Molecular Dynamics in [(CH8)aN]z Cd14 A Proton Magnetic Relaxation Study

second moment measurements are carried out on [(CH,),N], CdI, in the temperature range 77 to 400 K. The results are interpreted based on a molecular dynamical model of randomly reorienting methyl groups and isotropically tumbling tetramethyl ammonium group. The relaxation data show contributions from spin-rotation interaction at high temperatures and presence of inequivalent methyl groups. The correlation times and associated activation energies, connected with this model, are calculated from the data. The structure in the absorption line and in the free-induction decay signal at 77 K indicates the possibility of tunnelling motion of the methyl groups. Im Temperaturbereich 77 bis 400 K werden an [(CH,),N],CdI, Protonen-Spin-Gitter-Relaxationsexperimente (bei Larmorfrequenzen von 10,20 und 30 MHz) und Messungen des zweiten Moments durchgefiihrt. Die Ergebnisse werden an Hand eines molekularen dynamischen Modells sich statistisch umorientierender Methylgruppen und isotrop taumelnder Tetramethyl-Ammoniumgruppen interpretiert. Die Relaxationswerte zeigen Beitriige von Spin-Rotations-Wechselwirkung bei hohen Temperaturen und die Anwesenheit von inaquivalenten Methylgruppen. Die Korrelationszeiten und verknupften Aktivierungsenergien, die mit diesem Model1 verbunden sind, werden am den Werten berechnet. Die Struktur in der Absorptionslinie und im Abklingsignal der freien Induktion bei 77 K zeigt die Moglichkeit einer Tunnelbewegung der Methylgruppen.

Proton Spin-Lattice Relaxation in Sodium Ammonium Selenate Dihydrate:NaNHaSeOa.2He0

Proton spin-lattice relaxation studies in sodium ammonium selenate dihydrate carried out in the temperature range 130 to 300 K at 10 MHz show a continuous change in T, at T, indicating a second order phase transition. This compound is a typical case of a highly hindered solid wherein the thermally activated reorientations of ammonium ions freeze well above 77 K, as seen by NMR.Untersuchimgen der Protonen-Spin-Gitter-Relaxation in Natriuni-Ammoniumselenat-Dihydrat bei 10 MHz im Temperaturbereich 130 bis 300 K zeigen eine kontinuierliche Andernng in TI bei T, und ergeben einen Phasenubergang zweiter Art. Diese Verbindung ist ein typischer Fall eines stark ,,behinderten" Festkarpers, in dein die thermisch aktivierten Reorientierungen der Ammoniumionen weit oberhalb 77 H einfrieren, wie die NMR-Ergebnisse zeigen.

Formation of Single-Phase Indium Selenide Thin Films by Elemental Evaporation

Formation of crystalline, monophasic indium selenide (InSe) thin solid films by elemental evaporation on hot glass substrates (400 to 530 K) is reported. The compound formation as well as the composition of the formed films are confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis. The crystallinity of the rhombohedral InSe films can be improved by post-depositional annealing for t < 30 min at 533 K. The InSe thin films become Se-deficient at higher temperatures of deposition or longer duration of annealing. Optical studies reveal the bandgap to be around 1.29 eV. Under optimum conditions of preparations the lowest resistivity of ≈ 12.8 Ω cm is obtained. Durch Verdampfen aus den Elementen auf heiße Glassubstrate (400 bis 530 k) werden dünne, kristalline, einphasige Indiumselenid (InSe)-Festkörperschichten gebildet. Sowohl die Bildung der Verbindung als auch die Zusammensetzung der Schichten werden durch Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) untersucht. Die Kristallinität der rhomboedrischen InSe-Schichten kann durch eine Temperung bei 533 K für t < 30 min nach der Abscheidung verbessert werden. Die dünnen InSe-Schichten zeigen nach Abscheidung bei höheren Temperaturen oder längerer Temperungsdauer einen Se-Unterschuß. Optische Untersuchungen ergeben, daß die Bandlücke bei etwa 1,29 eV liegt. Unter optimalen Präperationsbedingungen wird ein niedrigster Widerstand von ≈ 12.8 Ω cm erreicht.