3 resultados para Stanley Cavell

em SAPIENTIA - Universidade do Algarve - Portugal


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Embedding a double barrier resonant tunnelling diode (RTD) in a unipolar InGaAlAs optical waveguide gives rise to a very low driving voltage electroabsorption modulator (EAM) at optical wavelengths around 1550 nm. The presence of the RTD within the waveguide core introduces high non- linearity and negative di erential resistance in the current±voltage (I±V) characteristic of the waveguide. This makes the electric ®eld distribution across the waveguide core strongly dependent on the bias voltage: when the current decreases from the peak to the valley, there is an increase of the electric ®eld across the depleted core. The electric ®eld enhancement in the core-depleted layer causes the Franz±Keldysh absorption band-edge to red shift, which is responsible for the electroabsorption e ect. High-frequency ac signals as low as 100mV can induce electric ®eld high-speed switching, producing substantial light modulation (up to 15 dB) at photon energies slightly lower than the waveguide core band-gap energy. The key di erence between this device and conventional p-i-n EAMs is that the tunnelling characteristics of the RTD are employed to switch the electric ®eld across the core-depleted region; the RTD- EAM has in essence an integrated electronic ampli®er and, therefore, requires considerably less switching power.

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The basic mechanism underlying electric field switching produced by a resonant tunneling diode (RTD) is analyzed and the theory compared with experimental results; agreement to within 12% is achieved. The electroabsorption modulator (EAM) device potential of this effect is explored in an optical waveguide configuration. It is shown that a RTD-EAM can provide significant absorption coefficient change, via the Franz– Keldysh effect, at appropriate optical communication wavelengths around 1550 nm and can achieve up to 28-dB optical modulation in a 200- m active length device. The advantage of the RTD-EAM over the conventional reverse-biased p–n junction EAM, is that the RTD-EAM has, in essence, an integrated electronic amplifier and, therefore, requires considerably less switching power.

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O presente trabalho, investiga as origens históricas e as características formais do maneirismo de Hollywood, através de uma análise da produção cinematográfica dos estúdios de Hollywood, entre o final da década de 1920 e o fim do chamado studio system (em meados da década de 1960). Tal como o maneirismo histórico, o maneirismo hollywoodiano constitui um fenómeno artístico complexo e contraditório, cujas origens remontam ao estilo germânico introduzido no cinema dos estúdios em final dos anos vinte, por cineastas europeus como F.W. Murnau, Paul Leni, Rouben Mamoulian e James Whale. Tendo eclodido no final da II Guerra Mundial, período que assinala o início crise do sistema social, cultural e industrial que havia originado o cinema clássico, o maneirismo de Hollywood nasceu de uma consciência do cinema em relação ao seu passado. Obrigado a concorrer com a chamada “modernidade” cinematográfica europeia e com a ficção televisiva (que se apropriara do modelo clássico), o cinema de Hollywood explorou novos temas e géneros cinematográficos e investiu na exibição da técnica e do aparato tecnológico, forçando os limites do paradigma clássico, através de uma retórica de efeitos maneiristas que, não implicando um corte radical com o classicismo, representou uma clara tentativa de renovação formal, levada a cabo por cineastas como Alfred Hitchcock, Vincente Minnelli, Douglas Sirk, Stanley Donen e Jerry Lewis. A coexistência de varias correntes estéticas no cinema do pós-guerra (1945-1968), período em que, a par das últimas grandes obras clássicas, o maneirismo enquanto manifestação estética emergiu como modelo dominante, permite-nos concluir que o chamado cinema “clássico” (do estúdios de Hollywood) incluiu também, desde cedo, um cinema maneirista.