Tecnologia lítica da Middle Stone Age da Gruta da Leba (Huíla, SW Angola)

África é hoje o foco principal na investigação sobre a problemática da emergência da humanidade. O registo arqueológico actual sugere que também alinhagem do Homo sapiens surgiu na África subsaariana, tornando a Middle Stone Age no período chave no debate sobre a emergência do comportamento humano moderno. Os primeiros indícios de comportamento humano presumivelmente moderno provêm da África do Sul, mas há um enorme vazio arqueográfico sobre as áreas limítrofes desse território como é o caso de Angola que podem trazer novos dados à discussão. A presente dissertação debruça-se sobre a colecção arqueológica da Gruta da Leba (Huíla, SW de Angola), actualmente parte do Arquivo Científico Tropical (Instituto de Investigação Científica Tropical), que permanece inédita, apesar de recolhida em escavação arqueológica pela Junta de Investigações do Ultramar durante os anos 1950, no âmbito da Missão Antropobiológica de Angola. O conjunto é composto por uma indústria lítica com mais de 1500 peças, bem como restos faunísticos e amostras de sedimentos, de uma sequência estratigráfica com três níveis de ocupação da Middle Stone Age. O principal objectivo deste estudo é caracterizar a produção e utilização dos materiais líticos da Middle Stone Age da Gruta da Leba, através da sistematização da informação de cariz tecnológico e tipológico do conjunto artefactual. A partir da análise dos materiais líticos é possível definir padrões de variabilidade na exploração das matérias-primas e cadeias operatórias de produção do sítio. Pretende-se, assim, enquadrar regionalmente as indústrias líticas no panorama mais alargado da Pré-História da África subsaariana, para a validação dos modelos crono-culturais convencionais e avaliação dos parâmetros teórico-metodológicos aplicados na abordagem à tecnologia lítica africana em relação à problemática do comportamento humano moderno.

Inovação e tecnologia no turismo. O sector hoteleiro do Algarve

Dissertação de mestrado, Ciências Económicas e Empresariais, Faculdade de Economia, Universidade do Algarve, 2004

Electrical characterization of metal-oxide-polymer devices for non-volatile memory applications

The objective of this thesis is to study the properties of resistive switching effect based on bistable resistive memory which is fabricated in the form of Al2O3/polymer diodes and to contribute to the elucidation of resistive switching mechanisms. Resistive memories were characterized using a variety of electrical techniques, including current-voltage measurements, small-signal impedance, and electrical noise based techniques. All the measurements were carried out over a large temperature range. Fast voltage ramps were used to elucidate the dynamic response of the memory to rapid varying electric fields. The temperature dependence of the current provided insight into the role of trapped charges in resistive switching. The analysis of fast current fluctuations using electric noise techniques contributed to the elucidation of the kinetics involved in filament formation/rupture, the filament size and correspondent current capabilities. The results reported in this thesis provide insight into a number of issues namely: (i) The fundamental limitations on the speed of operation of a bi-layer resistive memory are the time and voltage dependences of the switch-on mechanism. (ii) The results explain the wide spread in switching times reported in the literature and the apparently anomalous behaviour of the high conductance state namely the disappearance of the negative differential resistance region at high voltage scan rates which is commonly attributed to a “dead time” phenomenon which had remained elusive since it was first reported in the ‘60s. (iii) Assuming that the current is filamentary, Comsol simulations were performed and used to explain the observed dynamic properties of the current-voltage characteristics. Furthermore, the simulations suggest that filaments can interact with each other. (iv) The current-voltage characteristics have been studied as a function of temperature. The findings indicate that creation and annihilation of filaments is controlled by filling and neutralizing traps localized at the oxide/polymer interface. (v) Resistive switching was also studied in small-molecule OLEDs. It was shown that the degradation that leads to a loss of light output during operation is caused by the presence of a resistive switching layer. A diagnostic tool that predicts premature failure of OLEDs was devised and proposed. Resistive switching is a property of oxides. These layers can grow in a number of devices including, organic light emitting diodes (OLEDs), spin-valve transistors and photovoltaic devices fabricated in different types of material. Under strong electric fields the oxides can undergo dielectric breakdown and become resistive switching layers. Resistive switching strongly modifies the charge injection causing a number of deleterious effects and eventually device failure. In this respect the findings in this thesis are relevant to understand reliability issues in devices across a very broad field.

Development of non-viral vectors for gene therapy for pathologies of the retina

Tese de doutoramento, Ciências Biomédicas, Departamento de Ciências Biomédicas e Medicina, Universidade do Algarve, 2015

O aluno, a escola e a sociedade: o papel das ciências físico-químicas do 3º ciclo do ensino básico

Dissertação de mestrado, Ensino no 3º ciclo do Ensino Básico e no Ensino Secundário (Física e Química), Faculdade de Ciências e Tecnologia, Universidade do Algarve, 2015

Avaliação energética de um sistema fotovoltaico para bombagem

Dissertação de Mestrado, Energias Renováveis e Gestão de Energia, Faculdade de Ciências e Tecnologia, Universidade do Algarve, 2015

Redes de transmissão de dados em meios submarinos

Dissertação de Mestrado, Engenharia Eletrica e Eletrónica, Instituto Superior de Engenharia, Universidade do Algarve, 2015