Depth dependence of nanohardness in a CuAlNi single crystal shape memory alloy

Instrumented nanoindentation was employed to study the depth dependence of nanohardness in a CuAlNi single crystal shape memory alloy that exhibits shape memory effect (SME). A Berkovich indenter and a cube comer indenter were used in this study, and the

几种作物非叶器官结构和功能的研究

本论文以小麦、水稻等几种重要经济作物为材料，应用透射电镜、扫描电镜、激光共聚焦显微镜以及氧电极，低温荧光等生理技术手段，对作物非叶器官的结构和主要生理特性进行了较全面和系统的研究。其中，比较分析了非叶器官叶绿体超微结构的差异，测量了非叶器官的放氧和低温荧光等生理指标，尝试从结构与功能相结合的角度，探讨非叶器官在提高作物产量中所起的重要作用。 首先以不同品种的小麦为实验材料，对其主要非叶器官－茎秆，从解剖结构、木质素含量、以及抗倒伏的力学特性等方面做了详细的比较研究。结果表明：高产小麦品种茎秆的秆壁厚度、茎截面积、机械组织厚度及细胞层数、维管束与其韧皮部的截面积等，均明显优于一般小麦品种。在茎秆薄壁组织细胞、机械组织细胞（厚壁组织细胞）和维管束的木质素含量上，高产品种也显著高于对照品种。另外，通过分析证明，小麦植株抗倒伏的能力与其茎秆高度、直径和髓腔直径等均有密切关系。因此，在超高产小麦品种的选育上，重视外源基因的引进，改进茎秆的结构特性及提高其木质素含量，可能是一个重要的选育方向。 气孔是植物器官吸收CO2 和放出O2 的主要通道，对光合作用的强弱有着决定性的作用。因此，对非叶器官表面气孔的研究显得尤为重要。通过对几种作物非叶器官气孔频度、气孔大小和气孔指数的研究，结果发现，非叶器官的气孔频度均较对应功能叶低;而气孔大小和气孔指数则变化较大。另外，本文还着重讨论了非叶器官气孔频度对作物光合作用的影响，并提出了在非叶器官中可能存在与此相适应的未知的光合类型 叶绿体是作物进行光合作用的场所，通过对小麦、水稻非叶器官及功能叶叶绿体超微结构的比较研究，发现非叶器官单个光合细胞中叶绿体的数量较少，体积也较小。其中小麦芒和颖片有发育较好的叶绿体结构，其基粒数可达普通叶的水平，但比旗叶少;外稃和穗轴都有完整的基粒跺叠，只是跺叠的数量较少;而内稃基粒少，基粒内囊体跺叠不整齐。随着小麦芒的衰老过程，其中叶绿体的数量也随之减少，并且这种减少的趋势在旗叶中先发生。非叶器官中叶绿体超微结构的这种变化和差异，暗示着非叶器官可能在作物的不同发育时期，对籽粒有重要作用。 通过对非叶器官和功能叶光合特性的比较研究，发现不同种作物非叶器官具有与功能叶不同的光合特性。在436nm 激发光下，非叶器官的F686／F734 明显高于旗叶;若以放氧为标准，比较功能叶和非叶器官的光合活性，发现以叶绿素为单位，非叶器官的放氧速率与旗叶相当，或甚至高于旗叶;以单穗为单位，最高可相当于旗叶的28％。另外，比较不同发育时期芒和旗叶的放氧速率，发现芒在作物的衰老后期，仍保持较高的光合活性。

A multi-standard active-RC filter with accurate tuning system

A low-power, highly linear, multi-standard, active-RC filter with an accurate and novel tuning architec-ture is presented. It exhibits 1EEE 802. 11a/b/g (9.5 MHz) and DVB-H (3 MHz, 4 MHz) application. The filter exploits digitally-controlled polysilicon resistor banks and a phase lock loop type automatic tuning system. The novel and complex automatic frequency calibration scheme provides better than 4 comer frequency accuracy, and it can be powered down after calibration to save power and avoid digital signal interference. The filter achieves OIP3 of 26 dBm and the measured group delay variation of the receiver filter is 50 ns (WLAN mode). Its dissipation is 3.4 mA in RX mode and 2.3 mA (only for one path) in TX mode from a 2.85 V supply. The dissipation of calibration consumes 2 mA. The circuit has been fabricated in a 0.35μm 47 GHz SiGe BiCMOS technology; the receiver and transmitter filter occupy 0.21 mm~2 and 0.11 mm~2 (calibration circuit excluded), respectively.