DFB—LD在不同温度下的频响测量

利用脉冲注入法测量了分布反馈激光器（DFB—LD）芯片温度与激射波长的关系。基于此关系测量了不同芯片温度下分布反馈激光器的小信号响应曲线、传输眼图和误码率，并讨论了温度、偏置电流对响应曲线、传输眼图和误码率的影响。

异质外延自组织锥形量子点长程相互作用对弹性应变场分布的影响

利用有限元法，在ANSYS环境下，利用二维模型对自组织应变外延异质结锥形量子点的应力应变分布情况进行了系统分析。分析过程分别考虑了孤立锥形量子点系统、单层多量子点系统以及量子点超晶格系统三种情况，结果表明，单层和超品格多量子点系统衬底之间存在的长程相互作用力对量子点及其周围的应力应变分布有显著影响。在计算应变对多量子点系统的电子结构的影响时，必须将多量子点之间的相互作用对应变的贡献考虑进去。

LiNbO3电光调制器的小信号功率测试法研究

阐述了小信号功率测试法测量LiNbO3电光调制器频率响应的原理，对传统的小信号功率测试法加以改进，在以网络分析仪（VNA）为主的常用扫频测试系统基础上建立起一套简单可靠的新型测试系统，实现了计算机控制自动测量。改进的测试方法考虑了测试系统中微波器件固有频响对测试结果的影响，并通过对器件进行校准加以消除。通过实验表明该方法的准确性。

1.3-μm uncooled 10 Gb/s directly modulated MQW AlGaInAs/InP laser diodes

In this paper, we report a novel 1.3-μm uncooled AlGaInAs/InP multiple quantum well (MQW) ridge waveguide laser diodes. By optimizing the design of MQW structure and facet coatings, together with the application of reversed-mesa ridge waveguide (RM-RWG) structure, polyimide planarization, and lift-off processes technology, an uncooled 1.3-μm, 10-Gb/s directly modulated MQW ridge waveguide laser diode was successfully fabricated. The threshold current and the slope efficiency were 7 mA and 0.48 mW/mA, respectively. The directly modulated bandwidths of 11 and 9.2 GHz were achieved at room temperature and 80 Celsius degrees, respectively.

高速率并行光发射模块的研制

介绍了有关并行光发射模块设计与制作的最新进展，制作并测试了12信道并行光发射模块，单信道传输速率大于2．5Gbit／s（最高可达3Gbit／s），12信道并行总传输速率为30Gbit／s。模块采用波长为850nm的垂直腔面发射激光器（VCSEL）作光源，激光器与驱动电路芯片直接用Au丝连接，输出光束直接耦合进入12信道的光纤阵列中，在单信道8mA的工作电流下，可以测到最高为3Gbit／s的清晰眼图。

Offset quantum-well method for tunable distributed Bragg reflector lasers and electro-absorption modulated distributed feedback lasers

A two-section offset quantum-well structure tunable laser with a tuning range of 7 nm was fabricated using offset quantum-well inethod. The distributed Bragg reflector （DBR） was realized just by selectively wet etching the multiquantum-well （MQW） layer above the quaternary lower waveguide. A threshold current of 32 mA and an output power of 9 mW at 100 mA were achieved. Furthermore, with this offset structure method, a distributed feedback （DFB） laser was integrated with an electro-absorption modulator （EAM）, which was capable of producing 20 dB of optical extinction.

5.3-W Nd:YVO_4 passively mode-locked laser by a novel semiconductor saturable absorber mirror

We report a diode end-pumped continuous wave (CW) passively mode-locked Nd:YVO4 laser with a homemade semiconductor saturable absorber mirror (SESAM). The maximum average output power is 5.3 W at the incident pump power of 17 W, which corresponds to an optical-optical conversion efficiency of 31.2% and slope efficiency of 34.7%. The corresponding optical spectrum has a 0.2-nm full width at half maximum (FWHM), and the pulse repetition rate is 83 MHz.

半矢量模式求解在光波导弯曲损耗计算中的应用

以柱坐标下的半矢量波动方程为基础,采用基于完美匹配层(PML)边界条件的有限差分方法,对弯曲波导进行模式求解,进而得到波导弯曲引起的辐射损耗.基于计算得到的直弯波导的模场分布,采用二维重叠积分法计算了两者连接时的过渡损耗.计算结果与已有实验结果符合较好.采用该方法,研究了SOI脊型波导的弯曲损耗与波导结构参数之间的关系,并对直弯波导的连接进行了优化.

光调制技术测量半导体激光器固有高频响应

采用一种新的全光纤连接的半导体激光器光调制技术,实现了对高速半导体激光器固有响应的直接测量。利用速率方程能够对光调制的动态响应过程进行准确的描述。基于对抽运源和探测器的频率响应对光调制数据准确性影响的分析,通过将网络分析仪校正到同轴端,然后用直接扣除法和相互扣除法,在网络分析仪外部对测量数据进行了修正。两种修正方法得到了一致的结果,并且同已有的理论和实验结果相符合。改进后的光调制技术和两种修正数据的方法不但提高了数据的精确性,而且扩展了测量的频率范围。

硅基1．55μm可调谐共振腔窄带光电探测器的研究

制作了一种低成本硅基1．55μm可调谐共振腔增强型探测器．首次获得硅基长波长可调谐共振腔探测器的窄带响应，共振峰量子效率达44%，峰值半高宽为12．5nm，调谐范围14．5nm，并且获得1．8GHz的高频响应．本制作工艺不复杂，成本低，有望用于工业生产．

10 Gb／s电吸收调制器的微波封装设计

在高速光电子器件的微波封装过程中，需要综合考虑封装寄生参数和芯片寄生参数对器件高频性能的影响。利用封装寄生参数对芯片寄生参数的补偿作用，成功实现了10Gb／s电吸收调制激光器（EML）的高频封装。通过封装前后芯片和器件的小信号频率响应测试结果对比，器件的反射参数和传输参数有所改善，3dB带宽达到10GHz；并进行了10Gb／s速率的光纤传输实验，经过40km光纤传输后通道代价不到1dBm（误码率为10^-12），满足10Gb／s长距离光纤传输系统的要求。

基于光外差技术的超宽带频率响应测量系统

介绍了一种利用光外差技术测量光电探测器超宽带频率响应的测试方法。将一个可调谐外腔激光器和一个固定波长的分布反馈激光器（DFB-LD’s）产生的激光输入到光电探测器进行混频。通过对可调激光器腔长的控制，可以在光电探测器产生从DC到上百GHz的拍频信号，在无需额外校准光源的情况下就可以进行光电探测器超宽带频率响应特性的测试，这是该方法最突出的优点。实验证明该方法比较准确、简便、易于操作。在实验中，对两个不同的InGaAs p-i—n探测器进行测量，得到器件的3dB带宽分别为14．4GHz和40GHz。该测量方法对同类实验的研究和应用都具有实用意义。

氮化镓肖特基结紫外探测器的异常特性测量

测量了CaN肖特基结紫外探测器在有、无光照下的I-V异常特性。分别用362nm和368nm光束对有源区进行横向扫描，得到了光照不同部位时探测器在无偏压、2V反向偏压下的电流。紫外光照到肖特基结压焊电极附近及透明电极边沿附近区域时，探测器在反向偏压下有较大增益，空间响应均匀性变差，在禁带内有两个增益响应峰波长——364nm和368nm。探测器在810nm光照射下，反向偏压下的光响应增益、持续光电导存在光淬灭现象。探测器紫外光照完后，俘获中心及表面陷阱所俘获的部分电荷在高反向偏置电压下老化可以通过隧穿或发射效应释放出来，经过高反向偏置电压老化完后的探测器在同一低反向偏置电压下暗电流比老化前的要小。测量结果为GaN器件的研制提供了参考数据。

透镜形量子点的盖层和高宽比对应变场分布的影响

对透镜形自组织生长量子点的应变分布进行了研究。主要分析了透镜形状的量子点形貌对应变分布的影响，针对开放量子点（无盖层）和非开放量子点（有盖层）情况分别进行了讨论。结果表明，无论有无盖层，横向大尺寸量子点内部的应变分布趋向于均匀，无盖层量子点与有盖层情况相比内部应变释放程度大，甚至在量子点顶部有应变过释放情况，这一现象可以定性解释量子点生长的高度受限、量子点后续生长中出现的量子点塌陷和盖层生长停顿后产生的量子点“挖空”现象。

万兆以太网物理层实现的研究

在深入研究了最新高速以太网技术——万兆以太网（10GbE）的物理层实现的基础上，提出了采用四路并行的甚短距离传输（VSR）技术实现传输距离在300m以内的局域和广域万兆以太网物理介质连接子层（PMA）和物理介质相关子层（PMD）子层的方法，从而实现了万兆以太网整个物理层的功能。该方法具有构建方便、性能稳定和成本低等优点，能够满足在局域万兆以太网和较短距离上的广域万兆以太网的数据传输。