2 resultados para DRX e MEV

em Biblioteca Digital da Produção Intelectual da Universidade de São Paulo


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In this work the proton irradiation influence on Multiple Gate MOSFETs (MuGFETs) performance is investigated. This analysis was performed through basic and analog parameters considering four different splits (unstrained, uniaxial, biaxial, uniaxial+biaxial). Although the influence of radiation is more pronounced for p-channel devices, in pMuGFETs devices, the radiation promotes a higher immunity to the back interface conduction resulting in the analog performance improvement. On the other hand, the proton irradiation results in a degradation of the post-irradiated n-channel transistors behavior. The unit gain frequency showed to be strongly dependent on stress efficiency and the radiation results in an increase of the unit gain frequency for splits with high stress effectiveness for both cases p- and nMuGFETs.

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Este trabalho descreve a preparação e caracterização do híbrido celulose/fosfato de nióbio hidratado (Cel/NbOPO4.nH2O) utilizando como material de partida a celulose branqueada de bagaço de cana-de-açúcar e o nióbio metálico. O híbrido foi preparado por dois métodos: denominados métodos I e II. O método I consistiu na dissolução do nióbio metálico em solução de ácido fluorídrico/nítrico (100:10), com tempo de contato de 16 horas entre a celulose branqueada do bagaço de cana-de-açúcar e a solução ácida. Adicionou-se a essa solução ácido fosfórico para precipitação do material. O método II foi semelhante, com proporções diferentes da solução ácida fluorídrico/nítrico (160/100), sem tempo de contato da celulose com a solução ácida. Os métodos I e II utilizaram as seguintes proporções de cel/ Nb2O5.nH2O: (10:10);(10:6) e (10:2). Os materiais preparados pelos métodos I e II foram caracterizados por difração de raios X (DRX), termogravimetria (TG/DTG) e microscopia eletrônica de varredura (MEV). Observou-se aumento do índice do grau de cristalinidade e mudanças na morfologia dos materiais preparados.