催化消除NO_x复合氧化物催化剂的研究

氮的氧化物(NOx)是大气中的一种重要的污染物，是酸雨的主要来源，目前氮氧化物的无毒处理已经是国际环保研究中最关键的课题之一。本论文选择了两种复合氧化物：一种是钙钛石结构的含Cu的层状复合氧化物；另一种是以水滑石为前体经焙烧后得的复合氧化物为催化剂对它们的物化性质和对催化消除NOx的活性进行了系统的研究，得到了一些有意义的结果。第一部分：钙钛石型结构的含Cu层状复合氧化物钙钛石复合氧化物由于具有独特的物理化学性质，长期以来一直受到固态物理、固体化学和催化领域的科技工作者的重视。尤其近年来对它们在催化消除NOx反应中的活性的研究引起了催化工作者的极大兴趣，这是由于，一方面，钙钛石类复合氧化物对处理NOx的反应活性比较高，有希望取代贵金属催化剂；另一方面，探讨复合氧化物的固态物理、化学性质与处理NOx反应催化性能的关系，有利于揭示处理NOx反应的催化作用本质，为寻找高效实用的催化剂提供理论依据。本论文系统研究了三个系列含Cu钙钛石型复合氧化物的固态物理化学性质和对NO-CO反应的催化性能，并讨论了二者的关系。主要的工作和结论如下：1) 以La_2CuO_4为模型化合物研究了制备方法对它的性质的影响：用四种制备方法：柠檬酸络合爆炸法，聚乙二醇凝胶法，聚丙烯酰胺凝胶法，DTPA络合法合成了La_2CuO_4。比较了四种方法的特点，和制备方法对La_2Cu0_4的结构的影响，并对所得La_2CuO_4在NO-CO反应中的催化活性的影响进行了研究。结果发现聚乙二醇凝胶法和DTPA络合法有利于形成好的晶形，而聚乙二醇凝胶法和聚丙烯酰胺凝胶法对NO-CO反应有较好的活性，这是由于由不同制备方法得到的样品中的缺陷的种类和含量不I司所致。2) La_(1-x)Ba_xCuO_(3-λ)系列中Ba含量对它的性质的影响：用柠檬酸络合法合成了LaBa_2Cu_3O_(7-λ)，LaBaCu_2O_(5-λ)，La_2BaCu_3O_(7-λ) La_4BaCu_5O_(13-λ)及YBa_2Cu_3O_(7-λ)五种钙钛石结构的复合氧化物。XRD分析表明此系列样品均为层状ABO_3结构（分别为二，三，五层）。用XPS和O_2-TPD对样品中的氧种进行了研究，结果显示样品中存在着两种活性氧种：α氧种和β氧种。在O_2-TPD中低温脱附的是α氧种，它可归属于化学吸附氧与样品中的氧空位的浓度有关。β氧种的脱附温度较高，它归属于晶格氧。利用H_2-TPR和化学分析的手段对样品中的金属离子和活性氧的稳定性进行了表征。结果显示大量的氧空位和Cu~(3+)存在于样品中，并且它们的浓度受Ba离子浓度的影响。此系列样品对CO还原NO的活性研究表明：它们的活性远远高于结构类似的Ln_2CuO_4和Ln_2NiO_4等复合氧化物，在低于300 ℃时N0转化率已接近100％．分析结果表明Cu~(3+)和氧空位对活性起很重要的作用。Ba离子的作用是：一方面使含Cu的ABO_3结构稳定；另一方面使样品更容易吸附NO。3) La_4BaCu_5O_(13-λ)中Mn或C0逐步取代Cu对样品性质的影响合成了两系列分别由Mn或Co逐步取代Cu的样品，XRD分析表明它们仍旧是钙钛石结构。通过XPS，O_2-TPD和化学分析方法对样品中的活性氧种进行了表征，结果表明，当Mn逐步取代Cu离子时，晶格氧增加，而吸附氧开始变化较小，当Mn含量大于Cu含量时，吸附氧迅速减少。在Co取代样品的O_(1s)的XPS谱中，氧种变化较Mn取代的小，这表明Co离子对样品中的氧空位含量的影响较Mn离子的小。氧化还原性能的研究表明当Cu离子被Mn或Co离子部分取代后，Cu离子变得更容易被还原，这表明Cu-M(Mn或CO)之间发生了协同作用，使Cu离子更活泼。当Mn或Co部分取代Cu离子之后，样品对CO还原NO反应的催化活性明显提高，当取代含量达到一定程度时（即X ≥ 3），催化活性迅速降低，这表明Cu离子在反应中起着很重要的作用，经过分析我们认为反应机理如下：Cu~(3+)-O~=-Cu~(3+) + CO → Cu~(2+)-□-Cu~(2+)+CO_2 Cu~(2+)-□-Cu~(2+) → Cu~(3+)-□-Cu~(2+) Cu~(3+)-□-Cu~(2+) + NO~-Cu~(3+)-NO-Cu~(2+) 2Cu~(3+)-NO-Cu~(2+) → 2Cu~(3+)-O~=-Cu~(3+) + N_2 式中□是氧空位，Cu~(3+)-□ 是F心。掺杂部分Mn或Co后，催化活性的提高可以归属于Cu-M之间发生的协同作用使Cu离子更活泼，表征结果表明Cu-Co之间的协同作用较Cu-Mn之间的弱（这可能是由于Co，Cu之间化学性质相似），但掺杂Co的样品的活性较掺杂Mn的要高，同时我们在反应中发现，Co含量较高的样品中反应产物中N_2O比掺杂Mn的样品高出许多，因此我们认为Co离子对反应中反应中间产物N_2O的生成比Mn离子要活性。第二部分以水滑石化合物为前体的复合氧化物水滑石类化合物属于一种阴离子粘土，由带正电荷的金属氧化物／氢氧化物和层间阴离子及水分子组成。以水滑石为母体经焙烧制得的氧化物催化剂用于氧化反应的实例尚不多，且大多用于液相催化反应。最近有文献报道含Co，Cu，Ni水滑石经焙烧后对N_2O分解有很好的活性，但还没有关于此类化合物应用于NO还原和分解的文献报道。我们首次将以水滑石为母体经焙烧制得的尖晶石催化剂用于催化消除NO_x的反应中，考察和表征了变更过渡金属离子时Co-M-Al系列和Mg-M-Al系列催化剂在CO还原NO，NO吸附和NO分解反应中的活性。1) 以Mg-M-Al水滑石为前体的催化剂用共沉淀法合成了一系列Mg-M-Al水滑石（M = Cr，Fe，Mn，Co，Ni，Cu；Mg/M/A1 = 3/1/1）。XRD表征表明所有化合物均为典型的水滑石化合物。通过TG-DTA考察了焙烧对样品的结构和组成的影响。450 ℃焙烧后所有样品的XRD图中仅能发现MgO相，表明过渡金属氧化物均匀地分散在MgO-Al_2O_3中，换句话说，所得样品焙烧后是过渡金属氧化物负载在MgO-Al_2O_3载体上。H_2-TPR研究进一步证实过渡金属氧化物在载体上得到了稳定。此系列样品对C0还原N0反应活性的测定表明Mg-Al-Cu样品表现出远远高于其它样品的活性，而Mg-Al和Mg-Ni-Al在550 ℃以下对反应几乎没有活性，其它样品表现出一定的活性。2) 以Co-M-Al水滑石为前体的催化剂体系经共沉淀法合成了Co-M-Al水滑石（M = 过渡金属），经焙烧后发现样品中有尖晶石相出现。比表面研究表明，在500-700 ℃之间比表面变化较小大约在80m~2/g左右，在更高温度焙烧后比表面迅速下降。此系列样品对NO的吸附性能研究表明Co-Al，C0-Ni-Al，Co-Cr-Al，Co-Fe-Al表现出较高的吸附性能，尤其是Co-Ni-Al在100 ℃对NO表现出100％的吸附；其它样品对NO的吸附较低。用过渡金属离子中d轨道电子在吸附前后的晶体场稳定化能的变化可以很好地解释此系列样品对NO的吸附性能。对NO分解的活性测定表明Co-Ni-A1，Co-Cr-A1和Co-Al表现出了较好的活性，其中Co-Ni-Al的活性最高。其它样品在600 ℃以下几乎没有活性。分析结果表明样品对NO分解有活性的催化剂必须具备两个条件：1：对NO有较好的吸附性能；2: NO分解后产生的氧可以容易的脱附。除Co-Al外，所有样品对CO还原NO表现出很高的活性：在150 ℃即有较高的NO转化率，在180 ℃NO转化率即可达到100％。催化剂的氧化还原性能在反应中起着很重要的作用，H_2-TPR研究发现掺杂其它过渡金属后Co离子的还原温度明显降低，表明Co离子得到了活化。3) 以Co-Cu-Al水滑石为前体的样品用共沉淀法合成了一系列Co/Cu/Al含量不同的水滑石化合物，包括Co/Cu/Al分别为7/1/1，3/1/1及1/1/1和仅含Co或Cu的Co/Al = 3/1，Cu/Al = 3/1等一系列样品。XRD结果表明除Cu-Al外其它样品经焙烧后均出现了尖晶石相。Cu-Al样品经焙烧后出现了CuO相表明样品为CuO负载于Al_2O_3上。NO和CO的TPD研究表明三组份样品对NO和CO的吸附明显高于二组份样品，而且含CO量高的样品对NO和CO的吸附能力更好，表明Co起较强的作用。在三组份样品的NO-TPD脱出物中发现有N_2O和N_2，表明NO在样品表面的吸附为活化吸附。对CO还原NO反应活性的研究表明，三组份样品的活性远远高于二组份样品，且含Co量高的样品活性较高，表明在此系列样品中Co离子起决定性作用，而Cu离子起助催化作用。通过对反应中各组份含量的变化分析，我们认为反应机理如下：CO + O-Cat → CO_2 + □-Cat NO + □-Cat → NO-Cat 2(NO-Cat) → N_2O + O-Cat + □-Cat N_2O + □-Cat → N_2O-Cat N_2_O-Cat → N_2 + O-Cat 2(N_2O-Cat) → N_2 + 2(O-Cat) O-Cat是样品中的晶格氧，在Co-Al中加入其它过渡金属离子使样品中的晶格氧得到活化，因此，催化活性得到提高。用以水滑石为前体，共沉淀法和固相反应法等三种制备方法合成了一系列Co-Cu-Al催化剂，发现以水滑石为前体的样品不论是对NO，CO的吸附性能还是对NO-CO反应的催化活性都远远高于其它方法制备的样品，这可能是由于水滑石可以起到一个模版作用，使Cu, Co离子分散的更均匀，以及使催化剂表面的含氧基团丰富。

CoMoK/γ-Al_2O_3类催化剂的研究

钴离子在γ-Al_2O_3上的吸附等温线符合Langmuir等温式，而钼的吸附等温线符合Freundlich等温式。在等孔体积法制备催化剂时，低PH下由于Al_2O_3吸附钼较多而对钴的吸附较少导致钴、钼在颗粒中分布不均；在高PH值下，由于钼的吸附量锐减，可用共浸法得到钴、钼分布均匀的催化剂。K_2CO_3在均匀型CoMo/Al_2O_3催化剂上的吸附等温线符合Langmuir等温式，虽然吸附量较大，但在浸渍液中今是足够时，等孔体积法也能得到均匀分布的结果。Co/Al_2O_3氧化态催化剂中存在和Al_2O_3表面作用的Co_3O_4及表面Co~(2+)离子；Co~(2+)/Al_2O_3中，K~+的存在减弱了Al_2O_3表面上的Co~(2+)和表面的作用，有是于Co~(2+)的还原和硫化。Mo/Al_2O_3催化剂中Mo以+6价的形式存在于Al_2O_3表面上，Al~(3+)对表面上Mo的极化作用Mo~(6+)在低温易于被部分还原，Mo-o-Al键作用较强，使Mo的完全还原又比MoO_3困难；K~+的存在减弱了MoK/Al_2O_3氧化态催化剂中的Mo-o-Al键强度，有助于Mo的深度还原和硫化。Co, Mo水溶液等孔体积共浸制备的氧化态CoMo/Al_2O_3催化剂中，存在CoMoO_4，并有利于Co, Mo硫化为Co_9S_8和MoS_2；CoMoK/Al_2O_3氧化态催化剂中，K~+的存在破坏了催化剂中CoMoO_4结构，被置换出的Co~(2+)和Al_2O_3表面发生一定作用使Co的硫化程度降低；当K_2CO_3在催化剂中含量小于15wt%时，Mo的硫化随K~+含量增加而增大，但当K_2CO_3在催化剂中含量高于15wt%，Mo的硫化程度随K~+含量增加而微有减少。CoMoK/Al_2O_3, CoMo/Al_2O_3, MoK/Al_2O_3, Mo/Al_2O_3, CoK/Al_2O_3, Co/Al_2O_3催化剂在H_2S/H_2的TPS过程中，H_2S 对活性组份起硫化和还原作用，H_2仅仅是还原了反应中生成的单质S。

钙钛石型复合氧化物La_xSr_(1-x)M_yM'_(1-y)O_3(M, M' = Mn, Fe, Co)的固体物理化学性质和催化性能的研究

钙钛石型复合氧化物由于具有许多独特的物理化学性质，如多种类型的磁性和导电性、对多种物理和化学因素的敏感性、高温下的稳定性和结构的明确易调性等长期以来一直受到固体物理、固体化学和催化科技工作者重视，本文第一部分详细总结了文献中有关这类氧化物的结构、电子状态、电磁性质、表面吸附性能、稳定性以及反应机理和催化性能等方面的重要结果。第二部分为催化剂的制备和表征方法。第三部分针对文献中研究较少的B位取代钙钛石型氧化物，系统研究了系列化合物LaM_yM'_(1-y)O_a (M, M' = Mn, Fe, Co)的固体物理化学性质和对NH3和CO氧化反应的催化性能，讨论了它们之间的关系。1. 催化剂的制备、晶体结构与光谱性质。2. LaM_yM'_(1-y)O_3(M、M' = Mn、Fe、Co)r的氧化还原性质和稳定性。3. 过渡金属离子的状态及其之间的相互作用。4. 催化剂中氧的形态。5. 氨氧化性能与固体物化性质之间的关系。6. 一氧化碳氧化与固体物化性质之间的关系。

Co(salen)作为辅酶B_(12)模型物及化学修饰电极的电化学研究

本论文从合成Co(salen)开始，对Co(salen)在电化学现场合成辅酶B_(12)模型物的工作进行了尝试。进一步地，用Co(salen)制作了两种化学修饰电极，并对它们的性质进行了较为详细的考察。同时还将这两种修饰电极应用于电催化研究工作，得到了较为满意的结果。

Room-Temperature Ferromagnetism in Co-Doped In2O3 Nanocrystals

Co-doped In2O3 nanocrystals showing room-temperature ferromagnetism have been successfully prepared by a simple sol-gel synthesis route. The sample displays it clear ferromagnetism behavior above 300 K. Phase and structure analyses reveal that the nanocrystals are crystallized with Co ions substituted for In ions in the In2O3 matrix, and no trace of secondary phases or clusters is detected. The experimental results are explained theoretically by first-principles calculations based on density functional theory, which indicate that the native ferromagnetic behavior of Co-doped In2O3 could be mainly ascribed to the strong d-d coupling of the magnetic ions.

INTERFACIAL REACTIONS IN THE CO/SI/GAAS AND SI/CO/GAAS SYSTEMS

The interfacial reactions between thin films of cobalt and silicon and (100)-oriented GaAs substrates in two configurations, Co/Si/GaAs and Si/Co/GaAs, were studied using a variety of techniques including Auger electron spectroscopy, x-ray diffraction, and transmission electron microscopy. The annealing conditions were 200, 300, 400, 600-degrees-C for 30 min, and rapid thermal annealing for 15 s. It was found that Si layer in the Co/Si/GaAs system acts as a barrier at the interface between Co and GaAs when annealed up to 600-degrees-C. The interfacial reaction between Co and Si is faster than that between Co and GaAs in the system of Si/Co/GaAs. The sequence of compound formation for the two metallizations studied (Co/Si/GaAs and Si/Co/GaAs) depends strongly on the sample configuration as well as the layer thickness of Si and Co (Co/Si atomic ratio). From our results, it is promising to utilize Co/Si/GaAs multilayer film structure to make a CoSi2/GaAs contact, and this CoSi2 may offer an alternative to the commonly used W silicides as improved gate metallurgies in self-aligned metal-semiconductor field effect transistor (MESFET) technologies.

INTERACTION OF CO WITH SI AND SIO2 DURING RAPID THERMAL ANNEALING

The interaction of Co with Si and SiO2 during rapid thermal annealing has been investigated. Phase sequence, layer morphology, and reaction kinetics were studied by sheet resistance, x-ray diffraction, Auger electron spectroscopy, x-ray photoelectron spectroscopy, and scanning electron microscopy. With increasing annealing temperature, Co film on Si(100) is transformed sequentially into Co2Si, CoSi, and finally CoSi2 which corresponds to the minimum of sheet resistance. No evidence of silicide formation was observed for Co/SiO2 annealed even at the high temperature of 1050-degrees-C.

氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性

于2010-11-23批量导入

图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究

报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅-氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴(Co)离子，并生长硅化钴薄膜。扫描俄歇微探针(SAM)和X光电子能谱(XPS)测量结果表明，只在纯硅区探测到了硅化钴；而氧化硅区始终未见有钴的迹象。很好地实现了在图形衬底上钴离子的选择淀积和硅化钴薄膜的选择生长。

InP衬底表面的H_2/N_2等离子体清洁技术

该文介绍了用电子回旋共振(ECR)H_2/N_2等离子体去除InP衬底表面的氧、碳原子的方法，并保持了InP衬底表面原有的有序结构，给出了这种处理方法的工艺条件，对这种方法的优越性进行了系统的分析和讨论，得出了一些有价值的结论。

A Novel Two-Section Co-Cavity Wavelength Tunable Semiconductor Laser

于2010-11-23批量导入

Co-Si多层膜在稳态热退火中的固相界面反应

于2010-11-23批量导入