Low-temperature heat capacity and thermodynamic properties of crystalline 2-chloro-5-trichloromethylpyridine

The low-temperature heat capacities of 2-chloro-5-trichloromethylpyridine were measured with a high-precision automated adiabatic calorimeter in the temperature range from 80 K to 345 K. A solid-liquid phase transition was observed from 318.57 K to 327.44 K with peak temperature 324.67 K; the molar enthalpy and entropy of phase transition, DeltaH(m) and DeltaS(m), were determined to be 14.50 +/-0.02 kJ mol(-1) and 44.66 +/- 0.07 kJ K-1 mol(-1), respectively. The thermal stability was investigated through thermogravimetric analysis (TG). The TG and DTG results reveal that 2-chloro-5-trichloromethylpyridine starts to lose mass at 332 K due to evaporation and completely changes into vapour at 483 K under the present experimental conditions.

飞秒激光辐照ZnO晶体

利用飞秒激光对ZnO晶体进行辐照，对辐照前后的晶体样品进行发光光谱及拉曼光谱检测。辐照后发光光谱的某些发光峰强度有明显增强，但未产生新的发光峰，表明没有新的缺陷结构产生，但晶体内锌空位、间隙位锌、间隙位缺陷浓度增加。拉曼光谱结果表明，辐照后ZnO晶体未产生相变，但随着辐照激光功率的增大，拉曼峰327 cm-1，437 cm-1强度明显减弱，表明在飞秒激光辐照作用下氧化锌的结晶程度下降。但574 cm-1峰值却随着辐照功率的增大而变大，分析表明该拉曼峰很可能是由于晶体内间隙位缺陷所致。同时实验过程中观察到飞

硬粒小麦（Triticum durum Desf.）单倍体诱导新技术单倍体原生质体植株的再生

硬粒小麦DR147授以超甜玉米(ss7700)的花粉后，83.4%的小麦柱头上的玉米花粉萌发，花粉管经由花柱抵达胚囊，受精率和成胚率分别为44.4%和42.6%。杂种合子核型高度不稳定，在细胞分裂过程中来自父本玉米的染色体逐渐被排除，最后形成硬粒小麦单倍体胚。尽管硬粒小麦×玉米存在较高频率的双受精(32.7%)，同时形成胚和胚乳，但由于胚乳发育异常及败育，最后难以获得有生活力的种子。 硬粒小麦授以玉米的花粉后用100ppm 2，4-D进行处理（浸蘸穗子或向穗茎节间注射），可以延长杂种胚在植株上的存活时间。授粉9-13天后将颖果表面灭菌后在实体显微镜下剥取不同发育时期的幼胚，分别接种于含或不含2.0mg／l2，4-D，3%蔗糖，200mg／l水解酪蛋白，146mgl谷氨酰氨，300mg／l天冬氨酸的MS固体培养基上进行胚拯救或诱导愈伤组织。结果表明，发育程度较高的胚（具盾片的胚，长度大于0.5mm）容易通过胚拯救获得单倍体植株或诱导出愈伤组织，而发育程序较低的胚（琏形胚，梨形胚，鱼雷形胚，长度小于0.3mm）不易获得单倍体植株或诱导愈伤组织而常常变褐，最后死亡。如果将这些胚预先接种子含0.1mg／l BAP，3%蔗糖，200mg/l水解酪蛋白，146mg/l谷氨酰胺，300mg/l天冬氮酸的MS固体培养基上预培养20天，再转移至愈伤组织诱导培养基上则易于产生愈伤组织，通过选择和继代培养可以获得淡黄色，结构致密的胚性愈伤组织。将这种愈伤组织转移至含1.Omg/l BAP和0.1mg/l NAA的MS固体分化培养基上培养20天后即可分化出小植株和绿色芽点，将这些小植株和绿色芽点再在分化培养基上继代培养20天，形成大量根系发达的健壮植株及次生小植株。其中一个胚性愈伤组织系的分化频率高达70. 6%。从获得的100余棵植株中随机取6棵再生植株进行根尖细胞染色体计数发现它们均为单倍体。具发达根系的健壮植株移入实验田后成活率可达80％以上，并生长至成熟。 利用硬粒小麦×玉米建立的单倍性胚性愈伤组织系进行了原生质体培养的研究。胚性愈伤组织经液体悬浮培养4个月后形成了生长迅速的由大小不同(0.5mm至5mm)的愈伤组织块组成的混合悬浮愈伤组织系，酶解试验表明2.0%纤维素酶RS和0.5%离析酶Y-23组合效果最好，而液体悬浮培养物和固体培养的愈伤组织（在酶解时用锋利的解剖刀片切成1mm左右的块）都能释放出大量原生质体，但悬浮培养物释放出的原生质体状态较好，胞质更浓厚，用KM8p培养基以琼脂糖包埋培养方式培养时得到了较高的（5%左右）分裂频率。 原生质体再生的小愈伤组织经增殖、筛选后可获得胚性愈性组织，将其转移至分化培养基Ⅰ（0.2mg/l 2，4-D，1.0mg/l BAP，0.1mg/l NAA，3%蔗糖，200mg/l水解酩蛋白，146mg／l谷氨酸胺，300m8/l天冬氨酸的MS固体培养基）和Ⅱ（不含2，4-D，其它成份同I）上进行分步分化培养可再生出完整植株，分化频率约为20%。从获得的22棵原生质体再生植株中，随机取4株进行根尖细胞染色体计数表明，它们均为单倍体。

长江中游长吻鮠、蛇鮈寄生粘孢子虫感染率的季节动态

1.寄生长吻鮠上的粘孢子虫有3种:巨囊两极虫和四极虫一种,寄生在胆囊中,碘泡虫一种寄生在肾脏中;寄生蛇鮈上的粘孢子虫有2种:湖北碘泡虫,寄生在脑、鳃、肾、体腔、肠,主要寄生在脑,楚克拉虫一种,寄生在胆囊中。2.粘孢子虫对长吻鮠、蛇鮈的感染率存在明显的季节变化;对长吻鮠的感染率最高值出现在6月(95％),最低值出现在2月(43％),年平均值为65％;湖北碘泡虫对蛇鮈的总感染率最高值出现在12—2月(63—67％),其次在8月(58％),春秋两季感染率较低(36—44％),年平均值为51％。3.总感染率(IR

High-quality GaNAs/GaAs quantum wells with light emission up to 1.44 mu m grown by molecular-beam epitaxy

High-quality GaNAs/GaAs quantum wells with high substitutional N concentrations, grown by molecular-beam epitaxy, are demonstrated using a reduced growth rate in a range of 0.125-1 mu m/h. No phase separation is observed and the GaNAs well thickness is limited by the critical thickness. Strong room-temperature photoluminescence with a record long wavelength of 1.44 mu m is obtained from an 18-nm-thick GaN0.06As0.94/GaAs quantum well. (C) 2005 American Institute of Physics.

4×4热光SOI波导开关阵列

设计并制作了阻塞型和完全无阻塞型4×4热光SOI(silicon-on-insulator)波导开关阵列.开关单元采用了多模干涉耦合器(MMI)-MZI(Mach-Zehnder intederometer)结构的2×2光开关.阻塞型光开关附加损耗为4.8～5.4 dB,串扰为-21.8 dB～-14.5 dB.完全无阻塞型光开关阵列附加损耗为6.6～9.6 dB,串扰为-25.8～-16.8 dB.两者的消光比都在17～25 dB内变化,开关单元功耗小于230 mW.器件的开关时间小于3μs.功耗和开关速度都明显优于SiO_2基和聚合物基的开关阵列.

Design and Fabrication of Thermo-Optic 4×4 Switching Matrix in Silicon-on-Insulator

A rearrangeable nonblocking thermo-optic 4×4 switching matrix,which consists of five 2×2 multimode interference-based Mach-Zehnder interferometer(MMI-MZI) switch elements，is designed and fabricated.The minimum and maximum excess loss for the matrix are 6.6 and 10.4dB,respectively.The crosstalk in the matrix is measured to be between －12 and －19.8dB.The switching speed of the matrix is less than 30μs.The power consumption for the single switch element is about 330mW.