Detection of concealed information using event-related potentials

Existe un interés considerable en hallar métodos que nos ayuden a saber cuándo una persona miente y cuándo dice la verdad desde un punto de vista forense. Actualmente, una de las líneas de investigación se inclina hacia el uso de potenciales relacionados con eventos. Se pretende hacer una revisión de los artículos que estudian estos procedimientos mediante distintos métodos: propiedades, fiabilidad, validez y limitaciones. Los resultados indican tasas de acierto en la discriminación de culpables en un rango de 7 al 100 por ciento, y en la de inocentes de 31 a 100 por ciento. La gran variabilidad y la posibilidad de “falsear” las respuestas llevan a cuestionar la inexactitud utilizada en algunos círculos mediáticos respecto a las cualidades y finalidades de dicha prueba. Se concluye la necesidad de profundizar más la posibilidad de que esta prueba sea utilizada con fines forenses.

Thermal stability study of AlGaN/GaN MOS-HEMTs using Gd2O3 as gate dielectric

Thermal stability of AlGaN/GaN MOS-HEMTs and -diodes using Gd_(2)O_(3) are investigated by means of different thermal cycles and storage tests up to 500ºC for one week. IV DC and pulsed characteristics of the devices before and after the processes are evaluated and compared with conventional HEMTs. Results show that the devices with Gd_(2)O_(3) dielectric layer have lower leakage current and a more stable behavior during thermal treatment processes compared with conventional devices. In fact, an excellent on/off ratio of about 108 and a stable V_(t) is observed after storage at high temperature. The beneficial effects of Gd_(2)O_(3) on trapping effects of MOS-HEMTs are also dis-cussed.