MOCVD GaAlAs/GaAs超晶格量子阱材料的研制及应用

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环境中砷的治理和检测的新方法、新设备

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非晶硅图像传感器线型阵列的研制

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氢离子敏场效应器件

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低维半导体量子输运

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半绝缘砷化镓中氧缺陷振动光谱及其光敏行为研究

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1994-2006年《水土保持研究》载文被引定量分析

利用中国知识资源总库的中国引文数据库检索《水土保持研究》在1994-2006年所载论文的被引用情况,采用文献计量学方法对该刊1994-2006年载文被《中国期刊文献引证数据库》来源期刊引用的情况进行统计分析及评价。从文献引证的角度透视《水土保持研究》的学术水平。该刊1994-2006年共载文2098篇,被引用2018篇,占载文总数的96.62%。2001-2006年该刊影响因子、即年指标等文献计量指标逐年上升,分析表明:《水土保持研究》载文质量较高,在该学科有较大的学术影响力。

中国白垩纪蜂窝蛋化石的分类订正

重新系统描述了蜂窝蛋科蜂窝蛋属的模式蛋种宁夏蜂窝蛋(Faveoloolithus ningxiaensis)和杨氏蛋属的模式蛋种夏馆杨氏蛋(Youngoolithus xiaguanensis), 并记述了产自浙江天台的蜂窝蛋科新材料，建立一个新的蛋属——副蜂窝蛋属(Parafaveoloolithus), 及3个新的蛋种——Parafaveoloolithus microporus, P. macroporus和P. tiansicunensis。根据赵资奎1994年提出的恐龙蛋分类中具有鉴定意义的几个特征，重新讨论了现有蜂窝蛋的分类地位，提出杨氏蛋属应当提升为科一级的分类单元，总结了蜂窝蛋科内属级和种级分类单元的主要鉴定特征以及蜂窝蛋类的鉴定方法。

PHOTOLUMINESCENCE STUDIES ON VERY HIGH-DENSITY 2-DIMENSIONAL ELECTRON GASES IN PSEUDOMORPHIC MODULATION-DOPED QUANTUM-WELLS

We present photoluminescence studies on highly dense two-dimensional electron gases in selectively Si delta-doped GaAs/In0.18Ga0.82As/Al0.25Ga0.75As quantum wells (N(s) = 4.24 x 10(12) cm-2). Five well-resolved photoluminescence lines centered at 1.4194, 1.4506, 1.4609, 1.4695 and 1.4808 eV were observed, which are attributed to the subband excition emission. The subband separations clearly exhibit the feature of a typical quantum well with triangle and square potential. These very intensive and sharp luminescence peaks with linewidths of 2.2 to 3.5 meV indicate the high quality of the structures. Their dependence on the excitation intensity and temperatures are also discussed.

利用医用质谱仪测定经皮血气CO2的渗透速率

利用质谱分析仪测定成人皮肤释放出的微量CO_(2)气体, 研究流过皮肤表皮的CO_(2)渗透率。对六名健康男性受试者的前臂曲侧面皮肤测定的CO_(2)气体渗透率平均值为3.78±0.45×10~(-4)m l/min cm~(2)。CO_(2)释放的强度取决于在身体不同的测试部位, 而且还受到呼吸深度的影响。图5表1参9

稀土铒和铬离子注入对电机护环钢SCC性能的影响

研究了铒和铬离子高、中能量重迭注入对50Mn18Cr4电机护环钢SCC性能的影响。SCC对比试验结果表明:(1)在QHJ-79标准硝酸盐介质中,离子注入试样的SCC出现时间(t_f)比不经注入试样的延长了6倍以上,致钝和维钝电流密度下降了一个数量级; (2)在阴极充氢条件下,两种试样均对氢致开裂(HIC)不敏感,但离子注入可抑制氢诱发腐蚀。用AES-PRO、RBS、XPS-PRO、EDAX、金相及电化学方法分析讨论了护环钢在QHJ-79标准介质中的SCC机 理和离子注入改善SCC抗力及抗氢锈发腐蚀性能的机制。

低压-金属有机物汽相外延生长的Ga（1-x）InxAs/InP激光器中深能级的研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga_(0.74)In_(0.53)As/InP量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga_(0.47)In(0.53)As有源层里观察到 H1(Ev+0.09eV)和E1(E_c-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的Zn和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)A_s有源层的 H_2(E_v+0.11eV)和 E_2(E_q-0.42eV)陷阱则可能是H1和E1与质子轰击引起的损伤相互作用的产物 。