54 resultados para 1710-1781
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证明在非相对论热力学理论系统中,焦耳定律不是玻意耳定律的推论,玻意耳定律也不是焦耳定律的推论.用热力学证明理想气体的低温热容满足关系式∫ε0(CV(θ))/(θ)dθ=+∞,并对以往的争论给予一些评论.
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结合近年来发表的对金属材料采用球形压头的微压痕实验结果及Johnson对应原理,讨论了在传统弹塑性理论下锥形压头在计及压头顶端曲率半径影响时硬度的解答形式。进而得出结论:压头尖端曲率半径不是引起尺度效应的根源,相反,它全使尺度效应减弱。
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It has been predicted that the floating potential of particles in plasma may become positive when the particle surface temperature is high enough, but, to our knowledge, no positive floating potential has been obtained yet. In the present paper the floating potential theory of high-temperature particles in plasma is developed to cover the positive potential range for the first time, and a general approximate analytical formula for the positive floating potential with a thin plasma sheath and subsonic plasma flow is derived from the new model recently proposed by the authors. The results show that when the floating potential is positive, the net flux of charge incident on the particle approaches a constant similar to the 'electron saturation' phenomena in the case of the electric probes.
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重点比较了目前制备周期性极化铌酸锂(PPLN)最主要的两种方法:室温下外加电场极化法和激光诱导外加电场极化法,并对未来制备方法的发展趋势作了简单的讨论。
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绣球科绣球族包含9属:草绣球属、叉叶蓝属、Broussaisia、常山属、绣球属、蛛网萼属、赤壁木属、冠盖藤属和钻地风属。到目前为止,绣球族内的属间关系还不清楚,族内的系统发育关系还有争论。本研究的目的是在前人研究的基础上,进一步发现新的系统学性状,为绣球族乃至绣球科补充新的证据;并综合多学科的研究结果进行分析,探讨绣球族的系统学关系。 本文研究了绣球族的外部形态学、花发育形态学、解剖学、分子系统学和分支系统学。 主要内容包括: 1. 形态学 通过标本室研究和野外观察,对绣球族植物的形态分化进行了分析。发现习性、地上茎的生存期限、花冠卷叠式、花瓣联合与否、花柱的联合程度、雄蕊的数目及排列具有系统学价值;放射花和果实是很好的分类性状,但并非可靠的系统学性状。 2. 花发育形态学 在扫描电子显微镜下,研究了绣球族常山属、绣球属、冠盖藤属、蛛网萼属共4种植物花器官发生和发育的全过程。发现它们的花萼均为螺旋式相继发生,花瓣的发生近乎同时。冠盖藤、马桑绣球及常山具两轮雄蕊,第一轮雄蕊发生于花瓣内轮正对萼片中部的位置,随后第二轮雄蕊发生于正对花瓣中部的位置。在第一轮雄蕊略靠内的位置形成第二轮雄蕊的时候,多数情况下,相邻的对萼雄蕊之间只形成1个对瓣雄蕊,但有时却形成2个对瓣雄蕊,使雄蕊群的数目略多于花被的数目。对萼雄蕊与对瓣雄蕊的分化方式基本一致,但它们在花芽中空间取向不同。 蛛网萼雄蕊数目极多,雄蕊群的发生式样较为独特,并不始于对萼三联体。最早的雄蕊于杯状体近基部发生,之后雄蕊的发生大致沿杯状体壁向上,具离心趋势。在雄蕊发生过程中杯状体继续伸长,为众多雄蕊的发生提供了空间。蛛网萼雌蕊的发生明显早于雄蕊,其它3种植物雌蕊的发生晚于雄蕊。4种植物的雌蕊在发生上较为相似,发育却不同。在常山、马桑绣球和蛛网萼中,花柱从开始到发育成熟始终分离,柱头在每个花柱的顶端形成;而冠盖藤属的花柱裂片从开始就是联合的,最终形成单一的花柱,柱头从合生花柱顶端远轴面分化形成。 3. 解剖学 在光学显微镜和扫描电子显微镜下,观察了绣球族9属42种1变种及近缘8属11种共53种1变种的叶表皮特征。发现气孔的分布、气孔器的类型、表皮细胞的形状及其垂周壁式样、毛被等具有一定的系统学意义和分类价值。绣球族各属的气孔仅散生于下表皮;而在绣球族的几个近缘属中,上下表皮均有气孔分布。气孔器在多数类群中为无规则型,仅常山属和绣球属离瓣组的成员为平列型。气孔多为椭圆形,稀近圆形;外拱盖表面通常光滑,仅在钻地风属中具条状纹饰;外拱盖内缘具环状加厚,近全缘、不规则波状或浅波状。表皮细胞在多数种中为不规则形,垂周壁波状、浅波状或深波状;在有些种中为(近)多边形,垂周壁平直或弓形。叶表皮细胞形状、垂周壁式样在绣球族寡种属属级水平比较稳定,但在绣球属中变化较大。表皮角质膜纹饰形态多样,有网纹、粗网纹、浅波状条纹、波状条纹、条纹、粗条纹及丝状条纹;在钻地风属及绣球属的少数种中,角质膜条纹有时汇集呈球形或玫瑰型。表皮毛状附属物有单细胞2分枝毛(黄山梅属)、多细胞星状毛(星毛冠盖藤)、单细胞星状毛(溲疏属)和单细胞不分枝毛四种。对钻地风属所有种的观察结果表明,仅在椭圆钻地风的下表皮细胞中央观察到乳突状结构,而在白背钻地风和圆叶钻地风中并未观察到前人描述的附属物。 4. 叶绿体DNA trnL-F序列的分析 首次对绣球族9属23种及近缘类群3属3种的trnL-F序列进行了测定。序列长度在860 bp~970 bp范围内变化。在以山梅花属、溲疏属和黄山梅属为外类群,基于trnL-F序列构建的系统树上,绣球族作为一个单系群得到很高的支持率。绣球属的种出现在不同的分支上,表明该属不是一个单系群。绣球族被分为两大支:第一支由绣球属离瓣组的中国绣球、绣球、以及常山和Broussaisia arguta组成;第二支由绣球属另外的9个种与草绣球属、叉叶蓝属、蛛网萼属、赤壁木属、冠盖藤属以及钻地风属组成。在第二支中,下列类群的近缘关系得到支持:① 草绣球与叉叶蓝属;② 绣球属挂苦子组的东陵绣球、圆锥绣球和挂苦绣球。③ 钻地风属、赤壁木属和冠盖藤属;④ 蜡莲绣球、莼兰绣球、马桑绣球、粗枝绣球。 5. 分支分析 以山梅花属为外类群,基于形态、解剖、花发育、孢粉等32个性状(或性状状态)对绣球族9属的系统发育关系进行了分支分析。结果表明:草绣球属和叉叶蓝属为基出类群,这两个属有多个共同特征;绣球族其余的成员聚成一支,该支又有5个分支。其中蛛网萼属和绣球属冠盖组各为单独的分支,它们有多个自衍征,可能有各自独立的演化线;绣球属离瓣组与常山属聚成一分支,二者的密切关系得到解剖学证据的支持;绣球属绣球组和星毛组聚成一分支,这两个组包含了绣球属的多数种类;钻地风属、赤壁木属、冠盖藤属、Broussaisia和绣球属挂苦子组聚成一分支。其中钻地风属、赤壁木属与冠盖藤属具多个近裔衍征,表明它们是绣球族的晚出类群。 通过对绣球族植物外部形态、花器官发生、叶表皮微形态特征、叶绿体DNA trnL-F区的研究以及基于形态性状的分支分析,并综合已有的研究结果,我们认为: 1. 绣球族是一个单系群;绣球属不是一个单系群。 2. 在绣球族中,草绣球属和叉叶蓝属关系密切,它们可能是绣球族其余成员的姐妹群。 3. 绣球组和星毛组可能是绣球属的核心成员;离瓣组和常山属关系密切;冠盖组有单独的演化线。 4. 赤壁木属、冠盖藤属和钻地风属为单系群,它们在绣球族处于较高的演化位置。 5. 绣球属需重新界定。
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为了适应环境,很多动物在长期的进化过程中演化出了丰富的毒素及相关分泌物。这些物质中包含了高活性、作用专一的蛋白和多肽。由于它们作用的特异性和专一性,成为蛋白质多肽结构与功能研究的良好模型,也成为研究人类自身生理病理机制的工具和线索,同时也是开发临床诊断试剂和治疗药物的天然宝库。该文综述了中国科学院昆明动物研究所30多年来立足于我国丰富的有毒动物资源,对陆生有毒动物,包括蛇毒、两栖类皮肤分泌物及节肢动物唾液腺分泌物等的主要研究工作,总结了从单一成分到组学研究、从理化性质到人类疾病机理、从粗毒利用到理性药物设计等的发展历程,并对今后的研究提出一些建议。
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本发明涉及眼镜王蛇毒蛋白酶抑制剂及其衍生物,与其它天然来源小分子量蛋白酶抑制剂相比,具有结构简单、基因表达产量高、活性特殊的有益特点。本发明眼镜王蛇毒蛋白酶抑制剂的制备方法可以是从蛇毒粗毒进行分离纯化获得,也可以通过基因工程表达获得。本发明还提供眼镜王蛇毒蛋白酶抑制剂及其衍生物的应用,其具有同时抑制胰蛋白酶以及胰凝乳蛋白酶的双重抑制活性,且对二种蛋白酶的抑制常数基本在同一个数量级,还具有钠通道的抑制活性。
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中国科学院水生生物研究所留学归国人员基金资助项目(020102); 中国水产科学研究院首席科学家基金资助项目(1-105011)
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<正>稻田鱼腥藻(Anabaena oryza HB32)通过90105返回卫星搭载后出现性状分离,其中分离到AoSR16藻株,其固氮酶活力较对照(出发株)成倍提高,其光合和呼吸活性尚未发现明显差异.经2年的地面保持培养后,该藻株的固氮酶活性仍高于对照.1992年10月我们对AoSR16进行了卫星再搭载空间飞行.本文主要报道再搭载后,该藻株的性状分离情况及其再分离单克隆藻株固氮酶活性、生长速率、藻胆蛋白累积和氨排出的变化以及它们间的相互关系,并对固氮酶活性变化的原因及其生理生化效应进行了初步探讨.
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The effect of thickness of the high-temperature (HT) AlN buffer layer on the properties of GaN grown on Si(111) has been investigated. Optical microscopy (OM), atomic force microscopy (AFM) and X-ray diffraction (XRD) are employed to characterize these samples grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). The results demonstrate that the morphology and crystalline properties of the GaN epilayer strongly depend on the thickness of HT AlN buffer layer, and the optimized thickness of the HT AlN buffer layer is about 110 nm. Together with the low-temperature (LT) AlN interlayer, high-quality GaN epilayer with low crack density can be obtained. (C) 2008 Elsevier Ltd. All rights reserved.
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The in-plane optical anisotropy of three groups of GaAs/AlGaAs quantum well structures has been studied by reflectance-difference spectroscopy (RDS). For GaAs/Al0.36Ga0.64As single QW structures, it is found that the optical anisotropy increases quickly as the well width is decreased. For an Al0.02Ga0.98As/AlAs multiple QW with a well width of 20nm, the optical anisotropy is observed not only for the transitions between ground states but also for those between the excited states with transition index n up to 5. An increase of the anisotropy with the transition energy, or equivalently the transition index n, is clearly observed. The detailed analysis shows that the observed anisotropy arises from the interface asymmetry of QWs, which is introduced by atomic segregation or anisotropic interface roughness formed during the growth of the structures. More, when the 1 ML InAs is inserted at one interface of GaAs/AlGaAs QW, the optical anisotropy of the QW can be increased by a factor of 8 due to the enhanced asymmetry of the QW. These results demonstrate clearly that the RDS is a sensitive and powerful tool for the characterization of semiconductor interfaces.
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Applying the model dielectric function method, we have expressed the absorption coefficient of GaSb analytically at room temperature relating to the contribution of various critical points of its electronic band structure. The calculated absorption spectrum shows good agreement with the reported experimental data obtained by spectral ellipsometry on nominally undoped sample. Based on this analytical absorption spectrum, we have qualitatively evaluated the response of active absorbing layer structure and its photoelectric conversion properties of GaSb thermophotovoltaic device on the perturbation of external thermal radiation induced by the varying radiator temperature or emissivity. Our calculation has demonstrated that desirable thickness to achieve the maximum conversion efficiency should be decreased with the increment of radiator temperature and the performance degradation brought by any structure deviation from its optimal one would be stronger meanwhile. For the popular radiator temperature, no more than 1500 K in a real solar thermophotovoltaic system, and typical doping profile in GaSb cell, a reasonable absorbing layer structure parameter should be controlled within 100-300 nm for the emitter while 3000-5000 nm for the base.