IP方法模拟硬盘读写头气膜润滑问题

本论文中采用IP方法模拟硬盘读写头的气膜润滑问题，并选择耗时但精准的DSMC方法作为该问题中IP方法的检验标准，IP方法计算得到的读写头表面压力分布及读写头所受净升力为读写头的设计提供可靠的参考数据。 首先，将读写头复杂表面简化为平面并假定尺寸为微米（远小于真实的毫米），微米尺寸时可以得到DSMC的模拟结果用于比较。IP法对该问题的模拟结果与DSMC的模拟结果完全吻合。 其次，选定一个真实的读写头表面几何，但仍然假定尺寸为微米。IP法在该问题的应用过程中遇到四点困难，我们提出或采取了相应的解决办法。在复杂表面几何的读写头气膜润滑问题中，IP法的模拟结果与DSMC的模拟结果也相符一致。 最后完成真实几何、真实尺寸（毫米）的读写头气膜润滑问题的模拟，这也是本论文的最终研究目标。IP法模拟该问题时需要采用大网格，为此我们构造二维检验模型验证了大网格的合理性。 真实几何读写头气膜润滑问题的模拟结果表明，在流场的局部区域压力沿着高度方向变化显著，这意味着读写头问题的传统计算方法（即概括性雷诺方程）在该局部区域不成立，故用它计算得到的结果值得认真检验，但文献中尚未给出过这类检验。这正是该论文的研究背景和采用新方法（IP方法）的原因。 本论文研究的问题属于过渡领域、低速流动问题，故本论文还介绍了该领域另外一种粒子模拟方法（LVDSMC方法）以及我们对该方法提出的一些改进。 关键词：硬盘读写头，气膜润滑，概括性雷诺方程，IP方法，DSMC方法，过渡领域，LVDSMC方法

一种基于第二磁盘的解决磁盘碎片的方案

在深入剖析操作系统内部的磁盘碎片产生过程的基础上,提出一种新的解决磁盘碎片方案。首先给计算机新添一个磁盘来保存Windows操作系统中容易产生碎片的目录,然后定期对这个新增磁盘进行碎片整理,从而有效提高操作系统的性能。进而,描述优先地使用固态硬盘作为新增磁盘,将具有更大的优势。经实验证明,这种新增磁盘来解决磁盘碎片问题的方案具有很好的实用价值。

The influence of hard-segments on two-phase structure and shape memory properties of PCL-based segmented polyurethanes

Poly(epsilon-caprolactone)-based segmented polyurethanes (PCLUs) were prepared from poly(epsilon-caprolactone) diol, diisocyanates (DI), and 1,4-butanediol. The DIs used were 4,4'-diphenylmethane diisocyanate (MDI), 2,4-toluenediisocyanate (TDI), iso-phorone diisocyanate (IPDI), and hexamethylene diisocyanate (HDI). Differential scanning calorimetry, small-angle X-ray scattering, and dynamic mechanical analysis were employed to characterize the two-phase structures of all PCLUs. It was found that HDI- and MDI-based PCLUs had higher degree of microphase separation than did IPDI- and TDI-based PCLUs, which was primarily due to the crystallization of HDI- and MDI-based hard-segments. As a result, the HDI-based PCLU exhibited the highest recovery force up to 6 MPa and slowest stress relaxation with increasing temperature. Besides, it was found that the partial damage in hard-segment domains during the sample deformation was responsible for the incomplete shape-recovery of PCLUs after the first deformation, but the damage did not develop during the subsequent deformation.