双面二维硅微条探测器的沾污失效分析及修复；Contamination failure analysis and repairing for double side two dimensional silicon microstrip detectors

硅微条探测器通过微电子工艺制作,易因沾污导致性能下降甚至失效;裸露的键合引线,也易因机械力形成隐性或显性失效。对上述现象的研究可用于修复、维护探测器并在设计和工艺流程中改进其性能。本文通过光学、电气手段分析其结构和制作工艺流程,根据沾污性质在不同条件下清洗探测器,中测后根据芯片图形、封装方式和电气要求修复探测器,最后采用同位素α能谱测试修复效果。对一块沾污后失效(无法加载偏压)的硅微条清洗后在大气环境,N面接地,P面加载负偏压条件下进行了测试,结果显示:170 V全耗尽,平均漏电流2.94μA,5.486 MeV的α峰能量分辨率约1.28%。失效键合所在条的另一面各条能谱观测到假峰,键合修复后消除。因沾污失效的硅微条探测器经过合适的清洗、修复,部分可以恢复性能,但清洗对表面和结构有损伤,须谨慎。另外,键合失效后,因信号不能引出导致的电荷积累会通过电容效应影响其它灵敏区。文章提示,探测器应存放于洁净,恒温,低湿度,避光,避强电磁干扰的环境,以提高能量和位置分辨率,并增加工作稳定性,延长使用寿命。

Segmented HPGe平面型位置灵敏探测器阵列的γ成像分析；Gamma-ray imaging analysis by using array of segmented planar HPGe detectors

探测器位置分辨能力的高低是实现γ成像的一个重要指标.Segmented HPGe平面型位置灵敏探测器能够很好地给出γ射线与探测器晶体相互作用的作用点位置信息.利用由这种探测器组成的探测器阵列对~(22)Na标准源进行了γ成像实验.结果能够区分出标准源两个不同的摆放位置的细微差别,并与实际情况符合得很好.从而检验了Segmented HPGe平面型位置灵敏探测器的位置分辨能力.

Hydrothermal synthesis and thermoelectric transport properties of impurity-free antimony telluride hexagonal nanoplates

Impurity-free single-crystalline antimony telluride hexagonal nanoplates (see figure) are synthesized by a facile and quick hydrothermal treatment without any organic additives or templates. The inherent crystal structure is the driving force for the growth of these Sb2Te3 hexagonal nanoplates. Films of these nanoplates shows p-type behavior, and exhibit a promisingly high Seebeck coefficient of 425 mu V K-1 at room temperature.