Time response of optical switching properties of Sb thin films under focused laser pulses

The time response of optical switching properties of Sb thin films under focused laser pulses is investigated. The results show that the response course can be divided into onset, opening, and closing stages. Formulas for their lengths are given. The onset and opening times decrease with increasing pumping light power density. The closing time is about 150 ns. For optical memory, if the power density of the readout and recording lasers changes from 5 x 10(9) to 15 x 10(9) W/m(2), the onset time changes from 2.5 to 0.30 mus, and the opening time is on the nanosecond scale. (C) 2003 Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers.

Reversible Resistance Switching Effect in Amorphous Ge1Sb4Te7 Thin Films without Phase Transformation

We demonstrate a reversible resistance switching effect that does not rely on amorphous-crystalline phase transformation in a nanoscale capacitor-like cell using Ge1Sb4Te7 films as the working material. The polarity and amplitude of the applied electric voltage switches the cell resistance between low- and high-resistance states, as revealed in the current-voltage characteristics of the film by conductive atomic force microscopy (CAFM). This reversible SET/RESET switching effect is induced by voltage pulses and their polarity. The change of electrical resistance due to the switching effect is approximately two orders of magnitude.

不同腔结构下的声光调Q双包层光纤激光器特性研究

报道了半导体激光器端面抽运不同结构的声光调Q的双包层光纤激光器的脉冲输出特性.对前向、后向不同抽运方式的掺镱调Q双包层光纤激光器在输出平均功率,调Q脉冲宽度及脉冲稳定性进行了对比及讨论;其中后向抽运的光纤激光器,在10kHz重复频率调制下,获得了斜效率为60%的平均功率输出,其脉冲宽度为52ns,单脉冲能量为0·3mJ.最后利用不同抽运方式下的速率方程,理论分析调Q脉冲的特性,分析结果与实验相符.

放大自发辐射对全固态激光器调Q性能的影响

为定量分析放大自发辐射（ASE）对调Q激光器性能的影响，在调Q激光速率方程中引入放大自发辐射项。并在合理的近似下求解，给出了激光二极管（LD）端面抽运电光调Q运转的固体激光器反转粒子数的建立过程，分析了放大自发辐射对激光上能级储能效率的影响及考虑放大自发辐射时调Q激光器输出脉冲宽度和脉冲能量随抽运功率的变化关系。结果表明，由于放大自发辐射的存在，上能级储能效率降低，且在一定的抽运功率下，调Q输出脉冲宽度变宽，脉冲能量下降。用LGS（La3Ga5SiO14）晶体作电光调Q元件，在激光二极管抽运的Nd：YVO

激光二极管连续抽运电光调Q Nd：YVO4激光器

报道了全固态激光器连续抽运高重复率电光调Q的实验和理论分析结果。用LGS（La3Ga5SiO14）晶体作电光调Q元件，在激光二极管（LD）端面抽运Nd：YVO4激光器中实现了较高重复率的电光调Q输出。实验中在10^4Hz重复率下，抽运功率为28w时，平均功率超过5W，脉冲宽度为7ns，峰值功率为70kW，并对不同重复率时的脉冲输出进行了比较，在低重复率下，脉宽〈6．5ns，峰值功率超过100kW。在理论上，通过对连续抽运时的电光调Q速率方程进行修正，并考虑放大自发辐射（ASE）的影响，对调Q激光器的储能过

输出5W的电光调Q Nd：YAG陶瓷激光器

研究了激光二极管（LD）侧向抽运的Nd：YAG陶瓷电光调Q激光器的激光输出特性。该激光器采用九组激光二极管线阵列（LDA）侧面紧密环绕均匀排布的抽运结构，并用微通道热汇冷却技术冷却。在电光调Q方式下，重复频率为100Hz，抽运单脉冲能量为416mJ时，用尺寸为庐5mm×75mm，掺杂原子数分数为1％的Nd：YAG陶瓷棒，获得50mJ的1064nm激光输出，脉冲宽度为12ns，斜率效率达24％。并实验测量和分析了偏振片，KD^＊P晶体，四分之一波片等调Q器件的插入损耗。测量了输出激光时间波形和光斑的光强空间

LD抽运的Nd：YLF／Cr^4＋：YAG被动调Q激光器

报道了激光二极管（LD）抽运的Nd：YLF激光器，采用平凹腔结构，分别用两片Cr^4＋：YAG可饱和吸收晶体，实现了被动调Q，输出激光波长为1053nm。采用厚度为0．5mm小信号透过率为90％的Cr^4＋ YAG，在泵浦功率最大为17W时，输出脉冲宽度为60．6ns，平均功率为1．5W，重复频率为9．5kHz，单脉冲能量为157．9mJ；采用厚度为0．55mm小信号透过率为95％的Cr^4＋ YAG，在泵浦功率最大为17W时，输出脉冲宽度为68．6ns，平均功率为1．35W，重复频率为14kHz，单脉冲

激光二极管侧面抽运调Q倍频Nd:YAG激光器

对高平均功率输出的激光二极管侧面抽运电光调Q倍频 Nd:YAG激光器进行了研究，当采用90个60W的脉冲激光二极管阵列抽运时，在重复频率为10Hz下，实现了最大平均功率为1180mW的1064nm红外激光输出，光-光转换效率为11%。腔外倍频获得600mW的532nm绿光输出，倍频效率达到50%以上。

双调Q开关热退偏补偿全固态激光器

为了有效地补偿激光二极管(LD)侧向抽运1000 Hz重复率电光调Q Nd:YAG激光器棒状增益介质内存在的热致双折射损耗，设计了一种新颖的双调Q晶体开关复合谐振腔结构。实验结果表明，设计的双调Q晶体开关结构Nd:YAG激光器输出激光脉冲能量比单调Q晶体开关结构的非补偿腔输出能量提高了56%，当侧面抽运半导体激光器输出功率达到450 W时，激光输出达到30 mJ/pulse，输出光束偏振度优于10:1，激光脉冲宽度约14 ns。并获得6.7%的光-光转换效率。通过对双调Q开光激光谐振腔进行建模，并用求解速

调Q双包层光纤激光器研究新进展

综述了近几年来在高能量输出（毫焦）、高重复频率（千赫兹）、纳秒级脉冲输出的调Q光纤双包层光纤激光器研究的最新进展，包括饱和吸收体和受激布里渊散射被动调Q、声光和电光主动调Q等，并分析各自的特点。最后讨论了国内外调Q双包层光纤激光器的研究现状和发展前景

采用国产双包层光纤的声光调Q激光器

实验报道采用我国自行设计的大模场掺镱双包层光纤，利用简单声光调Q装置，成功实现调Q运转；在1－50kHz调制频率下获得了百纳秒的调Q脉冲，其输出光束质量因子大约为2。当重复频率为1kHz时，获得了脉冲宽度为132ns，能量0.93mJ。同时实验中观察到的调Q脉冲常出现一点锁模现象，针对这一现象进行了讨论。

声光调Q光纤激光器的窄脉冲输出

控制调Q器件声光开关的开门时间,在低的抽运功率(瓦级)下,成功实现了1～50kHz几十纳秒脉冲的激光输出。在重复频率50kHz下,获得了20mJ,35ns左右的脉冲输出,脉冲稳定性优于90%,光束质量为2.0左右。