Contramedidas en la suplantación de autoridades de certificación. Certificate pinning

La importancia de asegurar la comunicación entre personas ha crecido a medida que se ha avanzado en la sofisticación y el alcance de los mecanismos provistos para ello. Ahora, en la era digital, el alcance de estas comunicaciones es global y surge la necesidad de confiar en infraestructuras que suplan la imposibilidad de identificar a ambos extremos de la comunicación. Es la infraestructura de autoridades de certificación y la gestión correcta de certificados digitales la que ha facilitado una aproximación más eficiente para cubrir esta demanda. Existen, sin embargo, algunos aspectos de esta infraestructura o de la implementación de algunos de sus mecanismos que pueden ser aprovechados para vulnerar la seguridad que su uso debe garantizar. La presente investigación profundiza en alguno de estos aspectos y analiza la validez de las soluciones propuestas por grandes productores de software frente a escenarios realistas.

Interplay Between Structure, Stoichiometry, and Electron Transfer Dynamics in SILAR-based Quantum Dot-Sensitized Oxides

We quantify the rate and efficiency of picosecond electron transfer (ET) from PbS nanocrystals, grown by successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR), into a mesoporous SnO2 support. Successive SILAR deposition steps allow for stoichiometry- and size-variation of the QDs, characterized using transmission electron microscopy. Whereas for sulfur-rich (p-type) QD surfaces substantial electron trapping at the QD surface occurs, for lead-rich (n-type) QD surfaces, the QD trapping channel is suppressed and the ET efficiency is boosted. The ET efficiency increase achieved by lead-rich QD surfaces is found to be QD-size dependent, increasing linearly with QD surface area. On the other hand, ET rates are found to be independent of both QD size and surface stoichiometry, suggesting that the donor–acceptor energetics (constituting the driving force for ET) are fixed due to Fermi level pinning at the QD/oxide interface. Implications of our results for QD-sensitized solar cell design are discussed.