Estudo das forças electrodinâmicas desenvolvidas em limitadores de corrente supercondutores

A crescente dependência da energia eléctrica tem proporcionado o desenvolvimento do actual sistema energético, garantindo a continuação da produção e distribuição da electricidade, mantendo sempre um adequado balanço na relação qualidade/preço. Este sistema encontra-se explorando novas fontes de energias, de caracter renováveis, elevando assim a complexidade da rede energética e a probabilidade de ocorrerem falhas devido a correntes de curto-circuito (CC). Como alternativas para resolver ou prevenir os problemas que advêm das correntes de CC, encontram-se disponíveis dispositivos frequentemente utilizados na limitação das correntes na rede, mas que têm custos importantes associados à substituição e/ou manutenção dos equipamentos. Novas tecnologias que utilizam supercondutividade como principal componente, têm apresentado desempenhos satisfatórios, nomeadamente os limitadores de corrente supercondutores, os quais têm como característica particular, serem invisíveis à rede em funcionamento normal e apresentar elevada impedância em situação de falha, assim como menores tempos de recuperação. De forma a contribuir para a optimização destes limitadores, é importante identificar e caracterizar os esforços mecânicos aos quais se encontram sujeitos em situações de falha, nomeadamente os seus enrolamentos. Neste trabalho de dissertação, estudam-se e simulam-se os principais esforços electrodinâmicos em transformadores e, principalmente, nos enrolamentos de alguns limitadores de corrente supercondutores.

Anne Blonstein : poesia como tradução?

Esta dissertação pretende dar a conhecer o trabalho de uma poeta, Anne Blonstein (1958-2011), que se move num “inbetween space” muito próximo ao do tradutor. No primeiro capítulo, damos a conhecer a autora e algumas das suas obras, fazendo um apanhado da sua actual recepção enquanto poeta. No segundo capítulo, olhamos para Anne Blonstein ‘ao microscópio’, apresentando uma leitura radial de um poema seu, so die Bindung ihrer Seele, seguida de uma versão em português analisada segundo o modelo hermenêutico de Venuti (2013). Depois de tecermos algumas considerações sobre o modelo desse autor, que também adoptamos para defender a escrita de Anne Blonstein como tradução, passamos ao terceiro capítulo, em que avançamos com uma reflexão final sobre se e como a poesia de Anne Blonstein poderá ser considerada uma forma de tradução. O trabalho termina com o “Início de uma experimentação” sobre so die Bindung ihrer Seele numa tradução não à letra nem pelo sentido mas letra-a-letra.

Field-effect transistors based on Zinc oxide nanoparticles

This work reports the development of field-effect transistors (FETs), whose channel is based on zinc oxide (ZnO) nanoparticles (NPs). Using screen-printing as the primary deposition technique, different inks were developed, where the semiconducting ink is based on a ZnO NPs dispersion in ethyl cellulose (EC). These inks were used to print electrolyte-gated transistors (EGTs) in a staggered-top gate structure on glass substrates, using a lithium-based polymeric electrolyte. In another approach, FETs with a staggered-bottom gate structure on paper were developed using a sol-gel method to functionalize the paper’s surface with ZnO NPs, using zinc acetate dihydrate (ZnC4H6O4·2H2O) and sodium hydroxide (NaOH) as precursors. In this case, the paper itself was used as dielectric. The various layers of the two devices were characterized using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), Fourier Transform Infrared spectroscopy (FTIR), thermogravimetric and differential scanning calorimetric analyses (TG-DSC). Electrochemical impedance spectroscopy (EIS) was used in order to evaluate the electric double-layer (EDL) formation, in the case of the EGTs. The ZnO NPs EGTs present electrical modulation for annealing temperatures equal or superior to 300 ºC and in terms of electrical properties they showed On/Off ratios in the order of 103, saturation mobilities (μSat) of 1.49x10-1 cm2(Vs)-1 and transconductance (gm) of 10-5 S. On the other hand, the ZnO NPs FETs on paper exhibited On/Off ratios in the order of 102, μSat of 4.83x10- 3 cm2(Vs)-1and gm around 10-8 S.

Wideband CMOS low noise amplifiers

Modern fully integrated receiver architectures, require inductorless circuits to achieve their potential low area, low cost, and low power. The low noise amplifier (LNA), which is a key block in such receivers, is investigated in this thesis. LNAs can be either narrowband or wideband. Narrowband LNAs use inductors and have very low noise figure, but they occupy a large area and require a technology with RF options to obtain inductors with high Q. Recently, wideband LNAs with noise and distortion cancelling, with passive loads have been proposed, which can have low NF, but have high power consumption. In this thesis the main goal is to obtain a very low area, low power, and low-cost wideband LNA. First, it is investigated a balun LNA with noise and distortion cancelling with active loads to boost the gain and reduce the noise figure (NF). The circuit is based on a conventional balun LNA with noise and distortion cancellation, using the combination of a common-gate (CG) stage and common-source (CS) stage. Simulation and measurements results, with a 130 nm CMOS technology, show that the gain is enhanced by about 3 dB and the NF is reduced by at least 0.5 dB, with a negligible impact on the circuit linearity (IIP3 is about 0 dBm). The total power dissipation is only 4.8 mW, and the active area is less than 50 x 50 m2 . It is also investigated a balun LNA in which the gain is boosted by using a double feedback structure.We propose to replace the load resistors by active loads, which can be used to implement local feedback loops (in the CG and CS stages). This will boost the gain and reduce the noise figure (NF). Simulation results, with the same 130 nm CMOS technology as above, show that the gain is 24 dB and NF is less than 2.7 dB. The total power dissipation is only 5.4 mW (since no extra blocks are required), leading to a figure-of-merit (FoM) of 3.8 mW

Development of paper transistor with memory effect

This work will discuss the use of different paper membranes as both the substrate and dielectric for field-effect memory transistors. Three different nanofibrillated cellulose membranes (NFC) were used as the dielectric layer of the memory transistors (NFC), one with no additives, one with an added polymer PAE and one with added HCl. Gallium indium zinc oxide (GIZO) was used as the device’s semiconductor and gallium aluminium zinc oxide (GAZO) was used as the gate electrode. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) was used to access the water content of the paper membranes before and after vacuum. It was found that the devices recovered their water too quickly for a difference to be noticeable in FTIR. The transistor’s electrical performance tests yielded a maximum ION/IOFF ratio of around 3,52x105 and a maximum subthreshold swing of 0,804 V/decade. The retention time of the dielectric charge that grants the transistor its memory capabilities was accessed by the measurement of the drain current periodically during 144 days. During this period the mean drain current did not lower, leaving the retention time of the device indeterminate. These results were compared with similar devices revealing these devices to be at the top tier of the state-of-the-art.

Análise do ciclo de vida do cimento. Caso de estudo: fábrica da Secil-Outão

O cimento é o material de construção mais utilizado na edificação de estruturas. A sua produção compreende um consumo material e energético muito significativo que se traduz numa contribuição igualmente relevante para a deterioração do ambiente. A presente dissertação consistiu na aplicação da abordagem de ciclo de vida ao processo de produção de dois tipos de cimento – CEM I 42,5 e CEM II 32,5 – com a finalidade de calcular o impacte ambiental de cada um e comprovar o desempenho ambiental superior do segundo. A análise do ciclo de vida foi desenvolvida de acordo com uma abordagem cradle-to-gate, segundo os requisitos das normas ISO 14040 e 14044 e da Norma Europeia 15804/2012. Os dados utilizados são específicos do processo de produção de cimento na fábrica de cimento Secil-Outão. Os resultados dos inventários do ciclo de vida demonstraram que, decorrente da utilização de uma maior quantidade de clínquer no seu fabrico, o CEM I 42,5 exige um maior consumo de matérias-primas naturais e de energia, tanto elétrica como térmica. O CEM II 32,5 apresenta consumos materiais e energéticos inferiores ao cimento do tipo I, devido a uma taxa de incorporação de clínquer mais baixa, mas compreende um consumo de matérias-primas secundárias mais alto. Em relação aos fluxos de saída, o CEM I 42,5 é responsável por níveis de emissão de CO2, PM10 e outros poluentes superiores aos do CEM II 32,5, em consequência do consumo elevado de combustíveis. A produção do cimento do tipo I é responsável por uma maior contribuição para a ecotoxicidade de sistemas marinhos e terrestres e para a deterioração da saúde pública, através da emissão de metais pesados, e para o agravamento das alterações climáticas, devido às emissões de CO2. A produção do cimento do tipo II apresenta um menor impacte ambiental e, por isso, um desempenho ambiental superior.