Behaviour of Gaseous Chlorine and Alkali Metals During Biomass Thermal Utilisation

The behaviour of gaseous chlorine and alkali metals of three sorts of biomass (Danish straw, Swedish wood, and sewage sludge) in combustion or gasification is investigated by the chemical equilibrium calculating tool. The ranges of temperature, air-to-fuel ratio, and pressure are varied widely in the calculations (T=400-1800 K, gimel=0-1.8, and P=0.1-2.0 MPa). Results show that the air excess coefficient only has less significant influence on the release of gaseous chlorine and potassium or sodium during combustion. However, in biomass gasification, the influence of the air excess coefficient is very significant. Increasing air excess coefficient enhances the release of HCl(g), KOH(g), or NaOH(g) as well as it reduces the formation of KCl(g), NaCl(g), K(g), or Na(g). In biomass combustion or straw and sludge gasification, increasing pressure enhances the release of HCl(g) and reduces the amount of KCI(g), NaCl(g), KCI(g), or NaOH(g) at high temperatures. However, during wood gasification, the pressure enhances the formation of KOH(g) and KCI(g) and reduces the release of K(g) and HCl(g) at high temperatures. During wood and sewage sludge pyrolysis, nitrogen addition enhances the formation of KCN(g) and NaCN(g) and reduces the release of K(g) and Na(g). Kaolin addition in straw combustion may enhance the formation of potassium aluminosilicate in ash and significantly reduces the release of KCl(g) and KOH(g) and increases the formation of HCl(g).

Assessment of Microscale Test Methods of Peeling and Splitting along Surface of Thin-Film/Substrates

Peel test methods are assessed through being applied to a peeling analysis of the ductile film/ceramic substrate system. Through computing the fracture work of the system using the either beam bend model (BB model) or the general plane analysis model (GPA model), surprisingly, a big difference between both model results is found. Although the BB model can capture the plastic dissipation phenomenon for the ductile film case as the GPA model can, it is much sensitive to the choice of the peeling criterion parameters, and it overestimates the plastic bending effect unable to capture crack tip constraint plasticity. In view of the difficulty of measuring interfacial toughness using peel test method when film is the ductile material, a new test method, split test, is recommended and analyzed using the GPA model. The prediction is applied to a wedge-loaded experiment for Al-alloy double-cantilever beam in literature.

粉质粘土中的刚性桩在横向载荷作用下失稳的模型试验研究

为解释横向载荷作用下刚性桩的失稳机理,针对桩头自由的刚性桩做了一系列横向加载试验.基础土为粉质粘土,含水量介于9.85%～13.85%之间.由载荷-位移全过程曲线发现,刚性桩在横向载荷达到一定值时会失稳;由试验录像及土体剖面发现,由于土体的软化破坏,在桩后土体内会出现贯穿的局部破坏并形成一楔体,同时在土面伴随一不完全的椭圆形鼓包及一条平行于加载方向的拉伸裂缝,而在桩前土中,由于桩的挤压会形成一条侵彻沟.分析认为,对大位移刚性桩桩后土体的破坏是桩失稳的根本原因.

Improvement of sensitivity and refractive-index changes in LiNbO3 : Ce : Cu crystals with UV light

A nonvolatile recording scheme is proposed using LiNbO3:Ce:Cu crystals and modulated UV light to record gratings simultaneously in two centres and using red light to bleach the grating in the shallow centre to realize persistent photorefractive holographic storage. Compared with the normal UV-sensitized nonvolatile holographic system, the amplitude of refractive-index changes is greatly increased and the recording sensitivity is significantly enhanced by recording with UV light in the LiNbO3:Ce:Cu crystals. Based on jointly solving the two-centre material equations and the coupled-wave equations, temporal evolutions of the photorefractive grating and the diffraction effciency are effectively described and numerically analysed. Roles of doping levels and recording-beam intensity are discussed in detail. Theoretical results confirm and predict experimental results.

豆科黄华属（Thermopsis）的系统学研究

本文重点分析了黄华属植物的形态变异，并结合微形态、植物地理及分子生物学的证据，对全世界黄华属植物首次进行了全面的分类学修订，承认全世界黄华属植物共5组、21种、6变种。对Czefranova (1954，1958，1970，1976)的分类系统／2亚属、4组、38种，及其他学者描述的种进行了修正。对7个种进行了归并处理：确认了3个种的分类学地位;新组合了两个变种;建立了1个新组。 考证了属的正确模式及一些种的合法学名。长期被误用的本属模式 Thermopsis lanceolata R．Br. (1811)实际上是根据Sophora lupinoides L．(1973)同 模式（轮生花）建立的一个多余名，这个命名法上的异名应当被废弃而代之以T. lupinoides (L.) Link (1821)。而长期被误用的东北亚互生花黄华的正确名称应当是T. fabacea (Pall.) DC. (1825). 本文首次较全面的研究了黄华属植物的地理学。黄华属基本上为东亚-北美间断分布属。东亚地区是黄华属植物的现代分布及分化中心。伊朗-土兰地区及落基山地区是次生分布和次生演化中心，该属的多倍性现象也出现在这二地区，而且自此二地区曾经描述了许多新分类群，同时也被归并了很多，然而，最近的分子生物学证据又揭示，在这些地区曾被归并的一些分类群应是不同的实体，这似乎也在提醒分类学家，对这些物种分化较活跃的区域进行分类处理时，无论是描述新分类群，抑还归并或新组合旧分类群都应持谨慎态度。 据黄华属植物的现代地理分布、形态演化趋势、现有的化石及地质历史资料推测，黄华属植物在中新世之前早已存在，并且很可能在早第三纪或晚白垩纪，起源于劳亚古陆上一个含羽扇豆生物碱的古槐成员。两大陆分离后，在不同的促进种化因子的影响下，形成了各自的演化格局。根据黄华属植物的系统演化趋势、原始类群的分布式样及特有现象分析，东亚地区的中国，日本亚区和北美的阿把拉契亚省可能是可能是本属现存植物的原始类型保存中心。

落叶松属的分子进化与生物地理学

　　松科植物的核基因组十分庞大，基因常形成复杂的基因家族，核rDNA ITS 区在基因组内和基因组间存在广泛的长度和序列变异，但染色体数目和核型却高度保守，几乎均为二倍体(2n＝24)，与被子植物频繁的多倍化和高度均一的ITS区形成鲜明对比;叶绿体、线粒体和核基因组分别为父系、母系及双亲遗传，这种独特的遗传体系组合为系统发育重建研究提供了便利条件。因此，松科植物不仅是阐明基因树/物种树这一理论问题的理想试材，而且是基因和基因组进化及核rDNA致同进化机制研究的好材料。此外，松科植物的进化历史悠久，很多类群经历了多次重大的地质历史事件，并呈各种间断分布格局，其生物地理学问题受到广泛关注。本文对落叶松属所有物种(L. lyallii除外)和大部分变种的叶绿体基因组trnT-trnF区、低拷贝核4CL基因家族 (4-香豆酸辅酶A连接酶基因)及多拷贝核rDNA ITS区进行了序列分析，重建了该属的系统发育并揭示了其地理分布格局的形成过程，同时基于克隆和基因谱系分析，探讨了核4CL和rDNA ITS这两个基因家族的进化式样及规律。 　　1. 叶绿体trnT-trnF区和核rDNA ITS区的研究结果表明：落叶松属的种间遗传分化程度很低，北美的种类构成一个单系分支，并为欧亚种类的姐妹群。短苞鳞的欧亚落叶松组和长苞鳞的欧亚红杉组之间的分化较早，接近欧亚和北美种类间的分化时间。换句话说，苞鳞长短的分化在落叶松属中至少发生过两次，其中一次在落叶松属分化的初期，另一次在北美的种类中。结合化石、地史及气候资料，我们推测：落叶松属的共同祖先通过白令陆桥扩散，并形成欧亚和北美两支,然后在不同的板块上独立进化。落叶松组的泛北极分布是冰期后的回迁形成的，而红杉组的物种在第三纪全球气温降低时向南迁移，进而形成东亚－北美间断分布，特别是欧亚红杉组的祖先曾伴随青藏高原的隆升而发生辐射分化。 　　2. 在落叶松属4CL基因家族的研究中共获得44个差异的克隆，除华北落叶松外，其它种类均含2-4个成员。系统发育分析表明： 4CL基因频繁发生重复/丢失，并导致谱系拣选。该基因在落叶松属的共同祖先中发生一次重复，形成4clA和4clB，4clA再次发生基因重复形成4clA1和4clA2。重复产生的这两对并系基因拷贝在进化速率上呈显著差异，其中一个拷贝的进化速率明显加快，可能与进化制约的减弱或功能分化有关。结合其它核基因的研究结果，我们推测频繁的基因重复/丢失可能是形成和维持松科植物庞大核基因组的重要机制之一。 　　3. 对落叶松属101个nrDNA ITS克隆进行了序列及分子进化分析，发现极少数克隆存在较大的长度及（或）序列变异，并可能为假基因或重组体，其它克隆间的序列分化水平较低。因而，落叶松属核rDNA的致同进化速率比松科中两个古老的属（松属和云杉属）快。该致同进化速率的加快可能与落叶松属年轻的进化历史及染色体上较少的rDNA位点数目有关。由于一些特异克隆含嵌合序列及极高的序列变异，推测它们可能来源于物种进化过程中染色体重排形成的小位点(minor loci)或为孤独基因(orphons)。此外，我们发现nrDNA ITS克隆的分布式样与落叶松属的分化及地理分布格局的形成有密切关系：在欧亚红杉组中，克隆常按分类群（物种或变种）形成单系分支，表明这些类群的分化曾伴随着强烈的nrDNA ITS奠基者效应;相反，在欧亚落叶松组中，所有物种的克隆均混杂在一起，说明这些物种的分化时间较晚或在冰期后回迁的过程中曾发生频繁的种间基因交流。

火烧、施肥、刈割及其交互作用对草原土壤净氮矿化的影响

我国北方温带草原地处干旱半干旱区，是欧亚大陆草原生物区系的重要组成部分，也是我国重要的畜牧业生产基地。土壤氮素作为陆地植物生长和生态系统初级生产力的主要限制因子之一，了解其矿化和可利用性对各种人为干扰因素的响应，有助于我们充分认识草地退化机理，维持草场生产力并进一步促进畜牧业的可持续发展，为草地恢复、重建和维护提供理论依据。本实验在中国科学院内蒙古草原生态系统定位研究站的多年围封退化样地，分别实施了火烧、施肥、刈割及其交互作用的人为干扰处理，利用原状土野外培养的方法，在两年时间中，研究不同的人为干扰因素（火烧、施肥、刈割及其交互处理）对土壤净氮矿化作用的影响。 火烧显著影响草原的氮循环过程，季节和年际的气候变化参与调节氮循环对火烧处理的响应。多年围封后的初次人工火烧处理显著降低了第一个生长季（2006 年生长季）和其后冬季的土壤净氮矿化速率，但是，火烧处理仅在冬季对土壤无机氮含量产生显著降低作用；2007 年生长季，火烧处理对土壤净氮矿化速率和土壤无机氮含量没有显著作用，但是在个别月份，不同的火烧频率对土壤净氮矿化速率和无机氮含量的影响表现出差异。2006 年生长季，未火烧样地和火烧样地净氮矿化积累量分别为3.07±0.26 g N m-2 和2.18±0.21 g N m-2；冬季，未火烧样地和火烧样地净氮矿化积累量分别为1.18±0.25 g N m-2 和0.51±0.08 g N m-2；2007 年生长季，未火烧样地（BC）、每年火烧样地（B1）和两年一烧样地（B2）净氮矿化积累量分别为1.32±0.21 g N m-2、0.54±0.30 g N m-2 和 0.77±0.24 g N m-2。较为湿润的2006 年生长季的净氮矿化积累量显著高于较为干旱的2007 年生长季，冬季也存在相当丰富的净氮矿化积累量。我们推论，长时间围封后的单次火烧处理对土壤净氮矿化作用的影响可能是短效的，但是年际间气候变化对土壤净氮矿化作用影响显著。 施肥显著提高了土壤的无机氮含量，并且与施肥梯度呈显著正相关关系。施肥对土壤无机氮含量的影响具有累加效应，第一次施肥和第二次施肥后的首次取样，+N5.25 、+N17.5 、+N28.0 三个施肥梯度的样地土壤无机氮含量比未施肥样地分别高出56%、219%、1054%和514%、891%、1811%。施肥处理在2006 年和2007 年对土壤净氮矿化作用都没有显著影响，仅在2007 年的个别月份有一定效果。以上结果说明，无机氮肥的添加可以明显提高土壤中无机氮的含量，满足植物生长的需求，但对于土壤氮转化过程的影响可能还要受其它环境和生物因子的制约。 刈割对土壤无机氮含量和净硝化速率没有显著作用，对土壤净氮矿化速率仅在个别月份表现显著效果。2007 年生长季，未刈割样地和刈割样地净氮矿化积累量分别为1.32±0.21 g N m-2 和1.08±0.35 g N m-2，不存在显著差异。我们推论，长期围封后的单次刈割处理在短期内对生长季的土壤氮动态仅有微弱影响，并且这种效果还可能受水分因素的制约。 火烧、施肥、刈割的交互处理在2007 年生长季对土壤无机氮含量产生显著作用，但是，对土壤净氮矿化速率和净硝化速率没有显著效果，然而，在不同的取样时间，火烧、施肥、刈割的交互处理对土壤无机氮含量、净氮矿化速率和净硝化速率的影响存在显著差异，说明火烧、施肥、刈割的交互处理对土壤无机氮和净氮矿化作用的影响可能受各种环境因子的制约，尤其是在水分相对缺乏的半干旱内蒙古草原，非生物因子和生物因子可能共同影响着土壤中的氮平衡。 本研究初步分析了长期围封后火烧、施肥、刈割及其交互处理对土壤净氮矿化的影响，初步探究了人为干扰和环境气候变化对土壤可利用性氮的调节作用，为科学地进行禁牧、割草、人工养份添加等草原管理提供了数据支持。

抗艾滋病的药物组合物及其应用

一种抗艾滋病的药物组合物，其中含有抗艾滋病有效量的式（Ⅰ） 化合物β－硝基苯乙烯及可药用载体和／或赋形剂。$上述药物组合物在制备逆转录酶抑制剂药物中的应用；上述药物组合物在制备抗艾滋病药物中的应用.

黑腹果蝇黑条体突变体突变位点的鉴定

根据果蝇ebony基因的序列设计了一系列特异性引物,对1991年发现的一种黑腹果蝇的新的体色突 变(Qian&Zhang,1994)——黑条体突变型的ebony基因进行克隆和序列测定。与野生型W91910的ebony基因 相比,黑条体突变型的ebony基因的编码区无明显的大片段变异,变异仅存在于数个氨基酸位点,且均不位于 该基因产物的关键序列。在黑条体的ebony基因的5’端序列的克隆和序列测定中发现,与野生型W91910及黑檀体 e’的ebony基因相比,黑条体突变型的ebony基因有一个大片段的缺失,

Fracture Properties of LPCVD Silicon Nitride and Thermally Grown Silicon Oxide Thin Films From the Load-Deflection of Long Si3N4 and SiO2/Si3N4 Diaphragms

The bulge test is successfully extended to the determination of the fracture properties of silicon nitride and oxide thin films. This is achieved by using long diaphragms made of silicon nitride single layers and oxide/nitride bilayers, and applying comprehensive mechanical model that describes the mechanical response of the diaphragms under uniform differential pressure. The model is valid for thin films with arbitrary z-dependent plane-strain modulus and prestress, where z denotes the coordinate perpendicular to the diaphragm. It takes into account the bending rigidity and stretching stiffness of the layered materials and the compliance of the supporting edges. This enables the accurate computation of the load-deflection response and stress distribution throughout the composite diaphragm as a function of the load, in particular at the critical pressure leading to the fracture of the diaphragms. The method is applied to diaphragms made of single layers of 300-nm-thick silicon nitride deposited by low-pressure chemical vapor deposition and composite diaphragms of silicon nitride grown on top of thermal silicon oxide films produced by wet thermal oxidation at 950 degrees C and 1050 degrees C with target thicknesses of 500, 750, and 1000 mn. All films characterized have an amorphous structure. Plane-strain moduli E-ps and prestress levels sigma(0) of 304.8 +/- 12.2 GPa and 1132.3 +/- 34.4 MPa, respectively, are extracted for Si3N4, whereas E-ps = 49.1 +/- 7.4 GPa and sigma(0) = -258.6 +/- 23.1 MPa are obtained for SiO2 films. The fracture data are analyzed using the standardized form of the Weibull distribution. The Si3N4 films present relatively high values of maximum stress at fracture and Weibull moduli, i.e., sigma(max) = 7.89 +/- 0.23 GPa and m = 50.0 +/- 3.6, respectively, when compared to the thermal oxides (sigma(max) = 0.89 +/- 0.07 GPa and m = 12.1 +/- 0.5 for 507-nm-thick 950 degrees C layers). A marginal decrease of sigma(max) with thickness is observed for SiO2, with no significant differences between the films grown at 950 degrees C and 1050 degrees C. Weibull moduli of oxide thin films are found to lie between 4.5 +/- 1.2 and 19.8 +/- 4.2, depending on the oxidation temperature and film thickness.