γ-辐照对纯Y2SiO5和Eu^3＋：Y2SiO5晶体光谱性能的影响

研究了γ-辐照前后纯Y2SiO5和Eu^3＋掺杂的Y2SiO5晶体吸收光谱的变化，辐照后，未退火和氢气退火的纯Y2SiO5晶体在260-270nm和320nm波段产生了附加吸收峰，分别是由F心和O^-心的吸收引起的；经过空气退火的纯YSO晶体中，由于消除了氧空位，因此辐照后没有出现色心吸收峰。在Eu^3＋；Y2SiO5晶体中，不但有相同的F心和O心吸收峰，而且还有Eu^2＋离子在300nm和390nm的吸收峰。随着辐照剂量的增加，色心附加吸收峰增强。空气退火能减少Eu^3＋：Y2SiO5晶体中的色心，而氢

Effect of annealing and gamma irradiation on undoped and Eu3+-doped Y2SiO5 single crystals

The absorption spectra of the undoped Y2SiO5 and Eu3+-doped Y2SiO5 crystals grown by the Czochralski technique were compared before and after annealing and, similarly, the unannealed and annealed crystals after gamma-ray irradiation. The absorption bands of Eu2+ ions with peaks at 300 and 390 nm were observed in the as-grown Y2SiO5:Eu3+ crystal. These peaks were more intense in H-2-annealed and irradiated Y2SiO5:Eu3+ crystals. The additional absorption peaks at 260 and 320-330 nm which were attributed to F color centers and O- hole centers were observed in irradiated undoped Y2SiO5 and Y2SiO5:Eu3+ crystals, respectively. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

Yb∶Y_3Al_5O_(12)/Y_3Al_5O_(12)复合晶体的制作和光谱性能

采用热键合技术,制作中运用不同的工艺参量制作出12片Yb∶Y3Al5O12/Y3Al5O12(Yb∶YAG/YAG)复合晶体。利用偏光显微镜对其键合界面进行了观察,研究了样品的透射光谱,从而确定出复合晶体合适的制作工艺。通过透射光谱的形状和透射率来表征复合晶体键合界面的质量。研究表明Yb∶YAG/YAG复合晶体键合质量较好,可实现一体化。

Newly designed multilayer thin film mirror for dispersion compensation in Ti:sapphire femtosecond lasers

There are two different effects to generate group delay dispersion by multilayer thin film mirrors: chirper effect and Gires-Tournois effect. Both effects are employed to introduce desired dispersion in the designed mirror. Thus the designed mirror provides large dispersion throughout broad waveband. Such mirror can be used for dispersion compensation in Ti:sapphire femtosecond lasers. Most group delay dispersion of a 5-mm Ti:sapphire crystal can be compensated perfectly with only four bounces of the designed mirror.

伦纳德琼斯薄膜材料导热系数的分子动力学研究

提出从微观的角度,借助计算机工具,将薄膜破坏发展的细节展现出来的分子动力学研究的思想。使得实验上难以观察的现象变得形象而便于理解。应用分子动力学理论,使用伦纳德琼斯势函数,采用预校正积分法和虚拟外力约束标定方法,模拟薄膜体系的传热系数受体系的密度、温度的影响,同时结合体系粒子的径向分布函数和长程分布函数分析了相应的系统结构特性。另外,采用不同的模拟尺寸获得了低维材料所特有的“高温尺寸效应”。结果显示,导热系数随密度的增加变大,随温度的上升而变大。这些数据现有测量手段是难以得到的,这类模拟可以为研究提供一些

单晶硅材料的1064nmNd：YAG脉冲激光损伤特性研究

作为微电子和光电子系统中普遍使用的一种结构材料，单晶硅一直是人们研究的焦点。长期以来，人们对其电学性质进行了非常深入细致的研究，却疏于对其抗击强激光辐照特性的研究。随着激光通讯和光电对抗技术的发展，对光学材料的激光破坏特性和加固技术进行研究的需求也显得越来越迫切。本文主要对单晶硅的抗激光损伤特性进行研究，研究了单晶硅材料在1064nmNd：YAG激光自由脉冲输出模式和单脉冲输出模式作用下的损伤特性，通过对两种激光作用下单晶硅损伤形貌的分析，在热效应与热力耦合模型的基础上，对单晶硅的激光损伤机制进行了探索。

梯形介质膜光栅衍射特性分析

基于严格耦合波理论建立了梯形介质膜光栅的衍射机理模型,利用该模型讨论了底角为70°的梯形介质膜光栅-1级的衍射行为。通过对梯形介质膜光栅的占空比、槽深和剩余厚度的优化,设计了应用于1053 nm和51.2°角度入射的梯形介质膜光栅。对于顶层为HfO2的介质膜光栅,当槽深为200 nm,剩余厚度为100 nm,占空比为0.35时,其衍射效率优于99.5%,而对于顶层为SiO2的梯形光栅,为获得99.5%的衍射效率,其槽深为800 nm,剩余厚度为320 nm。而且,获得同样的衍射效率,顶层为HfO2的梯形光栅具有更宽的光谱特性。数值计算表明,严格耦合波理论模型对梯形介质膜光栅衍射效率的计算具有很好的收敛性和稳定性。