22 resultados para high-speed image sensor


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Large area n-i-p-n-i-p a-SiC:H heterostructures are used as sensing element in a double colour laser scanned photodiode image sensor (D/CLSP). This work aims to clarify possible improvements, physical limits and performance of CLSP image sensor when used as non-pixel image reader. Here, the image capture device and the scanning reader are optimized and the effects of the sensor structure on the output characteristics discussed. The role of the design of the sensing element, the doped layer composition and thickness, the read-out parameters (applied voltage and scanner frequency) on the image acquisition and the colour detection process are analysed. A physical model is presented and supported by a numerical simulation of the output characteristics of the sensor.

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Large area n-i-p-n-i-p a-SiC:H heterostructures are used as sensing element in a Double Color Laser Scanned Photodiode image sensor (D/CLSP). This work aims to clarify possible improvements, physical limits and performance of CLSP image sensor when used as non-pixel image reader. Here, the image capture device and the scanning reader are optimized and the effects of the sensor structure on the output characteristics discussed. The role of the design of the sensing element, the doped layer composition and thickness, the read-out parameters (applied voltage and scanner frequency) on the image acquisition and the color detection process are analyzed. A physical model is presented and supported by a numerical simulation of the output characteristics of the sensor.

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ZnO:Al/p (SiC:H)/i (Si:H)/n (SiC:H) large area image and colour sensor are analysed. Carrier transport and collection efficiency are investigated from dark and illuminated current-voltage (I-V) dependence and spectral response measurements under different optical and electrical bias conditions. Results show that the carrier collection depends on the optical bias and on the applied voltage. By changing the electrical bias around the open circuit voltage it is possible to filter the absorption at a given wavelength and so to tune the spectral sensitivity of the device. Transport and optical modelling give insight into the internal physical process and explain the bias control of the spectral response and the image and colour sensing properties of the devices.

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O presente trabalho consiste na implementação em hardware de unidades funcionais dedicadas e optimizadas, para a realização das operações de codificação e descodificação, definidas na norma de codificação com perda Joint Photographic Experts Group (JPEG), ITU-T T.81 ISO/IEC 10918-1. Realiza-se um estudo sobre esta norma de forma a caracterizar os seus principais blocos funcionais. A finalidade deste estudo foca-se na pesquisa e na proposta de optimizações, de forma a minimizar o hardware necessário para a realização de cada bloco, de modo a que o sistema realizado obtenha taxas de compressão elevadas, minimizando a distorção obtida. A redução de hardware de cada sistema, codificador e descodificador, é conseguida à custa da manipulação das equações dos blocos Forward Discrete Cosine Transform (FDCT) e Quantificação (Q) e dos blocos Forward Discrete Cosine Transform (IDCT) e Quantificação Inversa (IQ). Com as conclusões retiradas do estudo e através da análise de estruturas conhecidas, descreveu-se cada bloco em Very-High-Speed Integrated Circuits (VHSIC) Hardware Description Language (VHDL) e fez-se a sua síntese em Field Programmable Gate Array (FPGA). Cada sistema implementado recorre à execução de cada bloco em paralelo de forma a optimizar a codificação/descodificação. Assim, para o sistema codificador, será realizada a operação da FDCT e Quantificação sobre duas matrizes diferentes e em simultâneo. O mesmo sucede para o sistema descodificador, composto pelos blocos Quantificação Inversa e IDCT. A validação de cada bloco sintetizado é executada com recurso a vectores de teste obtidos através do estudo efectuado. Após a integração de cada bloco, verificou-se que, para imagens greyscale de referência com resolução de 256 linhas por 256 colunas, é necessário 820,5 μs para a codificação de uma imagem e 830,5 μs para a descodificação da mesma. Considerando uma frequência de trabalho de 100 MHz, processam-se aproximadamente 1200 imagens por segundo.

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Amorphous Si/SiC photodiodes working as photo-sensing or wavelength sensitive devices have been widely studied. In this paper single and stacked a-SiC:H p-i-n devices, in different geometries and configurations, are reviewed. Several readout techniques, depending on the desired applications (image sensor, color sensor, wavelength division multiplexer/demultiplexer device) are proposed. Physical models are presented and supported by electrical and numerical simulations of the output characteristics of the sensors.

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The current capabilities of mobile phones in terms of communication, processing and storage, enables its use to form autonomous networks of devices that can be used in case of collapse or inexistent support from a communication infrastructure. In this paper, we propose a network configuration of nodes that provides high-speed bidirectional device-to-device communication, with symmetrical data transfer rates, in Wi-Fi Direct multi-group scenarios, without using performance hindering broadcasts. Copyright © 2015 ICST.