5 resultados para Custos de mudança
em SAPIENTIA - Universidade do Algarve - Portugal
Resumo:
Dissertação mest., Engenharia do Ambiente, Universidade do Algarve, 2009
Resumo:
Dissertação de mest., Planeamento e Avaliação de Processos de Desenvolvimento, Departamento de Sociologia, Inst. Sup. de Ciências do Trabalho e da Empresa, 2006
Resumo:
Com este estudo tenta-se estabelecer uma relação entre a resiliência e a capacidade de adaptação à mudança, proporcionada pelo Processo de Bolonha, por parte dos docentes do ensino superior, constituindo-se como principal objetivo desta investigação a construção de um questionário que relaciona estes três aspetos. Procura- se ainda percecionar a existência de diferenças nesta relação entre docentes do setor universitário e do politécnico. O questionário construído contempla os diversos aspetos da carreira profissional e as diferentes variáveis de mudança que foram exigidas ou a que foram sujeitos os docentes tendo em conta este novo paradigma educacional. Foi aplicado a docentes do ensino superior a lecionar em instituições públicas a nível nacional (continente e ilhas), com uma amostra por conveniência (aleatória), procurando desenvolver uma pesquisa quantitativa em educação. Os dados foram recolhidos através de plataforma eletrónica, de forma anónima, tendo-se obtido 564 respostas, representativas dos dois setores de ensino e de todas as instituições do país. Recorreu-se a um quadro teórico de referência assente numa revisão da literatura, perspetivado no âmbito do estudo com enfoque na capacidade de resiliência, associada ao modelo transacional e às fontes e áreas de desenvolvimento da mesma (Grotberg, 1985, Wolin & Wolin, 1993, Kumpfer,1999); relacionado com a profissão docente foram trabalhados a identidade e o desenvolvimento profissional, competências, relações pessoais e interpessoais e desenvolvimento humano, bem como toda a organização do ensino superior (Gonçalves 1987, 2007, Garcia, 1999, Zarifian, 2001, Ralha-Simões & Simões, 2002, Le Boterf, 2005, legislação relacionada com o Ensino Superior). O estudo encontra-se organizado em cinco capítulos: I - enquadramento teórico, dedicado à resiliência, à profissão docente, ao ensino superior, ao Processo de Bolonha e à articulação dos fatores anteriores; II- metodologia da investigação e aspetos inerentes, bem como a amostra e os motivos de construção do instrumento; III – apresentação e análise dos dados recolhidos, tentando responder às questões de pesquisa, aos objetivos traçados e contributos para a melhoria; IV – considerações finais onde constam as conclusões do estudo e as possibilidades de futuras perspetivas de investigação; V – bibliografia. Como principais conclusões deste estudo salienta-se o facto de as capacidades de resiliência dos docentes, nomeadamente a valorização pessoal, que os próprios destacam como fator protetor, estarem bem desenvolvidas e interferirem na sua adaptação às alterações introduzidas ao nível pedagógico, científico e didático. Salvaguarda- se contudo que esta adaptação não ocorre ao nível da sua carreira profissional e manifesta-se de forma pouco vincada em relação à questão da tutoria ou orientação tutorial. Por outro lado, sobressai um bom autoconhecimento e a existência de relações intra e interpessoais positivas. No que respeita às diferenças ao nível de adaptabilidade entre os docentes dos dois setores de ensino, apesar de existirem, as mesmas não são significativas.
Resumo:
The objective of this thesis is to study the properties of resistive switching effect based on bistable resistive memory which is fabricated in the form of Al2O3/polymer diodes and to contribute to the elucidation of resistive switching mechanisms. Resistive memories were characterized using a variety of electrical techniques, including current-voltage measurements, small-signal impedance, and electrical noise based techniques. All the measurements were carried out over a large temperature range. Fast voltage ramps were used to elucidate the dynamic response of the memory to rapid varying electric fields. The temperature dependence of the current provided insight into the role of trapped charges in resistive switching. The analysis of fast current fluctuations using electric noise techniques contributed to the elucidation of the kinetics involved in filament formation/rupture, the filament size and correspondent current capabilities. The results reported in this thesis provide insight into a number of issues namely: (i) The fundamental limitations on the speed of operation of a bi-layer resistive memory are the time and voltage dependences of the switch-on mechanism. (ii) The results explain the wide spread in switching times reported in the literature and the apparently anomalous behaviour of the high conductance state namely the disappearance of the negative differential resistance region at high voltage scan rates which is commonly attributed to a “dead time” phenomenon which had remained elusive since it was first reported in the ‘60s. (iii) Assuming that the current is filamentary, Comsol simulations were performed and used to explain the observed dynamic properties of the current-voltage characteristics. Furthermore, the simulations suggest that filaments can interact with each other. (iv) The current-voltage characteristics have been studied as a function of temperature. The findings indicate that creation and annihilation of filaments is controlled by filling and neutralizing traps localized at the oxide/polymer interface. (v) Resistive switching was also studied in small-molecule OLEDs. It was shown that the degradation that leads to a loss of light output during operation is caused by the presence of a resistive switching layer. A diagnostic tool that predicts premature failure of OLEDs was devised and proposed. Resistive switching is a property of oxides. These layers can grow in a number of devices including, organic light emitting diodes (OLEDs), spin-valve transistors and photovoltaic devices fabricated in different types of material. Under strong electric fields the oxides can undergo dielectric breakdown and become resistive switching layers. Resistive switching strongly modifies the charge injection causing a number of deleterious effects and eventually device failure. In this respect the findings in this thesis are relevant to understand reliability issues in devices across a very broad field.
Resumo:
Dissertação de Mestrado, Ciências da Educação, Escola Superior de Educação, Universidade do Algarve, 1998