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Metamorphic high electron mobility transistor (M-HEMT) structures have been grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE). Linearly graded and the step-graded InGaAs and InAlAs buffet layers hal e been compared, and TEM, PL and low-temperature Hall have been used to analyze the properties of the buffer layers and the M-HEMT structure. For a single-delta-doped M-HEMT structure with an In0.53Ga0.47As channel layer and a 0.8 mum step-graded InAlAs buffer layer, room-temperature mobility of 9000 cm(2)/V s and a sheet electron density as high as 3.6 x 10(12)/cm(2) are obtained. These results are nearly equivalent to those obtained for the same structure grown on an InP substrate. A basic M-HEMT device with 1 mum gate was fabricated, and g(m) is larger than 400 mS/mm. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

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The influence of interdot electronic coupling on photoluminescence (PL) spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QDs) has been systematically investigated combining with the measurement of transmission electron microscopy. The experimentally observed fast red-shift of PL energy and an anomalous reduction of the linewidth with increasing temperature indicate that the QD ensemble can be regarded as a coupled system. The study of multilayer vertically coupled QD structures shows that a red-shift of PL peak energy and a reduction of PL linewidth are expected as the number of QD layers is increased. On the other hand, two layer QDs with different sizes have been grown according to the mechanism of a vertically correlated arrangement. However, only one PL peak related to the large QD ensemble has been observed due to the strong coupling in InAs pairs. A new possible mechanism to reduce the PL linewidth of QD ensemble is also discussed.

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本文对东北地区松辽平原不同纬度农田土壤碳氮磷剖面分布特征进行比较研究,从北到南依次采集了黑土区的海伦、哈尔滨、德惠、公主岭和棕壤区的昌图、沈阳、大石桥玉米地土壤样品。所得主要结论如下: 各样点土壤有机碳含量随土层深度的增加而下降。海伦、哈尔滨和公主岭样点40~60cm土层土壤有机碳含量及其储量显著低于0~40cm土层;海伦、哈尔滨、德惠、公主岭和昌图样点土壤水溶性有机碳表现出随深度增加先升高后降低,在沈阳和大石桥样点土壤水溶性有机碳表现出随深度而下降的趋势;各样点0~20cm土层土壤微生物量碳含量高于20~40cm土层。典型黑土区海伦点0~100cm的SOC储量为213.4t•hm-2, 棕壤区昌图、沈阳、大石桥样点分别为69.9、87.9和73.4t•hm-2,海伦点SOC储量是棕壤区三样点的3倍左右。 土壤全氮、碱解氮、硝态氮及氮储量随剖面深度增加而下降。德惠点在20~40cm土层、沈阳点在40~60cm土层、昌图点在60~80cm土层的全磷含量最低;其他样点土壤全磷、有机磷含量和磷储量总体上呈现随土层深度增加而下降的趋势。黑土区样点土壤有机磷含量在40cm以下各土层迅速下降,而棕壤区各样点20cm以下各土层差异不显著。除公主岭和大石桥点外, 其他各样点土壤Olsen-P含量在0~20cm 土层显著高于20~40cm土层。 土壤有机碳、全氮、碱解氮、全磷和有机磷含量随纬度增加而增加。营养元素在纬度上的分异主要受成土母质、气候条件等自然因素影响,施肥、耕作等人为活动对表层土壤营养元素分布的影响较大。除土壤水溶性有机碳外,土壤碳、氮和磷之间及其与其他基本理化性质间均存在显著的相关关系。

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豆科和非豆科固氮植物不仅能够固定大气中氮素,增加土壤中的氮素营养,而且由于具有较强的抗逆性,是恢复和重建退化农林生态系统的优良先锋树种。但在逆境条件下对固氮植物的固氮能力最经常的限制因子就是磷素供应,而菌根的形成保证了固氮作用对磷素的需求。目前国内外针对固N植物菌根这样联合共生的研究多停留在现象的描述上,对其机理缺乏深入研究。本文针对典型的固氮树种进行联合共生体人工纯培养研究,试图探讨联合共生体之间相互关系及作用机理,为更好地利用固氮植物资源及菌根技术提供理论依据。通过对共生资源的收集、培养及刺槐联合共生体的纯培养研究,得出如下结论:(1)固N植物同时受菌根侵染不仅具有普遍性,更有其生态学意义。在半干旱地区刺槐林下的VA菌主要有摩西球囊霉(Glomus mosseae)、聚丛球囊霉(G. aggregatum)、细凹无梗囊霉(Acaulospora scrobiculata)三种,外生菌根真菌有尖顶地星(Geastrum triplex)、笼头菌(Clathrus sp.)两种,初步证实了刺槐除具根瘤外以同时受VA菌和外生菌根真菌的侵染;在沙棘林下优势种较明显只有一种,即聚丛球囊霉(G. aggregatum)。(2)对外生菌根菌进行了营养条件的选择实验,供试菌种对碳源的利用较为广泛,葡萄糖、果糖为其最适碳源,平均生长量比对照高出4.4倍;供试菌种对有机氮的利用利用机氮,平均生长量比无机氮源高出1.6倍。(3)在人工纯增减条件下,接种的VA菌、外生菌根菌和根瘤菌均成功侵染了刺槐无菌苗,并形成了内生、外生菌根和根瘤,更充分地证实了刺槐与VA菌、外生菌和固N菌之间的联合共生关系。(4)联合共生对刺槐生长、菌根侵染、根瘤菌的结瘤固N能力均有不同程度的促进作用。VA菌根菌中的苏格兰球囊霉(G. caledonium)和外生菌根菌中的毛边华狙伞(H. mesophaseum)是刺槐比较适合的菌根菌;VA菌和外生菌双接种对宿主植物生长有明显的促进作用,混合接种苏格兰球囊霉(G. caledonium) + 毛边华锈伞(H. mesophaseum) + 劣味乳菇(L. insulsus)及混合接种摩西球囊霉(G. mosseae) + 苏格兰球囊霉(G. caledonium) + 毛边华锈伞(H. mesophaseum)的组合效果最好;接种固N菌对菌根菌的影响不明显,而接种菌根菌对刺槐固N能力有明显的促进作用,尤以两种VA菌混接和两种外生菌混接对刺槐根际结瘤量和固N活性的促进作用最为明显;同时接种VA菌、外生菌和固N菌无论是对刺槐生长、结瘤固N还是菌根侵染都有显著的促进作用。其中最佳接种组合是苏格兰球囊霉(G. caledonium) + 毛边华锈伞(H. mesophaseum) + 劣味乳菇(L. insulsus) + 根瘤菌,宿主植物株高、地径、生物量、侧根数分别比对照增加46%、102%、213%、82%,结瘤量、固N活性分别比单接种固N菌增加500%、451%,菌根侵染率高达100%。(5)接种Frankia菌同时配合适度的P肥施用对沙棘的结瘤固N有明显的促进作用。由于沙棘的固N和供N作用,杨树-沙棘混交林中土壤有效态N、P的含量比杨树纯林分别增加36.7%、17.1%。综上所述,本文在刺槐联合共生体人工纯培养实验中得出具有重要意交的结论:从形态解剖上观测到了VA菌、外生菌根菌的侵染特征;定量研究了不同接种方式对刺槐生长、菌根菌的发育状况及结瘤固N能力的影响,选择出了最佳的接种组合。对宿主植物、菌根菌、固N菌之间相互作用及机理进行了初步的探讨。为固N植物联合共生体接种技术提供了理论依据。