Os muitos nomes de Silvana: contribuições clínico-políticas da psicanálise sobre mulheres negras

Esta pesquisa aponta alguns dos efeitos subjetivos e estratégias singulares de resistência frente à desigualdade racial no nosso país, abordando as vicissitudes de inscrição no laço social de mulheres negras e pobres. É fruto de uma intervenção clínico-política com um grupo de adolescentes em uma Escola Municipal de Ensino Fundamental de São Paulo na qual foi se evidenciando, para nós, a necessidade de cada um desses adolescentes de defender intransigentemente a honra e o valor de suas mães frente aos outros membros do grupo. Tanto pelo seu excesso como pela sua repetição, essa situação nos sugeria um mal-estar e um não dito referido às configurações familiares e à posição destas mulheres nesta comunidade escolar, que nos levou a escutá-las. Tomando a indicação freudiana de que a psicologia individual seria também psicologia social e a formulação lacaniana de que podemos considerar o Inconsciente como sendo a Política, acreditamos ser indispensável escutar o sujeito levando em consideração o Outro, entendido tanto do ponto de vista sócio-histórico, como libidinal. Isso significa que não poderíamos escutar estas mulheres sem considerar o campo de desigualdades sociais e raciais no qual estavam inscritas discursivamente, o que nos exigiu uma interlocução fundamental tanto com pesquisas da antropologia social e da sociologia, como da história. A fala destas mulheres foi nos revelando que, além de outras identificações contingentes, o fato de serem reconhecidas e se reconhecerem como mulheres negras era um elemento fundamental nas suas vivências cotidianas. Uma vez que nosso passado escravista não teria sido suficientemente lembrado e admitido, alguns traços se fariam presentes através de uma transmissão simbólica, pelos subterrâneos da cultura, de uma posição de servidão a elas atribuída. Permaneceria de uma forma atualizada e insidiosa uma divisão racializada da nossa sociedade, ancorada na herança de uma cisão entre a mulher mundana cujo corpo seria visto como um corpo de gozo, mas sem valor social, a mucama, e a que seria valorizada socialmente à custa de um corpo assexuado, casta e educada, esposa do senhor de escravos. Apesar de tantos avanços, as conquistas femininas das últimas décadas não seriam totalmente estendidas a essas mulheres, negras e pobres, que seguiriam, frequentemente, apresentando no imaginário social um corpo ao qual se atribuiria a capacidade de satisfazer os desejos mais inconfessáveis de um homem à custa de ser visto como propriedade e domínio deste. A atitude racista se faria presente em relação a elas, entendida como o ato de segregação do gozo inadmitido de um sujeito no corpo de um outro, ou ainda, como Lacan apontou, impondo a um outro, seu modo de gozo. Mais do que uma identidade das mulheres negras, consideramos fundamental conceber a particularidade de um laço que se estabeleceria na relação com elas, na medida em que seu corpo seria capaz de despertar e revelar a relação do sujeito com o mais íntimo e insuportável de si mesmo: ela seria a estrangeira frente a um homem, por ser mulher; e seria estrangeira frente a uma mulher ou homem branco, por ser negra. A sua condição de estrangeira a deixaria assim como figura paradigmática de um Outro sexo, um sexo Outro, um gozo Outro, recaindo sobre ela as reações mais violentas de extirpação desse gozo. As estratégias de como manter o que seria próprio do gozo feminino não balizado pelo gozo fálico, posto que seria suplementar a ele frente a essa injunção de segregação e depreciação, seriam sempre singulares. Apresentamos um caso clínico, Silvana, apontando suas estratégias de resistência frente a um discurso social que a desqualificaria tentando lhe impor um estreitamento de sua vida erótica e sua redução a um modo único de gozo

Estudo da cristalinidade de filmes finos de nitreto de índio e simulado pelo pacote de programas Wien2k

Neste trabalho, foi utilizado o método de deposição assistida por feixe de íons (IBAD na sigla em inglês) para produção de filmes finos de nitreto de índio em substratos de silício (111) e Safira-C. Variando as condições de deposição e utlilizando a técnica de difração de raios-X, investigou-se com o intuito de obter os parâmetros que resultam em filmes finos com melhor grau de cristalinidade. Os filmes produzidos a 380C apresentaram alta cristalinidade, superior àqueles a 250C. Temperaturas muito superiores a 380C não ocasionam a formação de filme cristalino de InN, como foi observado ao utilizar a temperatura de 480C; o mesmo se observa ao utilizar temperatura ambiente. Na temperatura considerada adequada ,de 380C, obteve-se que a utilização de Ra, ou seja, a razão de fluxo de partículas entre o nitrogênio e índio, em torno de 2,3 permite obter um melhor grau de cristalinização, o qual decresce conforme se diverge desse valor. A comparação entre difratogramas de amostras produzidas com e sem a evaporação prévia de titânio, o qual é possível observar um deslocamento dos picos do InN, indicam que o efeito Gettering permite a redução de impurezas no filme, principalmente de oxigênio. Utilizou-se a técnica de Retroespalhamento de Rutherford para obtenção da composição dos elementos e o perfil de profundidade. Notou-se uma forte mistura dos elementos do substrato de silício e safira com o nitreto de índio mesmo próximos a superfície. A presença indesejável de impurezas, principalmente o oxigênio, durante a deposição de filmes finos é praticamente inevitável. Desta forma, cálculos ab initio baseados na Teoria do Funcional da Densidade (DFT) foram realizados para investigar defeitos isolados e complexos de oxigênio no nitreto de índio e a sua influência nas propriedades óticas. Considerou-se diferentes concentrações de oxigênio (x=2,76, 8,32, 11,11 e 22,22%) aplicando-se o método PBEsolGGA e TB-mBJ para o tratamento da energia e potencial de troca e correlação. Obteve-se que é energeticamente favorável o oxigênio existir principalmente como defeito carregado e isolado. Os resultados utilizando a aproximação de TB-mBJ indicam um estreitamento do bandgap conforme a concentração de oxigênio aumenta. Entretanto, a alta contribuição do efeito de Moss-Burstein resulta num efetivo alargamento do band gap, gerando valores de band gap ótico maiores que no do bulk de nitreto de índio.

Collective effects in light scattering from cold strontium clouds

A cold atomic cloud is a versatile object, because it offers many handles to control and tune its properties. This facilitates studies of its behavior in various circumstances, such as sample temperature, size and density, composition, dimensionality and coherence time. The range of possible experiments is constrained by the specifications of the atomic species used. In this thesis presents the work done in the experiment for laser cooling of strontium atoms, focusing on its stability, which should provide cold and ultracold samples for the study of collective effects in light scattering. From the initial apparatus, innumerous changes were performed. The vacuum system got improved and now reached lower ultra high vacuum due to the pre-baking done to its parts and adding a titanium-sublimation stage. The quadrupole trap were improved by the design and construction of a new pair of coils. The stability of the blue, green and red laser systems and the loss prevention of laser light were improved, giving rise to a robust apparatus. Another important point is the development of homemade devices to reduce the costs and to be used as a monitor of different parts of an cold atoms experiment. From this homemade devices, we could demonstrate a dramatic linewidth narrowing by injection lock of an low cost 461 nm diode laser and its application to our strontium experiment. In the end, this improved experimental apparatus made possible the study of a new scattering effect, the mirror assisted coherent back-scattering (mCBS).

Caracterização elétrica de túnel-FET em estrutura de nanofio com fontes de SiGe e Ge em função da temperatura.

Este trabalho teve como objetivo estudar os transistores de tunelamento por efeito de campo em estruturas de nanofio (NW-TFET), sendo realizado através de analises com base em explicações teóricas, simulações numéricas e medidas experimentais. A fim de avaliar melhorar o desempenho do NW-TFET, este trabalho utilizou dispositivos com diferentes materiais de fonte, sendo eles: Si, liga SiGe e Ge, além da variação da espessura de HfO2 no material do dielétrico de porta. Com o auxílio de simulações numéricas foram obtidos os diagramas de bandas de energia dos dispositivos NW-TFET com fonte de Si0,73Ge0,27 e foi analisada a influência de cada um dos mecanismos de transporte de portadores para diversas condições de polarização, sendo observado a predominância da influência da recombinação e geração Shockley-Read-Hall (SRH) na corrente de desligamento, do tunelamento induzido por armadilhas (TAT) para baixos valores de tensões de porta (0,5V > VGS > 1,5V) e do tunelamento direto de banda para banda (BTBT) para maiores valores tensões de porta (VGS > 1,5V). A predominância de cada um desses mecanismos de transporte foi posteriormente comprovada com a utilização do método de Arrhenius, sendo este método adotado em todas as análises do trabalho. O comportamento relativamente constante da corrente dos NW-TFETs com a temperatura na região de BTBT tem chamado a atenção e por isso foi realizado o estudo dos parâmetros analógicos em função da temperatura. Este estudo foi realizado comparando a influência dos diferentes materiais de fonte. O uso de Ge na fonte, permitiu a melhora na corrente de tunelamento, devido à sua menor banda proibida, aumentando a corrente de funcionamento (ION) e a transcondutância do dispositivo. Porém, devido à forte dependência de BTBT com o campo elétrico, o uso de Ge na fonte resulta em uma maior degradação da condutância de saída. Entretanto, a redução da espessura de HfO2 no dielétrico de porta resultou no melhor acoplamento eletrostático, também aumentando a corrente de tunelamento, fazendo com que o dispositivo com fonte Ge e menor HfO2 apresentasse melhores resultados analógicos quando comparado ao puramente de Si. O uso de diferentes materiais durante o processo de fabricação induz ao aumento de defeitos nas interfaces do dispositivo. Ao longo deste trabalho foi realizado o estudo da influência da densidade de armadilhas de interface na corrente do dispositivo, demonstrando uma relação direta com o TAT e a formação de uma região de platô nas curvas de IDS x VGS, além de uma forte dependência com a temperatura, aumentando a degradação da corrente para temperaturas mais altas. Além disso, o uso de Ge introduziu maior número de impurezas no óxido, e através do estudo de ruído foi observado que o aumento na densidade de armadilhas no óxido resultou no aumento do ruído flicker em baixa frequência, que para o TFET, ocorre devido ao armadilhamento e desarmadilhamento de elétrons na região do óxido. E mais uma vez, o melhor acoplamento eletrostático devido a redução da espessura de HfO2, resultou na redução desse ruído tornando-se melhor quando comparado à um TFET puramente de Si. Neste trabalho foi proposto um modelo de ruído em baixa frequência para o NW-TFET baseado no modelo para MOSFET. Foram realizadas apenas algumas modificações, e assim, obtendo uma boa concordância com os resultados experimentais na região onde o BTBT é o mecanismo de condução predominante.