富锂提拉法生长近化学计量比钽酸锂晶体

摘要：采用富锂提拉法成功生长了高质量、大尺寸的近化学剂量比钽酸锂（SLT）晶体。对晶体的畴结构、紫外吸收边、红外吸收谱以及拉曼光谱都进行了测试及分析，并与同成分钽酸锂晶体进行了比较。结果显示相对于CLT晶体，SLT晶体紫外吸收边蓝移了13nm, OH-的红外吸收谱峰和拉曼散射峰也明显变窄；并且SLT晶体的矫顽场为2KV/mm, 也远低于CLT晶体(21KV/mm)。这些测试结果都表明，SLT晶体的Li含量比CLT高，本征缺陷明显减少。计算表明，采用富锂提拉法生长的SLT晶体中Li含量49.7%以上，接近化学计量比，且其光学性能优良。