10Gbit/s甚短距离传输系统接收模块研究

本文研究了符合OIF-VSR4-01.0规范的甚短距离(VSR)并行光传输系统转换器集成电路,实现了接收部分转换器集成电路中帧同步、8B/10B解码、12路通道去斜移、检错纠错等模块的设计.在Altera的Stratix GX系列的FPGA上实现了接收部分转换器集成电路.仿真分析的结果表明所设计的各个模块能正确的实现接收部分转换器集成电路的功能,给出了仿真结果.

行星式化学气相沉积反应器内对流涡旋的数值模拟

针对三重进口行星式CVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.通过改变反应腔几何尺寸、导流管位置、三重进口流量组合、压强、温度等条件,研究反应器内对流涡旋的相应变化.根据模拟结果,对这类反应器中输运现象与外部参数的关系,特别是反应腔内对流涡旋的产生和发展作了较全面的分析和讨论,给出了抑制对流涡旋、获得薄膜生长所需的最佳输运过程的条件.

测量激光器结温的脉冲注入法研究

提出了一种精确测量半导体激光器结温的方法.由于激光器的热容很小,因此采用脉冲注入的方法可以显著减小激光器的温升.研究了脉冲电流注入下激光器的激射波长随环境温度的变化规律,通过实验研究得到电流脉冲宽度和周期与激射波长的关系,理论分析得到的定量关系式与实验结果十分吻合.在此基础上得到了精确测量激光器结温的最佳脉冲参数,即脉宽为10 ns,脉冲周期为10μs.并且确定了激光器结温与激射波长的定量关系式,波长随温度的漂移系数为0 0728 nm/K.这种方法避免了电学测量法中的结电压波形过冲,测量精度明显优于后者,同时也可以方便地测量封装好的激光器组件的温度特性.

氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究

利用X射线衍射(XRD),X射线摇摆曲线(XRC)和X射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的ZnO/Si异质结薄膜进行了分析.结果表明:用该法可生长出高度c轴单一取向ZnO薄膜,XRC的半高宽度(FWHM)仅为2.918°.表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的ZnO/Si薄膜.

AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展

简要回顾了AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌效应研究的进展,着重阐述了虚栅模型、应力模型等几种解释电流崩塌效应形成机理的模型和器件钝化、生长盖帽层等减小电流崩塌效应的措施.

BPM-FSRM混合法分析SOI脊形波导与光纤耦合

用束传播-自由空间辐射模(BPM-FSRM)混合法计算了SOI脊形波导和光纤耦合时的透射率,提出计算反射率的积分公式.将该混合法和一般FSRM、菲涅尔公式-重叠积分法的计算结果相比较,提出只有在弱导条件下,传统的菲涅尔公式法和重叠积分法才可以同时使用.

从OFC2004看全光网中关键光器件的新发展

概述了在OFC 2004会议上报道的几种支撑光网络发展的关键器件的最新进展,包括滤波器、光开关、可变光衰减器(VOA)、全光波长转换器(AOWC)及波长选择开关(WSS)等.介绍了这些新型器件的工作原理和结构.

高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制

报道了14xx nm应变量子阱(SQW)激光器管芯的研制成果。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长工艺生长14xx nm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片，采用带有锥形增益区的脊型波导结构制作激光器管芯。生长好的外延片按照双沟脊型波导激光器制备工艺进行光刻、腐蚀，制作P面电极(溅射TiPtAu)、减薄、制作N面电极(蒸发AuGeNi)，然后将试验片解理成Bar；为获得高的单面输出功率，用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR)进行腔面镀膜，HR=90%，AR=5%；解理成的管芯P面朝下烧结到铜热沉上，TO3封装后在激光器综合测试仪进行测试。管芯功率达到440 mW以上，饱和电流3 A以上，峰值波长1430 nm，远场发散角为40°×14°。

吸收对垂直腔面发射激光器光学特性的影响

采用光学传输矩阵方法,详细分析了反射镜以及键合界面的吸收对垂直腔面发射激光器光学特性的影响.结果表明,反射镜以及键合界面的吸收对反射镜和垂直腔面发射激光器的反射率和势透射率有较大影响,而对反射镜中心波长处的反射相移以及垂直腔面发射激光器模式的反射相移和模式位置影响很小.随着反射镜以及键合界面的吸收增大,反射镜中心波长处的反射率逐渐减小,垂直腔面发射激光器的模式反射率变化则是先急剧减小,达到一个极小值,然后再逐渐增大,而反射镜中心波长处以及垂直腔面发射激光器模式处的势透射率则都是迅速降低的.此外,将有吸收的键合界面离有源区的距离远一些,有利于提高垂直腔面发射激光器模式处的光输出效率.

SOI波导弯曲损耗改善方法的研究

采用有效折射率方法EIM(Effective Index Method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(Silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的改善方法进行了模拟分析.模拟发现,在波导连接处引入偏移量和在波导外侧刻槽等两种不同方法都能有效减小弯曲损耗,并且后者的效果更明显.同时通过实验获得了验证.对R=16mm、横向位移为70μm的弯曲波导,通过刻槽方法将插入损耗降低了5dB,基本消除了弯曲所带来的附加损耗.

An Improved Driving Circuit for Thermo-Optical Switch to Improve the Reliability of Thermo-Optical Switch Matrix

The influence of the heaters on the reliability of the thermo-optic (TO) switch matrix is analyzed and an improved driving circuit based on the analyzed results is designed and fabricated. The circuit can improve the reliability of the switch matrix device from 78.87% to 97.04% for a 4×4 optical switch device with a simplified tree structure. The simulation and experimental results show the circuit can provide suitable driving current for TO switch matrix.

外延晶体硅薄膜太阳电池的量子效率和特性研究

为了澄清限制所制备的颗粒硅带上的晶体硅薄膜太阳电池效率的主要因素, 对制备在颗粒硅带、经区熔(ZMR)后的颗粒硅带和单晶硅衬底上的外延晶体硅薄膜太阳电池进行了QE和Suns-Voc研究. 结果表明, 颗粒硅带上沉积的外延层的表面有一定的粗糙度, 它不但增加了电池表面的漫反射, 也使氮化硅减反射膜的结构变得疏松, 最终影响了减反射膜的陷光效果; 沉积在颗粒硅带上的硅活性层的晶体质量也较差, 较重的晶界复合限制了少子扩散长度, 使得制备在颗粒硅带上的硅薄膜太阳电池在长波方向上的光谱响应明显变坏. 所制备的晶体硅薄膜太阳电池的暗特性参数值均不理想, 电池性能尤其受到过高的暗饱和电流I02值和过低的并联电阻Rsh值的严重影响. 高的I02值是由于结区硅活性层较差的晶体质量所导致的严重的晶界复合造成的, 低的Rsh值被归结为电池经激光切割后未经钝化的裸露的PN结及电池边缘的漏电造成的.

微波网络分析仪的校准

对微波网络分析仪和测试夹具的校准方法和校准过程经常出现的问题进行了介绍.从提高校准精度的角度,针对不同的测试端口和相应的校准标准,提出了选取校准方法和运算方法的准则,同时给出了解决这些问题和提高校准精度的具体建议.发现并通过实验验证直通标准得到的4个方程能够同时使用,并可以获得精确的结果.实验中,观察到对同一校准方法,采用不同的运算方法可能导致频率限制问题的出现.

N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响

用Keating的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变.用折叠谱法(folded spectrum method)结合Williamson经验赝势法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构.讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响.发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元,从而影响了该超晶格的发光性能.计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量.

影响半导体量子点生长因素的分析

生长高面密度和尺寸均匀的量子点是半导体量子点实用化的关键.本文在已有研究工作的基础上,从材料本身的特性和生长量子点时的外界条件两方面总结了影响量子点生长的各种因素,从原理上分析了控制量子点有序生长的可能性的几种方法.