256 resultados para (Bi,Pb)-2212
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Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_y-Ag_x、Bi_(1.7)Pb_(0.3)Sr_2Ca_2Cu_3O_y-Ag_x和Bi_(1.7)Pb_(0.3)Sr_2Ca_2Cu_(3.2)O_y-Ag_x系列的超导材料是用固相反应的方法合成的。原料为分析纯AgNO_3、PbO、Bi_2O_3、CaCO_3、SrCO~3和CuO。把试剂按所需配比混和研磨后,在800℃烧12h,研磨压片,片子在850℃烧结200h,破碎、研磨后,按配比加入AgNO_3·800℃灼烧12h,再次研磨、压片,850℃再烧结200h,炉冷至室温。
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制备了一系列 Bi—Pb—Sr—Ca—Cu—O 超导材料。在一定范围内,不同组分的 Bi—Pb—Sr—Ca—Cu—O 样品都能得到接近单110K 相的材料,但样品性能差别极大.性能的好坏极大地依赖着组成条件。烧结温度过高或过低都不利于提高样品的临界电流密度,850℃的烧结温度是较合适的,长时间烧结有利于110K 相的形成。样品烧结完成后,应缓慢降温退火,以保证材料充分吸氧。
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本论文基于固态化学原理,以Bi系中2223高Tc相的稳定性为中心,通过对该复合氧化物的超导电性的系统研究,从整体上来认识铜酸盐化合物的超导电性的系统研究,从整体上来认识铜酸盐化合物的超导性能。前四章侧重于对Bi(Pb,Sb)系中的一些基本性质和特殊现象的研究,后面章节则主要是对晶体中Cu-O面内、面外元素替代效应的探讨。
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自Maeda发现高Tc超导体BiSrCaCuO以来,引起了人们广泛兴趣;由于它有较高的超导转变温度(Tc>100K),无剧毒、价廉和自高温冷却到室温无结构相变等特点,Bi系是一很有实用前景的高Tc超导体;已经确定Bi系中含有三个超导相(2201,2212,2223相),但是迄今要制得较纯的2223高Tc相还有一定困难,无疑这对它的基础研究和实用开发都受到了限制,因此制备更纯的Bi系2223相具有重要的意义。
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The effect of doping with various amount of Sb (0.06-0.32) to (Bi,Pb):Sr:Ca:Cu = 1:1:1:1 system were studied with XRD and Tc measurements. The presence of Sb promotes the conversion of low Tc phase (2212 phase) to high Tc phase (2223 phase) and at around Sb = 0.18 the 2212 phase nearly completely disappears; but at the same time a new phase of unknown structure appears even with Sb = 0.06 showing that the incorporation of Sb into the Bi-based superconducting phase is of very low concentration. Tc measurements show that the optimum concentration of Sb-doping is around 0.10 and that unknown phase has an adverse effect to the superconducting properties; a composition disproportion at the surface of pellet was observed.
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最近,Pb能加强BiSrCaCuO超导体中高T_c相(即2223相,其c(?)37,T_c(?)110K)的出现和掺入sb形成BiPbSbSrCaCuO的T_c可以达到132 K已见报道,我们希望通过其它元素的掺杂取代也出现类似的结果。我们做了大量掺Sb、Ba、In的实验,通过改变
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Experimental results show that the exchange coupling field (H-ex) of NiFe/FeMn for Ta/NiFe/FeMn/Ta multilayers is higher than that for spin-valve multilayers Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta. X-ray photoelectron spectroscopy shows that Cu atoms segregate to the NiFe/FeMn interface for Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta multilayers. While studying Ta/X(X=Bi,Pb,Ag,In)/NiFe/FeMn multilayers, we also find that X atoms segregate to the NiFe/FeMn interface, which results in a decrease of the H-ex. However, a small amount of Bi, Pb, etc. deposited between Cu and pinned NiFe layer for Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta multilayers can increase H-ex. (C) 2003 American Institute of Physics.
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氢化物发生-光度分析法是在同一反应系统中,使氢化物的发生、传输、吸收显色同时进行并同步完成的一种新分析方法,具有高灵敏、高选择性,且简单实用的特点。适用于Ge、As、Sn、Sb、Se、Bi、Pb、Te等共价氢化物元素的分析。本文对这一方法的原理及其在吸收显色体系、多元素的同时或连续测定、价态形态分析、干扰的消除方法及分析应用等方面的发展进行了评述。
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本文首次提出了一种离子交换柱分离——滴定法测定Bi系超导体中Bi、Pb、Cu、Ca和Sr含量的方法。研究了进样条件和淋洗方法,特别是Bi~(3+)在微酸性溶液中的亚稳态进样。测定合成样品时,Bi、Pb、Cu、Ca和Sr的相对标准偏差分别为0.7%、1.6%、0.5%、0.4%和0.2%。分析了超导体样品,并测定了其中Cu~(3+)。
铋(Ⅲ)-8-羟基喹哪啶体系的极谱行为——表面活性剂增敏机理和分析应用——Ⅲ.十二烷基苯磺酸钠对铋(Ⅲ)-、铅(Ⅱ)-8-羟基喹哪啶,铜(Ⅱ)-、镉(Ⅱ)-、锌(Ⅱ)-乙二胺体系电流增敏机理对比和规律
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研究并比较了十二烷基苯磺酸钠(SDBS)对Bi(Ⅱ)-、Pb(Ⅰ)-8-羟基喹哪啶,Cu(Ⅰ)-、Cd(Ⅰ)-、Zn(Ⅰ)-乙二胺体系示波极谱电流的增敏效果,和对峰电位的影响及有关试验。表明SDBS只对能形成螯合阳离子者起增敏作用,其增敏程度则受SDBS在电极表面与相应螯合阳离子是形式缔合物,还是因超载静电吸引产生诱导吸附作用所制约。前者最佳可增敏达60余倍,后者最佳可增敏10余倍。
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本文采用氢化物发生-银溶胶光度分析法探讨了GeH_4、AsH_3和H_2Se的性质,并利用共价氢化物气体分离柱分别建立了测定锗、砷时消除其它可生成氢化物元素干扰的简便、高效方法。测定1.0μg Ge(Ⅳ),5000μg As(Ⅴ)、Bi(Ⅱ)、Pb(Ⅰ)、1000μg Sb(Ⅱ)、Sn(Ⅰ)、500μg As(Ⅱ)和100μg Se(Ⅳ)、Sn(Ⅳ),Te(Ⅳ)不产生干扰。对砷的测定,其它共价氢化物元素的允许倍数分别为:Sb(Ⅱ)(5000)、Pb(Ⅰ)(5000)、Bi(Ⅱ)(5000)、Sn(Ⅰ)(1000)、Se(Ⅳ)(100)、Te(Ⅳ)(100)和Ge(Ⅳ)(15)。
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With XRD, R-T, and ac chi measurements a comparative study on the doping effects of 3d elements in Bi(1.5)Pb(0.2)Sr(2)Ca(2)Cu(2.8)M(0.2)O(y) (M = Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, or Zn) has been carried out. The effects of the former five members are significantly different, both on phase formed and on T-c, from the latter four. It seems that the effect on phase stabilization correlates with the valency of the doped cation. In connection with the instability of the 2223 phase, the correlation has been discussed.
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已知在Bi系高Tc超导体中存在三个超导相:2223相的Tc~110k,c~37(?);2212相的Tc~85k,c~30.6(?);2201相的Tc~10k。在实验过程中,我们注意到还可能有另外的超导相存在,通过改变元素名义配比和制备工艺观察到一个具有2212相结构,但Tc却表现为~105k的新现象存在。 实验部分 样品制备采用固相反应方法将Bi_2O_3、PbO、Sb_2O_3、SrCO_3、CaCO_3、CuO(均为A.R.级)混匀、碾磨,于~810℃在刚玉坩埚中预烧20h;再碾,压片后于~870℃在磁舟中烧结60-240h,然后作测试分析。