2 resultados para Nanofili silicio livelli profondi DLTS
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Resumo:
Paesaggio ed infrastrutture viarie sono un binomio molto forte: il primo ha insito il concetto di accessibilità, in quanto non può esistere senza la presenza di un osservatore; la strada, invece, trova i fattori che la connotano nel suo rapporto con la morfologia su cui insiste. Le infrastrutture viarie sono elemento strutturale e strutturante non solo di un territorio, ma anche di un paesaggio. Le attuali esigenze di mobilità portano oggi a ripensare ed adeguare molte infrastrutture viarie: laddove è possibile si potenziano le strutture esistenti, in diversi casi si ricorre a nuovi tracciati o a varianti di percorso. Porsi il problema di conservare itinerari testimoni della cultura materiale ed economica di una società implica considerazioni articolate, che travalicano i limiti del sedime: una via è un organismo più complesso della semplice linea di trasporto in quanto implica tutta una serie di manufatti a supporto della mobilità e soprattutto il corridoio infrastrutturale che genera e caratterizza, ovvero una porzione variabile di territorio definita sia dal tracciato che dalla morfologia del contesto. L’evoluzione dei modelli produttivi ed economici, che oggi porta quote sempre maggiori di popolazione a passare un tempo sempre minore all’interno del proprio alloggio, rende la riflessione sulle infrastrutture viarie dismesse o declassate occasione per la progettazione di spazi per l’abitare collettivo inseriti in contesti paesaggistici, tanto urbani che rurali, tramite reti di percorsi pensate per assorbire tagli di mobilità specifici e peculiari. Partendo da queste riflessioni la Tesi si articola in: Individuazioni del contesto teorico e pratico: Lo studio mette in evidenza come la questione delle infrastrutture viarie e del loro rapporto con il paesaggio implichi riflessioni incrociate a diversi livelli e tramite diverse discipline. La definizione dello spazio fisico della strada passa infatti per la costruzione di un itinerario, un viaggio che si appoggia tanto ad elementi fisici quanto simbolici. La via è un organismo complesso che travalica il proprio sedime per coinvolgere una porzione ampia di territorio, un corridoio variabile ed articolato in funzione del paesaggio attraversato. Lo studio propone diverse chiavi di lettura, mettendo in luce le possibili declinazioni del tema, in funzione del taglio modale, del rapporto con il contesto, del regime giuridico, delle implicazioni urbanistiche e sociali. La mobilità dolce viene individuata quale possibile modalità di riuso, tutela e recupero, del patrimonio diffuso costituito dalle diversi reti di viabilità. Antologia di casi studio: Il corpo principale dello studio si basa sulla raccolta, analisi e studio dello stato dell’arte nel settore; gli esempi raccolti sono presentati in due sezioni: la prima dedicata alle esperienze più significative ed articolate, che affrontano il recupero delle infrastrutture viarie a più livelli ed in modo avanzato non concentrandosi solo sulla conversione del sedime, ma proponendo un progetto che coinvolga tutto il corridoio attraversato dall’infrastruttura; la seconda parte illustra la pratica corrente nelle diverse realtà nazionali, ponendo in evidenza similitudini e differenze tra i vari approcci.
Resumo:
Results of experimental investigations on the relationship between nanoscale morphology of carbon doped hydrogenated silicon-oxide (SiOCH) low-k films and their electron spectrum of defect states are presented. The SiOCH films have been deposited using trimethylsilane (3MS) - oxygen mixture in a 13.56 MHz plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system at variable RF power densities (from 1.3 to 2.6 W/cm2) and gas pressures of 3, 4, and 5 Torr. The atomic structure of the SiOCH films is a mixture of amorphous-nanocrystalline SiO2-like and SiC-like phases. Results of the FTIR spectroscopy and atomic force microscopy suggest that the volume fraction of the SiC-like phase increases from ∼0.2 to 0.4 with RF power. The average size of the nanoscale surface morphology elements of the SiO2-like matrix can be controlled by the RF power density and source gas flow rates. Electron density of the defect states N(E) of the SiOCH films has been investigated with the DLTS technique in the energy range up to 0.6 eV from the bottom of the conduction band. Distinct N(E) peaks at 0.25 - 0.35 eV and 0.42 - 0.52 eV below the conduction band bottom have been observed. The first N(E) peak is identified as originated from E1-like centers in the SiC-like phase. The volume density of the defects can vary from 1011 - 1017 cm-3 depending on specific conditions of the PECVD process.