Radiation-induced defects in quantum-size structures of A3B5 semiconductors

As estruturas quânticas de semicondutores, nomeadamente baseadas em GaAs, têm tido nos últimos vinte anos um claro desenvolvimento. Este desenvolvimento deve-se principalmente ao potencial tecnológico que estas estruturas apresentam. As aplicações espaciais, em ambientes agressivos do ponto de vista do nível de radiação a que os dispositivos estão sujeitos, motivaram todo o desenrolar de estudos na área dos defeitos induzidos pela radiação. As propriedades dos semicondutores e dos dispositivos de semicondutores são altamente influenciadas pela presença de defeitos estruturais, em particular os induzidos pela radiação. As propriedades dos defeitos, os processos de criação e transformação de defeitos devem ser fortemente alterados quando se efectua a transição entre o semicondutor volúmico e as heteroestruturas de baixa dimensão. Este trabalho teve como principal objectivo o estudo de defeitos induzidos pela radiação em estruturas quânticas baseadas em GaAs e InAs. Foram avaliadas as alterações introduzidas pelos defeitos em estruturas de poços quânticos e de pontos quânticos irradiadas com electrões e com protões. A utilização de várias técnicas de espectroscopia óptica, fotoluminescência, excitação de fotoluminescência e fotoluminescência resolvida no tempo, permitiu caracterizar as diferentes estruturas antes e após a irradiação. Foi inequivocamente constatada uma maior resistência à radiação dos pontos quânticos quando comparados com os poços quânticos e os materiais volúmicos. Esta resistência deve-se principalmente a uma maior localização da função de onda dos portadores com o aumento do confinamento dos mesmos. Outra razão provável é a expulsão dos defeitos dos pontos quânticos para a matriz. No entanto, a existência de defeitos na vizinhança dos pontos quânticos promove a fuga dos portadores dos níveis excitados, cujas funções de onda são menos localizadas, provocando um aumento da recombinação nãoradiativa e, consequentemente, uma diminuição da intensidade de luminescência dos dispositivos. O desenvolvimento de um modelo bastante simples para a estatística de portadores fora de equilíbrio permitiu reproduzir os resultados de luminescência em função da temperatura. Os resultados demonstraram que a extinção da luminescência com o aumento da temperatura é determinada por dois factores: a redistribuição dos portadores minoritários entre os pontos quânticos, o poço quântico e as barreiras de GaAs e a diminuição na taxa de recombinação radiativa relacionada com a dependência, na temperatura, do nível de Fermi dos portadores maioritários.

Saúde mental e comportamentos de risco em estudantes universitários

A saúde dos estudantes do ensino superior é uma importante questão de saúde pública, com impacto não só a nível pessoal e social, como também institucional. Nesse sentido, a presente investigação teve como objectivos: 1) caracterizar a saúde mental dos estudantes universitários, ao nível de sintomas depressivos, stress e bem-estar; 2) identificar os seus padrões de consumo de álcool, em termos de quantidade e frequência de consumo, ingestão esporádica excessiva e tipos de bebidas mais ingeridas; 3) conhecer a prevalência de dois comportamentos de risco ligados ao álcool, os comportamentos sexuais de risco e a condução sob o efeito de álcool; 4) analisar a relação entre saúde mental e consumo de álcool no ensino superior. Para esse efeito, realizou-se um estudo transversal com 666 alunos do 1º ciclo da Universidade de Aveiro. Os instrumentos utilizados foram: Ficha de Caracterização Sociodemográfica e Académica; Medida de Saúde Comportamental-20; Inventário da Depressão em Estudantes Universitários; Inventário de Stress em Estudantes Universitários; Questionário de Comportamentos de Risco em Estudantes Universitários. Os resultados mostraram que 32% dos estudantes se encontravam num patamar disfuncional quanto à sua saúde mental, 15% apresentavam sintomatologia depressiva e 26% sofriam de níveis elevados de stress, mas que apenas uma minoria destes alunos estava a receber apoio psicológico profissional. Os níveis de saúde mental foram inferiores nas mulheres, nos alunos do 1º e do 3º ano, da área de Saúde e de estatuto socioeconómico baixo. Para além disso, a maioria dos estudantes consumia álcool e 41% tiveram episódios de ingestão excessiva no último mês. Durante as festas académicas, um quarto dos estudantes ingeriu cinco ou mais bebidas por noite. O consumo de álcool foi superior nos homens, nos estudantes da área de Engenharias, de estatuto socioeconómico elevado e nos deslocados. Quanto a problemas ligados ao álcool, 13% dos estudantes sexualmente activos admitiram ter tido relações sexuais decorrentes do consumo de álcool, no último ano, e 29% praticaram condução sob o efeito de álcool no último mês. Estes comportamentos foram mais frequentes em estudantes do sexo masculino e naqueles que tiveram episódios de ingestão excessiva. Não se encontrou, de um modo geral, uma relação entre saúde mental e consumo de álcool, tendo sido detectadas apenas correlações, fracas, do stress e do bem-estar com o consumo de álcool. Ao contrário do que era esperado, verificou-se que à medida que o consumo de álcool aumentava, o stress diminuía e o bem-estar aumentava ligeiramente. Estes dados salientam a necessidade de as instituições do ensino superior reforçarem a identificação e o tratamento de problemas existentes e apostarem na prevenção, tanto através de estratégias dirigidas a toda a comunidade, no âmbito da educação para a saúde e da literacia em saúde mental, como através de iniciativas destinadas aos grupos de risco aqui identificados.