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装置应国内辐照加工需求而研制,采用单相无铁芯变压器结构,初级供以400 Hz的中频交流,次级全波整流倍压后级联形成直流高压。加速管同心地位于次级线圈内,电子枪采用间热式LaB6发射阴极。该装置结构紧凑,电子束1.2 MeV/40 mA,束流功率近50 kW,不稳定度均好于±5%,电功率转化效率高于65%,已通过8 h运行测试。

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利用能量为 16 4— 180MeV的 3 5Cl束流 ,通过重离子核反应 14 9Sm(3 5Cl ,5n)研究了 179Au的高自旋态能级结构 .实验进行了γ射线的激发函数、X γ和γ γ t符合测量 .基于对实验测量结果的分析 ,首次建立了 179Au的 1 2 [6 6 0 ](πi13 2 )转动带 .结合已有的实验数据 ,着重讨论了奇AAu核中1 2 [6 6 0 ](πi13 2 )转动带的带头激发能随中子数的变化

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IEECAS SKLLQG

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利用能量为60-80MeV的~(12)C束流,通过~197An(~(12)C,3n)~206At反应研究了~206At核的高自旋能级结构.用7台BGO(AC)HPGe探测器和一台用于探测低能γ射线的平面型HPGe探测器进行了γ射线的激发函数、γ-γ-t符合及γ射线的角分布测量.基于这些测量,首次建立了包括25条γ跃迁的~206At高自旋能级纲图.确定了一个半寿命为(908±400)ns、自旋和宇称为10的同质异能态.基于较重的双奇核~(208,210 )At能级结构的系统性,对~(206)At的10~-同质异能态进行了讨论.

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以盆栽法研究了不同浓度1,2,4-三氯苯(TCB)胁迫对大豆下胚轴膜脂过氧化作用的影响。结果表明,100—300μg·g-1TCB胁迫初期(1—3d)促使萌发大豆下胚轴内过氧化氢(H2O2)的积累显著增加,同时伴随质膜电解质渗漏率和组织自动氧化速率升高,显示发生膜脂质过氧化作用。TCB胁迫1—6d使活性氧清除酶功能紊乱,其中过氧化物酶(POD)活性升高,过氧化氢酶(CAT)活性开始上升后转为下降。推测大豆下胚轴受TCB胁迫伤害过程中,活性氧代谢失衡造成的膜脂质过氧化起着重要作用。

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以盆栽法研究了不同浓度 1,2 ,4 三氯苯 (TCB)胁迫对萌发大豆种子中活性氧代谢的影响 .结果表明 ,10 0~ 30 0 μg·g-1TCB胁迫初期 (1~ 3天 )促使萌发大豆种子呼吸强度升高及其峰值提前出现 ,超氧阴离子自由基 (O2 - )及过氧化氢 (H2 O2 )的积累显著增加 ,同时伴随丙二醛 (MDA)含量升高 ,显示发生膜脂质过氧化作用 .TCB胁迫 1~ 6天使活性氧清除酶功能紊乱 ,其中过氧化物酶 (POD)活性升高 ,超氧化物岐化酶 (SOD)活性开始上升后转为下降 .在萌发大豆种子受TCB胁迫伤害过程中 ,活性氧代谢失衡造成的膜脂质过氧化将起着重要作用 .

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在好氧和厌氧两种条件下研究了1,2,4-三氯苯的降解,结果表明,1,2,4-三氯苯的好氧降解和厌氧降解均遵循一级反应动力学在同样水分、温度及初始浓度条件下,1,2,4-三氯苯的好氧降解比厌氧降解迅速,其半衰期分别为1.89~5.86和5.07~19.08d土壤中1,2,4-三氯苯的初始浓度对于其降解也有显著影响,在0~100μg·g-1的范围内,浓度增高时,其降解加快,说明污染物浓度对降解的影响;在10~30℃范围内,温度增高导致降解过程加快,归因于温度升高对微生物酶活性的激活作用.