Er离子在Inp、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰

分别在InP、GaAs和Si中以7×10＜′14＞和1×10＜′15＞cm＜′－2＞的剂量进行Er离子注入, 并采用闭管、快速和炉退火等热处理。低温光致发光（PL）、反射式高等电子衍射和卢瑟福背散射实验研究表明, 上述样品中Er＜′3＋＞离子特征发光的中心波长均出现在1．5μm处, 其中InP的发光峰最强, 而注入损伤的恢复是影响Er＜′3＋＞发光的重要因素之一。卢瑟福背散射分析进一步证实退火后Er原子在Si中向表面迁移, 而在InP中的外扩散较小, 并比较了Er在InP和Si晶格中的占位情况。图7参12

MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件

讨论了采了MOCVD技术生长的平面型InGaAs／InP PIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜, 提高了器件的量子效率, 达到～90％, 采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。图3参5

InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析

于2010-11-23批量导入

InGaAsP/InP PBH 双区共腔双稳激光器的H＋轰击掩膜研究

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低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析

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低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器

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不同介质膜的InP MIS结构界面陷阱的研究

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等电子杂质Sb对InP中缺陷的影响

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InGaAsP/InP CCTS双态激光器的纵模及偏振特性

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