~(19)F+~(93)Nb耗散反应产物不重复截面的分析

完成了19F +93 Nb耗散反应产物激发函数的两次独立测量 ,入射束流的能量从 10 2MeV到10 8MeV ,步长 2 5 0keV .实验结果在一些相同能量点两次测量的截面不能重复 .分析表明 :能量自关联函数的离散程度大约相当于随机计数率引起的离散程度的 3倍 ;激发函数曲线相对于能量平均本底的几率分布 ,有大约 2 1髎超出了标准高斯分布宽度的 3倍 ;两次测量得到的截面之差的几率分布大约有 18髎也超出了标准高斯分布宽度的 3倍 .可见 ,两次测量的19F +93 Nb耗散反应产物激发函数的截面不重复性具有明确的统计意义 ,其来源不是计数率的随机涨落 .

~(93)Pd的β缓发质子衰变

通过58 Ni(40 Ca ,3n2p)反应合成等待点核93 Pd ,采用氦喷嘴带传输系统加p γ符合 ,观测到了它的 β缓发质子衰变 ,测得其半衰期为 (1.3± 0 .2 )s .采用统计模型计算拟合了实验测得的 β缓发质子能谱和布居到质子发射体子核不同终态的分支比 ,指认了93 Pd的基态自旋为 9 2 .用Woods XasonStrutinsky方法计算了93 Pd的核位能面 ,其结果表明93 Pd基态自旋宇称可能为 9 2 + .

~(19)F+~(93)Nb耗散反应的相互作用时间

测量了1 9F + 93Nb耗散反应产物的激发函数与角分布 .从角分布的斜率提取的该反应系统的平均寿命在对称性较大的入射系统中反映了系统中耗散产物的特征时间 ;通过能量自关联函数方法从激发函数提取的反应时间不论在对称的还是在非对称的入射系统中都反映了耗散产物的特征时间 .能量自关联函数还可以给出双核系统的转动角速度以及表征转动阻尼的退相干宽度 ,更好地描述双核系统随时间的整个演化过程 .

~(19)F+~(93)Nb耗散反应产物激发函数中截面测量的不重复性

完成了 1 9F + 93Nb重离子耗散碰撞激发函数的两次独立测量 .束流的入射能量为 1 0 0— 1 0 8MeV ,步长 2 50keV .两次测量的宏观条件几乎完全一样 ,惟一的差别是使用了厚度分别为 70和 71 μg cm2 的两块 93Nb同位素靶 .实验结果表明 :( 1 )两次测量所得到的耗散反应产物激发函数的涨落具有不可平滑的结构 ;( 2 )这种不平滑的涨落截面有不重复的迹象 .着重从实验的角度对这一结果进行了讨论 .

~(19)F+~(93)Nb重离子耗散碰撞中截面测量的不可重复性(英文)

完成了１９Ｆ＋９３Ｎｂ重离子耗散碰撞激发函数的两次独立测量．束流１９Ｆ８＋的入射能量１００—１０８ＭｅＶ，能量步长２５０ｋｅＶ；两次测量中分别使用了厚度为７０和７１μｇ／ｃｍ２的９３Ｎｂ靶，其它宏观实验条件（例如，入射能量及能量步长，探测器及其探测角度，加速器、电子学以及数据获取系统的参数选取等等）则保持完全相同．实验结果表明，两次测量所得到的耗散产物截面的激发函数的不平滑结构具有不可重复性．这一实验结果支持了最近提出的理论预言：“在复杂量子碰撞中存在对初始条件的极端敏感性与混沌运动．”

高能kr离子辐照聚合物膜的潜径迹及其辐照降解特性的研究

本文简要叙述了快重离子在固体材料，特别是聚合物材料中引起的强电子激发效应研究的基本理论、发展历史和研究现状。描述了在兰州重离子加速器上完成的25 MeV/u 86Kr离子辐照叠层聚对苯二甲酸乙二醇酯膜（PET）和聚碳酸酯（PC）膜的实验及结果分析。应用傅立叶红外变换光谱（FT-IR）及X-射线衍射分析（XRD）方法研究了在不同电子能损及不同注量辐照条件下，高能Kr离子在聚合物PET和PC潜径迹中引起的的损伤效应。结果表明：高能Kr离子在聚合物PET、PC膜引起的损伤主要是由于辐照引起的断键及键的重组产生的官能团的降解及非晶化过程，损伤截面存在电子能损阈值，且与官能团的结构有关。 对PET的傅立叶红外变换光谱分析结果给出，电子能损为7.25 keV/nm时，对应官能团吸收峰794 cm-1, 849 cm-1, 1021 cm-1, 1341 cm-1, 1410 cm-1, 1505 cm-1,的损伤截面半径分别为：3.63 nm, 4.70 nm, 4.58 nm, 3.54 nm, 5.17 nm, 5.32 nm。X-射线衍射分析结果表明，PET的非晶化转变截面随离子注量和电子能损的增大而增加，（100）衍射峰的相对强度I/I0随离子注量的增加而指数衰减，对应电子能损为6.62, 6.93, 7.25 keV/nm，其相应的非晶化半径分别为4.86, 5.64, 6.77 nm。 对PC的傅立叶红外变换光谱分析表明，当电子能损比较小，大多数官能团的红外吸收无明显变化，直到当辐照注量为2×1012 ions/cm2 且电子能损比较大时，其绝对吸收强度才发生明显的改变。电子能损为6.37 keV/nm 时，对应官能团吸收峰为519 cm-1, 605 cm-1, 724 cm-1, 1014 cm-1，其损伤截面分别为：13.12, 45.40, 50.21, 56.28 nm2