Ascensão capilar de água em substratos de coco e de pinus

O uso da irrigação por capilaridade na produção de mudas em viveiros pode trazer vantagens ao uso de água e sua utilização adequada requer o conhecimento da capacidade de ascensão de água no meio de crescimento das raízes, atributo pouco estudado. Para avaliar esta condição fundamental, este trabalho tem como objetivo avaliar a ascensão de água em substratos comerciais de coco e pinus, em dois padrões de tamanho de partículas e em duas condições de umidade, para indicar aquele que possua as melhores características físicas para aplicação na irrigação por capilaridade. Utilizou-se o método de ascensão capilar, com colunas desmontáveis de anéis preenchidas com substratos, avaliando-se os seguintes tempos de contato do fundo da coluna com a lâmina de água: 0,25, 0,5, 1, 2, 4, 8, 16 e 24 horas, com 10 repetições por tempo testado. Pelos resultados, observou-se que a maior ascensão capilar acumulada em 24 horas de ensaio foi obtida para os substratos de textura fina de coco e de pinus. Além disso, a hidrofobia do substrato de coco seco recomenda que as irrigações nesse material devem ter frequências maiores que substratos de pinus, evitando seu secamento. O substrato de pinus, por não apresentar esse comportamento, deve ter turnos de rega mais espaçados, principalmente sob textura fina. Devido à sua maior retenção de água e capacidade de elevação de água quando umedecido, o substrato fino de coco é mais adequado à irrigação por capilaridade em recipientes como tubetes.

Bilayer graphene on h-BN substrate: investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field

By performing density functional theory calculations we show that it is possible to make the electronic bandgap in bilayer graphene supported on hexagonal boron nitride (h-BN) substrates tunable. We also show that, under applied electric fields, it is possible to insert states from h-BN into the bandgap, which generate a conduction channel through the substrate making the system metallic. In addition, we verify that the breakdown voltage strongly depends on the number of h-BN layers. We also show that both the breakdown voltage and the bandgap tuning are independent of the h-BN stacking order.