping level among 0.5 and 2.0 wt. % Al2O3. Sintering conditions proved to have a great influence on the properties of the targets and their performance as a sputtering target. It was demonstrated that both deposition process and final properties of the films are related with the targets characteristics, which in turn depends on the initial powder properties. In parallel, the influence of several deposition parameters in the film´s properties sputtered from these targets was investigated. The sputtered AZO TCOs showed electrical properties at room temperature that are superior to simple oxides and comparable to a reference TCO – indium tin oxide (ITO), namely low electrical resistivity of 5.45 × 10-4 Ωcm, high carrier mobility (29.4 cm2V-1s-1), and high charge carrier concentration (3.97 × 1020 cm-3), and also average transmittance in the visible region > 80 %. These superior properties allowed their successful application in different optoelectronic devices.