Construção de instrumentos de avaliação da dislexia

Com este trabalho, pretendemos descrever a construção da Bateria de Avaliação da Dislexia de Desenvolvimento (BADD), caracterizá-la metricamente, apresentar e discutir os resultados. Este instrumento de avaliação da dislexia foi aplicado a 555 crianças portuguesas, com idades compreendidas entre os 7 e os 12 anos de idade. Analisamos os processos cognitivos implicados na aprendizagem da leitura e escrita e aqueles que se encontram afectados em crianças com dislexia de desenvolvimento, nomeadamente a consciência fonológica, memória fonológica de trabalho, leitura e velocidade, escrita sob ditado, cálculo matemático, compreensão de frases, memória de curto e longo prazo e sequências. Foram assim comparadas as pontuações totais de acertos por teste entre crianças normoléxicas e crianças disléxicas, no sentido de verificar em que testes estes se diferenciam e, neste sentido, constituir um conjunto de testes que permitam uma avaliação da dislexia de desenvolvimento. Através da análise dos resultados ao nível da consistência interna do instrumento, verificamos que esta bateria de testes apresenta uma consistência elevada, aumentando após a exclusão do item Teste de Velocidade de Leitura, tempo, que será considerado como item isolado e utilizado à parte da bateria. Outro dos objectivos deste estudo foi o de reforçar a hipótese originalmente colocada de que a performance dos disléxicos nestes testes seria claramente inferior à do grupo controlo, permitindo desta forma diferenciar os dois grupos. Neste sentido, podemos concluir que a validação de uma bateria nestes moldes vem reforçar a importância de testes psicométricos como um dos elementos de uma avaliação psicológica, tornando-se fundamental para uma avaliação atempada e coerente com o quadro teórico da dislexia de desenvolvimento.

Behavioral modeling optimization and enhancement for high-speed analog mixed-signal I/O interfaces

A integridade do sinal em sistemas digitais interligados de alta velocidade, e avaliada através da simulação de modelos físicos (de nível de transístor) é custosa de ponto vista computacional (por exemplo, em tempo de execução de CPU e armazenamento de memória), e exige a disponibilização de detalhes físicos da estrutura interna do dispositivo. Esse cenário aumenta o interesse pela alternativa de modelação comportamental que descreve as características de operação do equipamento a partir da observação dos sinais eléctrico de entrada/saída (E/S). Os interfaces de E/S em chips de memória, que mais contribuem em carga computacional, desempenham funções complexas e incluem, por isso, um elevado número de pinos. Particularmente, os buffers de saída são obrigados a distorcer os sinais devido à sua dinâmica e não linearidade. Portanto, constituem o ponto crítico nos de circuitos integrados (CI) para a garantia da transmissão confiável em comunicações digitais de alta velocidade. Neste trabalho de doutoramento, os efeitos dinâmicos não-lineares anteriormente negligenciados do buffer de saída são estudados e modulados de forma eficiente para reduzir a complexidade da modelação do tipo caixa-negra paramétrica, melhorando assim o modelo standard IBIS. Isto é conseguido seguindo a abordagem semi-física que combina as características de formulação do modelo caixa-negra, a análise dos sinais eléctricos observados na E/S e propriedades na estrutura física do buffer em condições de operação práticas. Esta abordagem leva a um processo de construção do modelo comportamental fisicamente inspirado que supera os problemas das abordagens anteriores, optimizando os recursos utilizados em diferentes etapas de geração do modelo (ou seja, caracterização, formulação, extracção e implementação) para simular o comportamento dinâmico não-linear do buffer. Em consequência, contributo mais significativo desta tese é o desenvolvimento de um novo modelo comportamental analógico de duas portas adequado à simulação em overclocking que reveste de um particular interesse nas mais recentes usos de interfaces de E/S para memória de elevadas taxas de transmissão. A eficácia e a precisão dos modelos comportamentais desenvolvidos e implementados são qualitativa e quantitativamente avaliados comparando os resultados numéricos de extracção das suas funções e de simulação transitória com o correspondente modelo de referência do estado-da-arte, IBIS.