Investigação de camadas aqüíferas por métodos geoelétricos no Estado de São Paulo

No Estado de São Paulo, a maioria dos poços profundos perfurados localiza-se em terrenos sedimentares. Assim sendo foi realizado este trabalho a fim de verificar a aplicabilidade de métodos geofísicos à procura de água subterrânea no Estado. A água da chuva atingindo a superfície do terreno toma caminhos a saber: evaporação, escoamento e infiltração. Em face da porosidade, permeabilidade e força da gravidade, a água de infiltração toma o caminho descendente até: - atingir uma zona permeável (saturada ou não) e seu fluxo. - atingir uma rocha sedimentar impermeável ou rocha ígnea sã. - saturar fissuras existentes em rochas ígneas sãs. Basicamente que um poço seja produtor de água, é necessária a extração de água acumulada nas seguintes condições: 1- água acumulada em rochas permeáveis saturadas. 2- água acumulada em fissuras de rochas ígneas sãs. 3- água acumulada em depressões existentes ou na superfície de rochas ígneas ou do embasamento cristalino, coberto por rochas porosas e permeáveis. Baseado nestas formas de ocorrência de água subterrânea, as pesquisas de campo foram orientadas no sentido de: - identificar pela interpretação das curvas ou mesmo uma curva de sondagem elétrica, aquela camada aqüífera, saturada de água e já conhecida \"a priori\" como aqüífero, bem como estabelecer a sua profundidade, espessura e comportamento geológico. - verificar a profundidade do nível freático. - mapear a superfície do embasamento cristalino, procurando achar nela, depressões causa das por erosões pretéritas. Procurou-se verificar também: até que ponto, em um dado local uma estratigrafia geológica conhecida, corresponde a uma \"estratigrafia geofísica\" obtida por medidas na superfície. - determinar a resistividade, ou resistividades, das diferentes formações litológicas. - procurar correlacionar variações laterais de resistividade de uma certa camada geológica com as variações na sua granulometria e litologia ou sais ) dissolvidos na solução que a satura. De um modo geral a eletrorresistividade fornece bons resultados quando aplicada à procura de água subterrânea no Estado de São Paulo. Nos sedimentos do Grupo Tubarão (Permo-Carbonífero) verifica-se uma correspondência entre altos valores de resistividade e as altas vazões dos poços (vazão específica). A \"estratigrafia geofísica\" obtida corresponde muito bem à estratigrafia geológica. Espessuras dos derrames de basalto (Eocretáceo), intrusões de diabásio, arenito da Série Bauru (Neocretáceo), arenito da Formação Botucatu (Eocretáceo), sedimentos do Grupo Tubarão (Permo-Carbonífero) e camadas de sedimentos recentes são facilmente determinadas. Na região da Praia Grande existem lençóis de água doce sobrejazendo à água salobra e salgada.

Caracterização elétrica de túnel-FET em estrutura de nanofio com fontes de SiGe e Ge em função da temperatura.

Este trabalho teve como objetivo estudar os transistores de tunelamento por efeito de campo em estruturas de nanofio (NW-TFET), sendo realizado através de analises com base em explicações teóricas, simulações numéricas e medidas experimentais. A fim de avaliar melhorar o desempenho do NW-TFET, este trabalho utilizou dispositivos com diferentes materiais de fonte, sendo eles: Si, liga SiGe e Ge, além da variação da espessura de HfO2 no material do dielétrico de porta. Com o auxílio de simulações numéricas foram obtidos os diagramas de bandas de energia dos dispositivos NW-TFET com fonte de Si0,73Ge0,27 e foi analisada a influência de cada um dos mecanismos de transporte de portadores para diversas condições de polarização, sendo observado a predominância da influência da recombinação e geração Shockley-Read-Hall (SRH) na corrente de desligamento, do tunelamento induzido por armadilhas (TAT) para baixos valores de tensões de porta (0,5V > VGS > 1,5V) e do tunelamento direto de banda para banda (BTBT) para maiores valores tensões de porta (VGS > 1,5V). A predominância de cada um desses mecanismos de transporte foi posteriormente comprovada com a utilização do método de Arrhenius, sendo este método adotado em todas as análises do trabalho. O comportamento relativamente constante da corrente dos NW-TFETs com a temperatura na região de BTBT tem chamado a atenção e por isso foi realizado o estudo dos parâmetros analógicos em função da temperatura. Este estudo foi realizado comparando a influência dos diferentes materiais de fonte. O uso de Ge na fonte, permitiu a melhora na corrente de tunelamento, devido à sua menor banda proibida, aumentando a corrente de funcionamento (ION) e a transcondutância do dispositivo. Porém, devido à forte dependência de BTBT com o campo elétrico, o uso de Ge na fonte resulta em uma maior degradação da condutância de saída. Entretanto, a redução da espessura de HfO2 no dielétrico de porta resultou no melhor acoplamento eletrostático, também aumentando a corrente de tunelamento, fazendo com que o dispositivo com fonte Ge e menor HfO2 apresentasse melhores resultados analógicos quando comparado ao puramente de Si. O uso de diferentes materiais durante o processo de fabricação induz ao aumento de defeitos nas interfaces do dispositivo. Ao longo deste trabalho foi realizado o estudo da influência da densidade de armadilhas de interface na corrente do dispositivo, demonstrando uma relação direta com o TAT e a formação de uma região de platô nas curvas de IDS x VGS, além de uma forte dependência com a temperatura, aumentando a degradação da corrente para temperaturas mais altas. Além disso, o uso de Ge introduziu maior número de impurezas no óxido, e através do estudo de ruído foi observado que o aumento na densidade de armadilhas no óxido resultou no aumento do ruído flicker em baixa frequência, que para o TFET, ocorre devido ao armadilhamento e desarmadilhamento de elétrons na região do óxido. E mais uma vez, o melhor acoplamento eletrostático devido a redução da espessura de HfO2, resultou na redução desse ruído tornando-se melhor quando comparado à um TFET puramente de Si. Neste trabalho foi proposto um modelo de ruído em baixa frequência para o NW-TFET baseado no modelo para MOSFET. Foram realizadas apenas algumas modificações, e assim, obtendo uma boa concordância com os resultados experimentais na região onde o BTBT é o mecanismo de condução predominante.