AIGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band

A power amplifier MIC with power combining based on AlGaN/GaN HEMTs was fabricated and measured. The amplifier consists of four 10×120μm transistors. A Wilkinson splitters and combining were used to divide and combine the power. By biasing the amplifier at V_(DS) =40V, I(DS)= 0. 9A, a maximum CW output power of 41. 4dBm with a maximum power added efficiency (PAE) of 32. 54% and a power combine efficiency of 69% was achieved at 5. 4GHz.

InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应

于2010-11-23批量导入

CO_2地质埋存后的逃逸问题研究进展

中国的温室气体排放目前已排世界第一,对环境是严重的威胁.CO_2地质埋存是温室气体资源化利用及减少大气温室气体排放量的有效途径之一,但是在地质埋存后,CO_2一旦逃逸会引起地表的隆起或凹陷、污染水源、破坏海洋生态系统等系列灾害,并使温室气体埋存效果毁于一旦.本文在对CO_2埋存问题简要介绍的基础上,重点对埋存后CO_2逃逸问题的研究现状作综述.阐述了CO_2埋存后通过盖层渗流和扩散、废弃井的渗透等逃逸方式,以及主要的控制参数,包括盖层渗透逃逸、扩散逃逸、油井及裂隙逃逸等方面的参数.通过分析,提出了需要进一步研究的问题,主要有:(1)控制CO_2逃逸的主要参数需要通过模型实验确定;(2)需要建立考虑化学反应、地层特征和井口分布特征的多相渗流模型;(3)在CO_2逃逸方面除要考虑扩散、渗流效应外,还要考虑井口分布、高气压引起的劈裂导致的渗透性急剧增加的效应等因素的影响

2003年陕西秋季连阴雨降水特点及环流条件分析

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在33.4MeV/u~(17)N与~9Be反应中中子发射的起源

在不同角度测得的 33 4MeV/u17N +9Be反应中 ,发射中子的能谱具有复杂的形式 ,而且随着角度的增大显示出有规律的变化 发射中子至少来源于靶弹核间的核子 -核子碰撞、17N的破裂反应以及熔合热核的统计蒸发三种不同起源 分析结果表明 :反应体系三种起源的发射中子截面分别为 4 4 9,0 4 4和 5 5b