Scaling approach to conical indentation in elastic-plastic solids with work hardening

We derive, using dimensional analysis and finite element calculations, several scaling relationships for conical indentation in elastic-plastic solids with work hardening. Using these scaling relationships, we examine the relationships between hardness, contact area, initial unloading slope, and mechanical properties of solids. The scaling relationships also provide new insights into the shape of indentation curves and form the basis for understanding indentation measurements, including nano- and micro-indentation techniques. They may also be helpful as a guide to numerical and finite element calculations of indentation problems.

A Breakdown Criterion of Free Molecular Flows and an Optimum Analysis of EBPVD

Two important issues in electron beam physical vapor deposition (EBPVD) are addressed. The first issue is a validity condition of the classical cosine law widely used in the engineering context. This requires a breakdown criterion of the free molecular assumption on which the cosine law is established. Using the analytical solution of free molecular effusion flow, the number of collisions (N-c) for a particle moving from an evaporative source to a substrate is estimated that is proven inversely proportional to the local Knudsen number at the evaporation surface. N-c = 1 is adopted as a breakdown criterion of the free molecular assumption, and it is verified by experimental data and DSMC results. The second issue is how to realize the uniform distributions of thickness and component over a large-area thin film. Our analysis shows that at relatively low evaporation rates the goal is easy achieved through arranging the evaporative source positions properly and rotating the substrate.

OBSERVATION OF CAVITY QUANTUM-ELECTRODYNAMIC EFFECTS IN A ND-GLASS MICROSPHERE

In a Nd:glass microspherical cavity the enhancement and inhibition of spontaneous-emission processes that are due to cavity QED effects have been observed. The rates of the enhanced spontaneous emission are location dependent and reach a maximum value of more than 10(3) times the free-space value. The large enhancement strongly modifies the decay processes of Nd ions in glass, and the radiative properties of Nd:glass have been changed. As a result a new spectrum including new lasing wavelengths in the Nd:glass sphere has been observed.

Efficient diode-pumped Yb : Gd2SiO5 laser

An efficient diode-pumped laser was demonstrated by using an ytterbium-doped laser crystal, Yb:Gd2SiO5 (Yb:GSO), wherein Yb3+ ions exhibit the largest ground-state splitting among all the ytterbium-doped crystals. The Yb:GSO laser can be operated at a low pumping threshold, and the most efficient laser occurs around 1088 nm since the corresponding emission band has the largest emission cross section and the lowest thermal population. A slope efficiency of 75% was demonstrated for a continuous-wave Yb:GSO laser at 1094 nm, and self-pulsed lasers were achieved within the tunable range of 1091-1105 nm, which are the longest laser wavelengths achieved for Yb3+ lasers. (c) 2006 American Institute of Physics.

鄂尔多斯油蒿生物量遥感动态监测研究

本研究通过对油蒿灌丛及研究地区土壤连续5个月的光谱观测，指出干旱半干旱地区土壤光谱反射的特点，油蒿灌丛的光谱反射将无可避免受土壤背景的影响．分析了油蒿灌丛光谱反射的季节动态变化，指出油蒿灌丛光谱反射不仅取决于叶片，枝条也是重要的反射构件．引入植被指数(Vegetation Index)，采用常规方法与遥感技术相结合估测油蓠单丛生物量，获得较单纯常规方法更高的估测精度，表明在干旱半干旱地区，应用植被指数估测灌丛生物量是可行的．对油蒿单优群落现存生物量动态监测，表明油蒿群落生物量8月份达到最高，是适应生态气候因子，特别是水因子的结果．观测不同深度土壤光谱反射，显示了土壤持水的稳定性．通过对研究地区土壤光谱观测，得到一条适合本地区的土壤线(8011line)．通过比较几种植被指数消除土壤背景影响和估测生物量的效果，选取综合效果最佳的植被指数- SAVI( Soil-Adjusted Vegetation Index)．利用植被指数区分典型地块，提取油蒿地块面积．

一种聚合物膜银离子选择性电极的制备方法

本发明公开一种聚合物膜银离子选择性电极的制备方法。以含酰胺基团和硫杂原子的冠醚类化合物作为银离子载体，与聚氯乙烯、增塑剂、离子交换剂按一定比例混合，采用带有能与银离子形成微溶物的阴离子的无机盐来调节内充液中干扰离子和主离子的浓度，同时优化了电极膜组成以及活化条件，从而有效降低了内膜相主离子向样品溶液的渗漏，使电极检出限与理论预测值相符(＜10-10mol/L)。该电极对银离子表现出很好的能斯特响应和选择性。此方法克服了低检出限聚合物膜电极内充液中使用的络合剂易于向膜内渗透以及离子交换树脂难于小型化的缺点。电极的性能在一个月内没有明显的下降。

基因工程化分泌神经营养因子一3的鼠胚神经干细胞实验研究

：探索以Lentivirus为载体，构建同时表达绿色荧光蛋白(GFP)和神经营养因子一3(NT一3)的基因工程化鼠胚神经于细胞(NSC)的可行性。方法：体外分离培养鼠胚NSC，用同时携带NT一3和GFP的lentivirus转染构建工程化NSC；用荧光显微镜、鼠胚背根神经结培养(Dorsal Root Ganglion，DRG)、Westem blot等方法检测基因工程NSC 的转基因表达。结果：荧光显微镜观察到几乎100％的工程化NSC表达GFP：DRG培养和Westem blot检测到基因工程化NSC能高效分泌NT一3蛋白。结论：以IJentivirus为载体，构建同时携带并稳定表达GFP和N‘r_3的基因工程化鼠胚NSC是可行的，可为脊髓损伤基础研究提供有价值的细胞资源。

高性能可扩展分布事务服务的研究和实现

分布事务服务是应用服务器的关键服务之一，其处理效率直接影响应用服务器的性能．本文主要讨论J2EE框架下分布事务管理器ISTX的设计，介绍了为获得良好的可扩展性和可移植性而采用的技术；同时讨论了ISTX的性能优化策略及其实现．实验数据表明，ISTX的高性能设计在保证可靠性的前提下，较大程度地提高了分布事务服务的性能．

论太阳总辐射的计算(Ⅱ)

我们在《论太阳总辐射的计算(Ⅰ)》中，对近代计算太阳总辐射的一般方法作了评述，并对其中较合理的方法曾经给出的某些数据资料加以补充.本文拟就我们所采用的公式中某些参数的处理问题作进一步的讨论.

高迁移率噻吩杂化共轭齐聚物的合成与表征

并苯类化合物和噻吩齐聚物是目前研究最广泛的两类p型高迁移率有机半导体材料，晶态下强分子间电子相互作用的特点使它们具有优异的电荷传输性质，作为电荷传输层制备的有机薄膜晶体管（OTFT）的器件性能已经可以和非晶硅器件（α- Si:H）相比拟（0.1~1.0 cm2/V.s）。但是，由于这两类材料具有较窄的能隙和较高的最高被占分子轨道（HOMO） 能级，容易与空气中的水、氧发生反应，而且并苯类化合物对光也非常敏感，因此它们的器件性能在空气中衰减很快。可以说，如何设计与合成兼具高迁移率和优异稳定性的OTFT材料依然是目前有机光电子研究领域面临的挑战之一。 在本论文中，我们采用较稳定的芳香基团和噻吩单元构造了三个系列杂化共轭齐聚物，通过改变芳香基团结构和引入方式，对共轭齐聚物的HOMO能级做了有效的调节，不仅提高了分子的热稳定性和化学稳定性，而且使分子的HOMO能级与金电极功函相匹配，有利于电荷的注入，获得了稳定的高迁移率有机半导体材料。 1、设计并合成了一系列含不同苯类（苯、联苯、芴和菲）中心单元的噻吩类共轭齐聚物，表征了它们基本的光谱、电化学和热行为，并作为传输层用于顶电极结构的OTFT，获得了较高的场致迁移率（（1－6.7）×10-2 cm2/V.s）。引入平面刚性芳香基团有利于获得稳定的高迁移率材料。噻吩/菲杂化共轭齐聚物，即2,7二（5'正己基2,2'二噻吩5）菲（DH-TTPhTT）综合性能最佳，与在相同条件下制备的DH6T具有相当的场致迁移率（μFET = 0.065 cm2/V.s）。 2、设计并合成了一系列含菲共轭齐聚物，研究了它们的基本物理和化学性质。[2,2';7',2''] 三联菲（Ph3）可通过真空蒸镀形成高度有序的薄膜，其OTFT μFET达0.01 cm2/V.s。但是，由于其HOMO能级太低，导致器件阈值电压很高，很难进一步优化器件性能。因此，为了调节分子的HOMO能级，合成了2 ,5二（2菲基） [3,2-b]并二噻吩（PhTT）和5,5'二(2菲基) 2,2'二噻吩（PhT2）两个含噻吩化合物，成功的应用于顶电极结构的OTFT，使器件性能大幅提高。其中PhT2的μFET > 0.1 cm2/V.s； Ion/Ioff > 1×105。更重要的是，器件在空气、自然光条件下保存一个月后，μFET 、Ion/Ioff和阈值电压三个性能指标都基本没有变化，说明PhT2是目前最好的OTFT材料之一。 3、设计并合成了六个萘和硫茚封端的噻吩齐聚物，研究了它们的基本物理和化学性质。为了对分子结构—堆积方式—器件性能的关系有所认识，解析了5,5'二(2萘基) 2,2'二噻吩（NaT2），5,5''二(2萘基) 2,2':5',2''三噻吩(NaT3)，5,5'二(2硫茚基) 2,2'二噻吩（TNT2）和5,5''二(2硫茚基) 2,2':5',2''三噻吩(TNT3) 的单晶结构。所有六个化合物均可形成高度有序的多晶薄膜，而且薄膜有序性随噻吩单元数的增加而提高。取决于分子长度和端基结构，它们的μFET介于0.01－0.39 cm2/V.s。和TNTn系列分子(n = 2-4)相比，NaTn系列齐聚物(n = 2-4)具有更好的器件性能。齐聚物5,5'''二(2萘基) 2,2':5',2'':5'',2'''四噻吩（NaT4）具有最好的器件性能，其场致迁移率为0.39 cm2/V.s；VT = -5 V； Ion/Ioff > 1×105，是目前性能最好的OTFT材料之一。

渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器

采用渐变应变有源区结构，制备出偏振不灵敏半导体光学放大器，工作电流在60～160mA范围内，其3dB带宽范围不小于35nm，偏振不灵敏度小于0.35dB，自发发射出光功率为0.18～3.9mW。