El Heavy Metal en España, 1978-1985: fases de formación, cristalización y crecimiento

El heavy metal es uno de los movimientos socioculturales más extendidos de la cultura occidental. Musicalmente es, además, uno de los géneros más ricos de cuantos conforman el crisol de la música popular urbana, habiendo despertado el interés de sociólogos y musicólogos, fundamentalmente europeos y norteamericanos, que lo han introducido en el currículo académico. Una normalización que contrasta, sin embargo, con su apreciación en España, donde apenas se ha considerado como objeto de estudio, y mantiene un estatus de marginalidad. Esta tesis doctoral se plantea como punto de partida de una nueva línea de investigación, analizando las etapas evolutivas del heavy metal español; y con la intención de alcanzar la normalización que unifique criterios con las corrientes musicológicas anglosajonas. Trata de demostrar que existió una escena significativa de heavy metal en España, con unas características propias que la diferenciaron del resto, y que tuvo una presencia importante en el panorama musical y cultural español de principios de los años ochenta. A partir de esta hipótesis, presenta los siguientes objetivos principales: -­‐ Establecer una historia detallada de la evolución del heavy metal en España en sus fases de formación, cristalización y crecimiento, dentro de un contexto histórico, social y cultural. -­‐ Detallar las características musicales del heavy metal español en sus fases de formación, cristalización y crecimiento. -­‐ Esclarecer las principales influencias, los precedentes y la dimensión verbal del heavy metal español. -­‐ Evidenciar la trascendencia del heavy metal sobre la cultura y la música popular española. -­‐ Asentar el heavy metal como objeto de estudio en la musicología española. Debido a su doble enfoque histórico musical y analítico, la investigación está dividida en dos partes diferenciadas: una primera que trata el género desde su vertiente histórica, teniendo en cuenta su evolución dentro de un contexto político, social y cultural determinado; y una segunda, técnica, que atiende a su condición de estilo musical...

Deposition of Intrinsic a-Si:H by ECR-CVD to Passivate the Crystalline Silicon Heterointerface in HIT Solar Cells

We have deposited intrinsic amorphous silicon (a-Si:H) using the electron cyclotron resonance (ECR) chemical vapor deposition technique in order to analyze the a-Si:H/c-Si heterointerface and assess the possible application in heterojunction with intrinsic thin layer (HIT) solar cells. Physical characterization of the deposited films shows that the hydrogen content is in the 15-30% range, depending on deposition temperature. The optical bandgap value is always comprised within the range 1.9- 2.2 eV. Minority carrier lifetime measurements performed on the heterostructures reach high values up to 1.3 ms, indicating a well-passivated a-Si:H/c-Si heterointerface for deposition temperatures as low as 100°C. In addition, we prove that the metal-oxide- semiconductor conductance method to obtain interface trap distribution can be applied to the a-Si:H/c-Si heterointerface, since the intrinsic a-Si:H layer behaves as an insulator at low or negative bias. Values for the minimum of D_it as low as 8 × 10^10 cm^2 · eV^-1 were obtained for our samples, pointing to good surface passivation properties of ECR-deposited a-Si:H for HIT solar cell applications.

High On/Off ratio memristive switching of manganite/cuprate bilayer by interfacial magnetoelectricity

Memristive switching serves as the basis for a new generation of electronic devices. Memristors are two-terminal devices in which the current is turned on and off by redistributing point defects, e.g., vacancies, which is difficult to control. Memristors based on alternative mechanisms have been explored, but achieving both the high On/Off ratio and the low switching energy desirable for use in electronics remains a challenge. Here we report memristive switching in a La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_(3)/PrBa_(2)Cu_(3)O_(7) bilayer with an On/Off ratio greater than 103 and demonstrate that the phenomenon originates from a new type of interfacial magnetoelectricity. Using results from firstprinciples calculations, we show that an external electric-field induces subtle displacements of the interfacial Mn ions, which switches on/off an interfacial magnetic “dead” layer, resulting in memristive behavior for spin-polarized electron transport across the bilayer. The interfacial nature of the switching entails low energy cost about of a tenth of atto Joule for write/erase a “bit”. Our results indicate new opportunities for manganite/cuprate systems and other transition-metal-oxide junctions in memristive applications.