4 resultados para Filmes semicondutores

em Biblioteca Digital da Produção Intelectual da Universidade de São Paulo


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O artigo toma as figuras da legenda e da dublagem como pontos de partida para a exploração das várias formas de estrangeirice no audiovisual. Tais figuras são apenas as marcas mais visíveis e impositivas da maneira como os filmes envolvem questões relacionadas com a diferença, a alteridade e a tradução. Em seguida, o artigo também discute o que pode ser um filme estrangeiro no contexto da globalização e da internacionalização da produção cinematográfica. Enfim, ele invoca o conceito de «cinema com sotaque», ou seja, o cinema criado ao mesmo tempo nos interstícios das formações sociais e das práticas cinematográficas, especialmente nas comunidades exílicas e em situações de diáspora.

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Pretendemos examinar a relação entre cinema, música e história do período silencioso. Será abordada a produção referente aos chamados filmes cantantes (1908 1911), propondo recortes temáticos mais amplos do que os adotados pela historiografia clássica no cinema nacional

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The comprehensive control of morphology and structure is of extreme importance in semiconducting polymers when used as active layers in optoelectronic devices. In the work reported here, a systematic investigation of the structural and dynamical properties of poly(9,9-di-n-octyl-fluorene-alt-benzothiadiazole), known as F8BT, and their correlation with electrical properties is presented when the material is used as an active layer in optoelectronic devices. By means of X-ray diffraction, one observes that in thick layer films (thickness of about 4 μm) grown by drop-cast deposition, a solvent induced crystalline phase exists which evolves to a stable phase as the temperature is raised. This was not observed in thin films (thickness of about 250 nm) prepared by spin-coating within the investigated temperature range. By modeling the current-voltages characteristics of both thick and thin film devices, important information on the influence of crystallization on the trapping states could be drawn. Furthermore, the temperature dependence of the charge carrier mobility was found to be closely related to that of the molecular relaxation processes. The understanding of the nature of such molecular relaxations, measured by solid-state nuclear magnetic resonance methods, allows one to understand the importance of molecular relaxations and microstructure changes on the trap states of the system.