Sentidos de família construídos por profissionais de saúde na estratégia de saúde da família

Na construção de políticas sociais atribuiu-se um papel central à família na proteção social e no cuidado com os seus membros. Na saúde, a família assume essa centralidade na Estratégia de Saúde da Família (ESF), sendo compreendida como objeto da atenção em saúde. Essa centralidade se deu a partir de uma pretensão de mudança no modelo assistencial que visasse a integralidade do cuidado e um olhar para as condições de vida como fundamentais no processo saúde-doença. Tais transformações nos sentidos e práticas de saúde têm sido desafiadoras. A partir da perspectiva Construcionista Social, que orienta esse estudo, compreendemos que os sentidos são construídos nas interações entre as pessoas e que esses configuram práticas sociais. Diante deste quadro de desafios na ESF e a partir da perspectiva adotada, temos como objetivo compreender os sentidos produzidos por profissionais de equipes de saúde sobre famílias em contextos de reuniões de discussão de família/caso na ESF, buscando analisar como esses configuram a produção de práticas de cuidado e também como se dá a dinâmica de construção desses sentidos a partir das negociações entre os participantes. A constituição do corpus foi feita a partir da observação e registros em áudio de 16 reuniões de duas equipes de saúde da família, contando com 26 participantes, dentre eles profissionais e estagiários de diferentes especialidades. A análise foi feita a partir da perspectiva das práticas discursivas, com os seguintes passos: 1) transcrição do material; 2) leitura intensiva e organização do material; 3) construção de sentidos sobre a família, e análise dos repertórios interpretativos, discursos usados, e implicações para ação; e 4) narrativa ilustrativa da dinâmica dos sentidos. Os sentidos construídos na análise foram: a) Família como pessoas que moram juntas: os repertórios usados descreviam os modos de ser família a partir do ambiente em que ela vive, entendendo a família como informante e cuidadora dos seus membros; b) Família como responsável pelo cuidado: repertórios de família como aquela que dá suporte aos seus membros e é responsável por eles; e, por vezes, está sobrecarregada com esses cuidados; c) Família como problema: repertórios que configuravam a família como aquela que é responsável pelo problema de saúde dos seus membros, como aquela que funciona como um estressor para eles ou como aquela que está em situação de risco; e d) Família como rede de relações, sentido que foi usado, mais comumente, em conversas sobre casos complexos, com discussões voltadas para configurações, estruturas e dinâmicas familiares. A partir da análise do processo de discussão da equipe em torno de um \"caso\", foi possível ilustrar o dinamismo desses sentidos nas conversas e como esses são negociados a todo momento. A análise nos permite considerar que há esforços dos profissionais em voltar a atenção do cuidado para a família, porém ainda são comuns práticas centradas no indivíduo e pouco pautadas no contexto e nas condições de vida das famílias. Compreendemos que dar visibilidade a esses diferentes sentidos e seu uso permite reflexões sobre como cada forma de descrever as famílias possibilita a construção de práticas distintas, o que pode contribuir para uma maior reflexão dos profissionais de saúde sobre sua prática cotidiana (Apoio Capes e Fapesp- 2014/08618-6).

Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.

Esse trabalho de mestrado teve como estudo o transistor Túnel-FET (TFET) fabricado em estrutura de nanofio de silício. Este estudo foi feito de forma teórica (simulação numérica) e experimental. Foram estudadas as principais características digitais e analógicas do dispositivo e seu potencial para uso em circuitos integrados avançados para a próxima década. A análise foi feita através da extração experimental e estudo dos principais parâmetros do dispositivo, tais como inclinação de sublimiar, transcondutância (gm), condutância de saída (gd), ganho intrínseco de tensão (AV) e eficiência do transistor. As medidas experimentais foram comparadas com os resultados obtidos pela simulação. Através do uso de diferentes parâmetros de ajuste e modelos de simulação, justificou-se o comportamento do dispositivo observado experimentalmente. Durante a execução deste trabalho estudou-se a influência da escolha do material de fonte no desempenho do dispositivo, bem como o impacto do diâmetro do nanofio nos principais parâmetros analógicos do transistor. Os dispositivos compostos por fonte de SiGe apresentaram valores maiores de gm e gd do que aqueles compostos por fonte de silício. A diferença percentual entre os valores de transcondutância para os diferentes materiais de fonte variou de 43% a 96%, sendo dependente do método utilizado para comparação, e a diferença percentual entre os valores de condutância de saída variou de 38% a 91%. Observou-se também uma degradação no valor de AV com a redução do diâmetro do nanofio. O ganho calculado a partir das medidas experimentais para o dispositivo com diâmetro de 50 nm é aproximadamente 45% menor do que o correspondente ao diâmetro de 110 nm. Adicionalmente estudou-se o impacto do diâmetro considerando diferentes polarizações de porta (VG) e concluiu-se que os TFETs apresentam melhor desempenho para baixos valores de VG (houve uma redução de aproximadamente 88% no valor de AV com o aumento da tensão de porta de 1,25 V para 1,9 V). A sobreposição entre porta e fonte e o perfil de dopantes na junção de tunelamento também foram analisados a fim de compreender qual combinação dessas características resultariam em um melhor desempenho do dispositivo. Observou-se que os melhores resultados estavam associados a um alinhamento entre o eletrodo de porta e a junção entre fonte e canal e a um perfil abrupto de dopantes na junção. Por fim comparou-se a tecnologia MOS com o TFET, obtendo-se como resultado um maior valor de AV (maior do que 40 dB) para o TFET.