Radiation-induced defects in quantum-size structures of A3B5 semiconductors

As estruturas quânticas de semicondutores, nomeadamente baseadas em GaAs, têm tido nos últimos vinte anos um claro desenvolvimento. Este desenvolvimento deve-se principalmente ao potencial tecnológico que estas estruturas apresentam. As aplicações espaciais, em ambientes agressivos do ponto de vista do nível de radiação a que os dispositivos estão sujeitos, motivaram todo o desenrolar de estudos na área dos defeitos induzidos pela radiação. As propriedades dos semicondutores e dos dispositivos de semicondutores são altamente influenciadas pela presença de defeitos estruturais, em particular os induzidos pela radiação. As propriedades dos defeitos, os processos de criação e transformação de defeitos devem ser fortemente alterados quando se efectua a transição entre o semicondutor volúmico e as heteroestruturas de baixa dimensão. Este trabalho teve como principal objectivo o estudo de defeitos induzidos pela radiação em estruturas quânticas baseadas em GaAs e InAs. Foram avaliadas as alterações introduzidas pelos defeitos em estruturas de poços quânticos e de pontos quânticos irradiadas com electrões e com protões. A utilização de várias técnicas de espectroscopia óptica, fotoluminescência, excitação de fotoluminescência e fotoluminescência resolvida no tempo, permitiu caracterizar as diferentes estruturas antes e após a irradiação. Foi inequivocamente constatada uma maior resistência à radiação dos pontos quânticos quando comparados com os poços quânticos e os materiais volúmicos. Esta resistência deve-se principalmente a uma maior localização da função de onda dos portadores com o aumento do confinamento dos mesmos. Outra razão provável é a expulsão dos defeitos dos pontos quânticos para a matriz. No entanto, a existência de defeitos na vizinhança dos pontos quânticos promove a fuga dos portadores dos níveis excitados, cujas funções de onda são menos localizadas, provocando um aumento da recombinação nãoradiativa e, consequentemente, uma diminuição da intensidade de luminescência dos dispositivos. O desenvolvimento de um modelo bastante simples para a estatística de portadores fora de equilíbrio permitiu reproduzir os resultados de luminescência em função da temperatura. Os resultados demonstraram que a extinção da luminescência com o aumento da temperatura é determinada por dois factores: a redistribuição dos portadores minoritários entre os pontos quânticos, o poço quântico e as barreiras de GaAs e a diminuição na taxa de recombinação radiativa relacionada com a dependência, na temperatura, do nível de Fermi dos portadores maioritários.

Por um bairro mais amigo das crianças: novos protagonistas

Ouvir a voz das crianças e valorizar o seu papel no entendimento da vida das suas comunidades foi o ponto essencial nesta investigação. Procuramos partir das suas perceções sobre a realidade do Bairro e do Parque que ocupa parte do seu território, para um diálogo centrado na procura e discussão de soluções para problemas por elas identificados em iniciativas anteriores. Partindo da ideia de Tonucci, partilhada por muitos outros autores, de que o que é bom para a qualidade de vida e autonomia das crianças na Cidade é bom para todos os grupos sociais que a (co)habitam, convidamos as crianças a observar e a reimaginar o Parque como espaço público e como lugar de convivência entre pessoas de todas as idades. O objetivo deste trabalho foi analisar as condições locais com que se tem procurado que os interesses e as opiniões crianças sejam tidas em conta nas decisões que visem a melhoria do Parque de Santiago, de forma a que o Bairro deixe de ser considerado, como um território de exclusão. Pretendemos também que a participação das crianças possa ser reconhecida, neste processo, como um parâmetro da qualidade da vida urbana. Tendo como referência a metodologia de investigação-ação participativa, partiu-se da escuta e debate de opiniões já expressas, para a organização das crianças como um sujeito coletivo capaz de reclamar o direito de todas as crianças ao Parque se Santiago, como espaço de lazer e tempos livres e espaço público relevante para a vida do bairro, da comunidade e para a Cidade de que é parte.

Indivíduo, bairro, família: uma reflexão sobre a comunidade do Bairro da Quinta Grande, Lisboa

O objetivo desta dissertação projetual é relacionar a construção do indivíduo contemporâneo, com a sua vivência em comunidade, e através da prática artística registar esse processo reflexivo. Através da análise de alguns artistas, que trabalham a questão da vivência conjunta, tento esclarecer e evidenciar a ligação que a arte tem na intervenção comunitária. Em três projetos desenvolvidos com os jovens de um bairro social de Lisboa, pretendo que estes reflitam sobre o espaço que ocupam diariamente e qual o papel que este tem no seu desenvolvimento como membros ativos da sociedade. Conceitos como a autoria partilhada, a intervenção comunitária, a arte e a sociedade e a arte como meio de registo etnográfico, são algumas das temáticas que serão abordados ao longo deste trabalho de investigação.