63 resultados para PAMC_(16)S


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测量了ZnSe,Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金和ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格的10~300K的变温光致发光谱。发现ZnSe的带隙在10K时比Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金的带隙小,而在300K时比合金的带隙大。预计ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中在130K附近会发生势阱层和势垒层的反转。在ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中观测到了这种反转但发生在80K附近。超晶格中Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se层的应变可能是反转温度变低的原因。

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We report some investigations on vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays and VCSEL based optoelectronic smart photonic multiple chip modules (MCM), consisting of 1 x 16 vertical cavity surface emitting laser array and 16-channel lasers driver 0.35 mum CMOS circuit. The hybrid integrated multiple chip modules based on VCSEL operate at more than 2GHz in -3dB frequency bandwidth.

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速度小于Bohr速度(vBhor=2.9×106m/s)的高电荷态离子40Ar16+(动能EK=150keV,速度v=8.5×105m/s)入射金属(Ni,Mo,Au和Al)表面,同时测量产生的Ar原子近红外光谱线和X射线谱.实验结果表明,低速高电荷态离子在金属表面俘获电子中性化,形成多激发态的Ar空心原子,空心原子退激辐射从近红外光谱线到X射线波段谱线,近红外光谱线辐射强度说明,低速高电荷态离子在金属表面中性化过程中,金属的功函数起着重要作用,进而验证了经典过垒模型.

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本工作对超导离子源(SECRAL)上的10~20 kV/q Ar16+和Ar17+入射到金属Zr表面进行实验研究。实验结果表明,高电荷态Ar16+在金属表面存在着多电子激发过程。Ar空心原子的K层发射X射线强度随入射离子的动能减少,靶原子Zr的L壳层发射X射线强度随入射离子动能的增加而增强。Ar17+单离子的K-αX射线产额比Ar16+单离子的K-αX射线产额大5个数量级。

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报道了由兰州ECR源提供的低速高电荷离子40Ar16+入射到云母表面产生的电子发射的实验测量结果.结果发现,电子发射产额Y与离子入射角ψ有近似1/tanψ的关系.基于经典过垒模型,我们对这一关系进行了理论分析.实验结果和理论结果相当符合,这就间接说明势能电子发射是低速高电荷态离子作用于表面发射电子的一个主要途径.

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本文采用 5 5MeV u1 2 C6+离子注入鬼臼衍生物之一———鬼臼乙叉甙 (VP1 6) ,针对它在临床上的缺点 ,试图利用重离子的能量转移和质量沉积对其分子组成与结构进行改造 ,以增加它的水溶性 ,提高疗效 ,减小毒性。实验样品在离子注入后 ,先后进行了紫外 (UV)、高效液相 (HPLC)和液质联用 (HPLC -MS)分析 ,并对癌细胞K5 6 2和HL- 6 0分别进行了药理活性测定 ,取得了初步结果和进行了简短讨论。

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讨论了目前16O(α ,γ) 2 0 Ne反应的实验研究工作 ,并对2 0 Na β+—→2 0 N →16O +α的β+ 缓发衰变α能谱的相对强度值同文献进行了比较 ,讨论了低能激发能级、共振强度及其对共振截面的贡献、S因子的理论研究 .

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通过控制单核能大小 ,将 1 6 O离子注入小麦种子胚乳 ,结果引起 M1 代幼苗可溶性蛋白质的较大变化。可溶性蛋白质电泳凝胶胶片的扫描曲线显示 :1 )在高剂量的处理中 ,有的峰消失 ;有的峰高于对照 ,中、高剂量值呈升高趋势 ;有的峰低于对照 ,中、高剂量值呈下降趋势。 2 )按分子量的大小将可溶性蛋白质分成 5个区段 ,并计算不同区段蛋白质组分的相对含量。结果表明 ,同对照相比 ,第 2区段的相对含量降低 (分子量较大区段 ) ,而第 5区段的相对含量升高 (分子量最小区段 )。 3 )同时也表明 ,低剂量效应表现异常。本文也讨论了诱变胚乳对胚作用的可能机理

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用同位旋相关的Boltzmann Langevin方程研究了在入射能量为2 8 7MeV/u下 ,不同弹核 14O ,16 O和 18O轰击不同靶核 7Be和 9Be的反应 ,计算了生成碎片的产生截面 ,发现用丰中子 (缺中子 )炮弹或丰中子 (缺中子 )靶进行反应 ,所得到的产物均有丰中子 (缺中子 )的碎片出现 .同位素分布宽度和峰位与入射体系密切相关 ,产生碎片的电荷数越接近入射弹核的电荷数 ,则同位素分布的宽度越大 ,峰位偏离β稳定线值越远 ,其同位旋效应越明显 .