Desenvolvimento de um aplicativo do Kinect para fins de intervenção com pacientes com hanseníase

Os sistemas interativos estão cada vez mais presentes como recursos tecnológicos utilizados pelo homem, sendo que para que a interação ocorra é necessária uma adaptação destes aparatos às reais necessidades do homem. Para garantir a qualidade de interação é preciso focar no princípio da usabilidade do sistema, desenvolvido por Jakob Nielsen, (1994) aprimorando com isso aspectos de acessibilidade, flexibilidade e eficiência no uso, para que o recurso tecnológico torne-se um objeto de modificação nesta relação. Objetivo: desenvolver um painel interativo utilizando a tecnologia Kinect e com isso fornecer informações sobre autocuidado e prevenção de incapacidades da hanseníase para pacientes e profissionais da saúde. Metodologia: Está baseada no modelo consensual que propõe uma solução para o problema de projeto e apresenta-se dividida em quatro fases: (1) projeto informacional; (2) projeto conceitual; (3) projeto preliminar e (4) projeto detalhado. Resultados: foi produzido um protótipo contendo imagens, texto e vídeos com informações sobre a Hanseníase. Este é composto por material coletado nos manuais produzidos pelo Ministério da Saúde para orientação de cuidados na Hanseníase e um vídeo inserido para demonstrar como seria o acesso a este recurso, acessados por meio dos movimentos dos membros superiores no qual a pessoa posiciona-se, em frente ao painel, a uma distância de 80 cm, e seleciona o que deseja ver com uma das mãos, que se torna a \"mão virtual\" movida na tela e seleciona o material instrucional. Os requisitos funcionais e não funcionais foram organizados contendo a caracterização das imagens de forma legível e nítida e opções de textos buscando a compreensão e o acesso da população. Foram desenvolvidos 16 vídeos que ensinam como realizar os exercícios para prevenir incapacidades e possíveis deformidades, estimulando assim o autocuidado. Conclusão: O desenvolvimento de material educacional sobre a Hanseníase que utilize as novas tecnologias é escasso e pouco explorado pelos profissionais da reabilitação na hanseníase. Investir em ações que visem tornar a pessoa mais informada sobre sua doença e segura sobre seu tratamento, pode contribuir para a autonomia em parte dos cuidados e as novas tecnologias podem funcionar como importante aliado neste processo.

Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.

Esse trabalho de mestrado teve como estudo o transistor Túnel-FET (TFET) fabricado em estrutura de nanofio de silício. Este estudo foi feito de forma teórica (simulação numérica) e experimental. Foram estudadas as principais características digitais e analógicas do dispositivo e seu potencial para uso em circuitos integrados avançados para a próxima década. A análise foi feita através da extração experimental e estudo dos principais parâmetros do dispositivo, tais como inclinação de sublimiar, transcondutância (gm), condutância de saída (gd), ganho intrínseco de tensão (AV) e eficiência do transistor. As medidas experimentais foram comparadas com os resultados obtidos pela simulação. Através do uso de diferentes parâmetros de ajuste e modelos de simulação, justificou-se o comportamento do dispositivo observado experimentalmente. Durante a execução deste trabalho estudou-se a influência da escolha do material de fonte no desempenho do dispositivo, bem como o impacto do diâmetro do nanofio nos principais parâmetros analógicos do transistor. Os dispositivos compostos por fonte de SiGe apresentaram valores maiores de gm e gd do que aqueles compostos por fonte de silício. A diferença percentual entre os valores de transcondutância para os diferentes materiais de fonte variou de 43% a 96%, sendo dependente do método utilizado para comparação, e a diferença percentual entre os valores de condutância de saída variou de 38% a 91%. Observou-se também uma degradação no valor de AV com a redução do diâmetro do nanofio. O ganho calculado a partir das medidas experimentais para o dispositivo com diâmetro de 50 nm é aproximadamente 45% menor do que o correspondente ao diâmetro de 110 nm. Adicionalmente estudou-se o impacto do diâmetro considerando diferentes polarizações de porta (VG) e concluiu-se que os TFETs apresentam melhor desempenho para baixos valores de VG (houve uma redução de aproximadamente 88% no valor de AV com o aumento da tensão de porta de 1,25 V para 1,9 V). A sobreposição entre porta e fonte e o perfil de dopantes na junção de tunelamento também foram analisados a fim de compreender qual combinação dessas características resultariam em um melhor desempenho do dispositivo. Observou-se que os melhores resultados estavam associados a um alinhamento entre o eletrodo de porta e a junção entre fonte e canal e a um perfil abrupto de dopantes na junção. Por fim comparou-se a tecnologia MOS com o TFET, obtendo-se como resultado um maior valor de AV (maior do que 40 dB) para o TFET.